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    가스센서용 감지물질, 이를 포함하는 가스센서 및 그 제조방법
    2.
    发明授权
    가스센서용 감지물질, 이를 포함하는 가스센서 및 그 제조방법 有权

    公开(公告)号：KR101886776B1

    公开(公告)日：2018-08-08

    申请号：KR1020160084921

    申请日：2016-07-05

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  최선우 ,  김재성 ,  김선호 ,  이동진

    IPC: G01N27/407 ,  G01N33/00

    Abstract: 본발명은백금(Pt) 나노입자및 산화백금(PtO) 나노입자(이하, 'Pt/PtO 나노입자'라함)로기능화된탄소나노튜브네트워크를포함하는가스센서용감지물질, 이를포함하는가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 자외선조사를이용하여 Pt/PtO 나노입자를탄소나노튜브측벽에기능화하고, 이렇게 Pt/PtO 나노입자로기능화된탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써 Cl가스에대한감도및 선택성이우수한가스센서를제공할수 있다. 또한, 본발명에따른가스센서는히터사용없이상온에서동작이가능하므로소비전력이최소화되는효과가있으며, 소형화가가능해휴대용으로사용될수 있다.

    가스센서의 제조방법
    3.
    发明授权
    가스센서의 제조방법 有权
    气体传感器的制造方法

    公开(公告)号：KR101750010B1

    公开(公告)日：2017-06-23

    申请号：KR1020150128330

    申请日：2015-09-10

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  박민철 ,  최선우 ,  김재성 ,  이제행 ,  김신근

    IPC: G01N27/407 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B82Y15/00

    Abstract: 본발명은, 기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브, 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에진공증착된금 나노입자및 상기금 나노입자가진공증착된상기기판상에형성된전극을포함하는가스센서;와 (a) 기판상에탄소나노튜브를흡착시키는단계 (b) 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 박막을진공증착시키는단계및 (c) 상기금(Au) 박막이진공증착된기판을열처리하여상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 나노입자를형성하는단계를포함하는가스센서의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 금나노입자및 탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써최소 1ppm까지의저농도가스도높은감도로감지할수 있으며, NO, NH뿐만아니라 CO, VOCs 등과같은가스도안정적으로감지할수 있는선택성이우수한가스센서의제조방법을제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明中，所述基板，所述基板到所述碳纳米管，所述碳纳米管是沉积在形成于基板的真空沉积在吸附基板的金颗粒和吸附在含电极上的金颗粒的真空 （B）在其上吸附有碳纳米管的基板上真空沉积金（Au）薄膜;以及（c） （Au）纳米颗粒沉积在其上通过热处理沉积有二元共沉积的基底而吸附碳纳米管的基底上。 根据本发明，该气体也选择性可以通过使用纳米颗粒和碳纳米管可靠地检测，如金，感测材料可为kkajiui至少1ppm的低浓度气体以高灵敏度检测到，NO，NH，以及CO，VOC的 可以提供制造出色的气体传感器的方法。

    가스센서의 제조방법
    4.
    发明公开
    가스센서의 제조방법 有权
    气体传感器的制造方法

    公开(公告)号：KR1020170030871A

    公开(公告)日：2017-03-20

    申请号：KR1020150128330

    申请日：2015-09-10

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  박민철 ,  최선우 ,  김재성 ,  이제행 ,  김신근

