公开(公告)号：KR1020010010469A

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：KR1019990029367

申请日：1999-07-20

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 박광범 ,  황학인 ,  장세홍 ,  박준식 ,  이경일 ,  최연식 ,  김성진 ,  나경원 ,  김선희 ,  문은아

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a silicon membrane is to measure only a change of a reflecting light due to removal of a reflecting film, therefor obtaining a uniform thickness of the silicon membrane independent of a temperature of an etching solution. CONSTITUTION: A method of manufacturing a silicon membrane comprises the steps of: forming at least one of an etching area by etching a portion of the first surface of a silicon substrate(100); depositing a reflecting film on the etching area; forming a protecting film(300) on the first surface and the second surface opposite to the first surface; forming the first opening as a measuring area and the second opening as an active area by etching the portion of the protecting film on the second surface; and etching the measuring area and the active area using the remaining protecting film as an etching mask until all of the metal film is etched.

Abstract translation: 目的：制造硅膜的方法是仅测量由于去除反射膜而导致的反射光的变化，从而获得与膜的温度无关的硅膜的均匀厚度。 构成：制造硅膜的方法包括以下步骤：通过蚀刻硅衬底（100）的第一表面的一部分来形成蚀刻区域中的至少一个; 在蚀刻区域上沉积反射膜; 在与第一表面相对的第一表面和第二表面上形成保护膜（300）; 通过蚀刻第二表面上的保护膜的部分，形成作为测量区域的第一开口和第二开口作为有源区域; 并使用剩余的保护膜作为蚀刻掩模蚀刻测量区域和有源区域，直到蚀刻所有金属膜。

公开(公告)号：KR100291555B1

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1019990029367

申请日：1999-07-20

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 박광범 ,  황학인 ,  장세홍 ,  박준식 ,  이경일 ,  최연식 ,  김성진 ,  나경원 ,  김선희 ,  문은아

IPC: H01L21/306

Abstract: 이발명은기판식각장치및 이를이용한실리콘멤브레인제조방법을개시한다. 실리콘기판의하부면의일부를설정된실리콘멤브레인두께만큼식각하여적어도하나이상의식각영역을형성한다음, 식각영역에각각금속막을증착한다. 다음에실리콘기판의상하부면에보호막을형성하고, 실리콘기판의상부면에형성된보호막의일부를제거하여식각영역에대응하는측정영역의제1 개구부와소자를형성하기위한활성영역의제2 개구부를형성한다. 보호막중 제거되지않은보호막을식각마스크로하여제1 및제2 개구부를통하여측정영역이및 활성영역을식각하며, 식각시에일정량의광을식각영역의금속막으로조사한다. 제1 개구부를통하여금속막이노출됨에따라금속막으로조사되는광의일부가투과되어금속막으로부터반사되는광의세기가최고치에서감소되기시작하여, 금속막이모두식각되어반사되는광이최소치로감소되는구간내에서식각공정을종료한다. 따라서, 식각용액의농도및 온도변화그리고식각시간에상관없이설정된두께를가지는실리콘멤브레인을용이하게제조할수가있다.