    IPC: G01N27/407 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B82Y15/00

    Abstract: 본발명은, 기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브, 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에진공증착된금 나노입자및 상기금 나노입자가진공증착된상기기판상에형성된전극을포함하는가스센서;와 (a) 기판상에탄소나노튜브를흡착시키는단계 (b) 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 박막을진공증착시키는단계및 (c) 상기금(Au) 박막이진공증착된기판을열처리하여상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 나노입자를형성하는단계를포함하는가스센서의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 금나노입자및 탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써최소 1ppm까지의저농도가스도높은감도로감지할수 있으며, NO, NH뿐만아니라 CO, VOCs 등과같은가스도안정적으로감지할수 있는선택성이우수한가스센서및 그제조방법을제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明中，所述基板，所述基板到所述碳纳米管，所述碳纳米管是沉积在形成于基板的真空沉积在吸附基板的金颗粒和吸附在含电极上的金颗粒的真空 （B）在其上吸附有碳纳米管的基板上真空沉积金（Au）薄膜;以及（c） （Au）纳米颗粒沉积在其上通过热处理沉积有二元共沉积的基底而吸附碳纳米管的基底上。 根据本发明，该气体也选择性可以通过使用纳米颗粒和碳纳米管可靠地检测，如金，感测材料可为kkajiui至少1ppm的低浓度气体以高灵敏度检测到，NO，NH，以及CO，VOC的 可以提供优异的气体传感器及其制造方法。

    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서
    7.
    发明公开
    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서 无效
    制备碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的方法

    公开(公告)号：KR1020160080674A

    公开(公告)日：2016-07-08

    申请号：KR1020140193372

    申请日：2014-12-30

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  김선호 ,  김재성 ,  이제행 ,  김신근

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L21/0273 ,  H01L2924/13061

    Abstract: 본발명은, a) 기판상에절연막을형성하는단계; (b) 상기절연막상의탄소나노튜브흡착영역에격자또는스트라이프형태의포토레지스트패턴을형성하는단계; (c) 상기포토레지스트패턴을따라상기절연막을식각(etching)하는단계; (d) 상기절연막이식각된기판에탄소나노튜브입자를흡착하는단계; (e) 상기탄소나노튜브가흡착된기판표면의포토레지스트패턴을제거하는단계; 및 (f) 상기포토레지스트패턴이제거된상기절연막상에전극을형성하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법및 이에의하여제조된탄소나노튜브센서에관한것이다.

    Abstract translation: 碳纳米管传感器的制造方法技术领域本发明涉及一种碳纳米管传感器的制造方法以及由此制造的碳纳米管传感器。碳纳米管传感器的制造方法包括以下步骤：（a）在基板上形成绝缘膜; （b）在绝缘膜的碳纳米管吸附区域中形成格子状或条状的光致抗蚀剂图案; （c）根据光致抗蚀剂图案蚀刻绝缘膜; （d）在蚀刻绝缘膜的基板上吸附碳纳米管粒子; （e）除去吸附有碳纳米管的基板表面的光致抗蚀剂图案; 和（f）在除去光致抗蚀剂图案的绝缘膜上形成电极。 本发明的目的是提供一种制造碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的方法，该碳纳米管传感器能够沿固定方向排列碳纳米管。

    기판과의 결합력이 향상된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자
    8.
    发明授权
    기판과의 결합력이 향상된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 기반 전계효과트랜지스터 소자 有权
    基于碳纳米管的场效应晶体管和基于碳纳米管的场效应晶体管的制备方法

    公开(公告)号：KR101402989B1

    公开(公告)日：2014-06-11

    申请号：KR1020130067285

    申请日：2013-06-12

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  김선호 ,  전영민 ,  김은경 ,  김재성 ,  우덕하

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/742 ,  H01L29/0669 ,  H01L21/324

    Abstract: The present invention relates to a method of fabricating a carbon nanotube-based field effect transistor having improved adhesive strength with respect to a substrate, and the carbon nanotube-based field effect transistor fabricated thereby. The method of fabricating the carbon nanotube-based field effect transistor includes the steps of: forming an oxide layer on a substrate; forming a photoresist pattern on the oxide layer; forming a metal layer on an entire surface of a sample including a photoresist pattern; a lift-off step of removing the photoresist; absorbing a carbon nanotube on the substrate without the photoresist; performing heat treatment for the substrate in which the carbon nanotube is absorbed; and removing the metal layer. According to the present invention, since adhesive strength between the substrate and the carbon nanotube is improved, stability and reliability of a field effect transistor may be improved. When the field effect transistor is applied to a liquid sensor, a life of the sensor may extend and the reliability with respect to a result measured using the sensor may be improved.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造相对于基板具有改善的粘合强度的碳纳米管系场效应晶体管的方法，以及由此制造的基于碳纳米管的场效应晶体管。 制造基于碳纳米管的场效应晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上形成氧化物层; 在所述氧化物层上形成光致抗蚀剂图案; 在包括光致抗蚀剂图案的样品的整个表面上形成金属层; 去除光致抗蚀剂的剥离步骤; 在没有光刻胶的基板上吸收碳纳米管; 对其中吸收碳纳米管的基板进行热处理; 并去除金属层。 根据本发明，由于提高了基板和碳纳米管之间的粘合强度，因此可以提高场效应晶体管的稳定性和可靠性。 当场效应晶体管被施加到液体传感器时，传感器的寿命可以延长，并且可以提高使用传感器测量的结果的可靠性。

    가스센서용 감지물질, 이를 포함하는 가스센서 및 그 제조방법
    9.
    发明公开
    가스센서용 감지물질, 이를 포함하는 가스센서 및 그 제조방법 有权
    用于气体传感器的感测材料包括相同的方法和制造方法

    公开(公告)号：KR20180005036A

    公开(公告)日：2018-01-15

    申请号：KR20160084921

    申请日：2016-07-05

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  최선우 ,  김재성 ,  김선호 ,  이동진

    IPC: G01N27/407 ,  G01N33/00

    CPC classification number: G01N27/4071 ,  G01N33/0037

    Abstract: 본발명은백금(Pt) 나노입자및 산화백금(PtO) 나노입자(이하, 'Pt/PtO 나노입자'라함)로기능화된탄소나노튜브네트워크를포함하는가스센서용감지물질, 이를포함하는가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 자외선조사를이용하여 Pt/PtO 나노입자를탄소나노튜브측벽에기능화하고, 이렇게 Pt/PtO 나노입자로기능화된탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써 Cl가스에대한감도및 선택성이우수한가스센서를제공할수 있다. 또한, 본발명에따른가스센서는히터사용없이상온에서동작이가능하므로소비전력이최소화되는효과가있으며, 소형화가가능해휴대용으로사용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明是铂（Pt）纳米粒子和氧化铂（PTO），纳米颗粒（在下文中，“PT / PtO的纳米颗粒”亚伯拉罕），包括官能化的碳纳米管网络向所述材料的气体传感器检测到时，气体传感器，其包括相同 及其制造方法。 根据本发明，通过使用与官能化碳纳米管侧壁官能化的碳纳米管的使用UV照射到氯气的Pt / PtO的纳米粒子的灵敏度和选择性，并由此的Pt / PtO的纳米颗粒敏感材料 可以提供出色的气体传感器。 此外，由于根据本发明的气体传感器可以在不使用加热器的情况下在室温下操作，所以功耗被最小化，并且气体传感器可以小型化并用于便携式目的。

    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 탄소나노튜브 센서
    10.
    发明授权
    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 탄소나노튜브 센서 有权
    碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的制造方法

    公开(公告)号：KR101666080B1

    公开(公告)日：2016-10-13

    申请号：KR1020140193371

    申请日：2014-12-30

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  김신근 ,  이제행 ,  김재성 ,  김선호

    IPC: H01L29/06

    Abstract: 본발명은, (a) 기판상에탄소나노튜브입자를흡착하는단계, (b) 탄소나노튜브입자가흡착된상기기판상에채널을형성하는단계, (c) 상기채널상에금속막을증착하는단계, (d) 상기금속막이외부분의탄소나토튜브입자를에칭하여제거하는단계, (e) 상기채널양쪽에전극을형성하는단계, (f) 상기채널상에증착된금속막을에칭하여제거하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.

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