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公开(公告)号：KR101750010B1
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020150128330
申请日：2015-09-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , C23C14/34 , C23C14/14 , B82Y15/00
Abstract: 본발명은, 기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브, 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에진공증착된금 나노입자및 상기금 나노입자가진공증착된상기기판상에형성된전극을포함하는가스센서;와 (a) 기판상에탄소나노튜브를흡착시키는단계 (b) 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 박막을진공증착시키는단계및 (c) 상기금(Au) 박막이진공증착된기판을열처리하여상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 나노입자를형성하는단계를포함하는가스센서의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 금나노입자및 탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써최소 1ppm까지의저농도가스도높은감도로감지할수 있으며, NO, NH뿐만아니라 CO, VOCs 등과같은가스도안정적으로감지할수 있는선택성이우수한가스센서의제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明中，所述基板，所述基板到所述碳纳米管，所述碳纳米管是沉积在形成于基板的真空沉积在吸附基板的金颗粒和吸附在含电极上的金颗粒的真空 （B）在其上吸附有碳纳米管的基板上真空沉积金（Au）薄膜;以及（c） （Au）纳米颗粒沉积在其上通过热处理沉积有二元共沉积的基底而吸附碳纳米管的基底上。 根据本发明，该气体也选择性可以通过使用纳米颗粒和碳纳米管可靠地检测，如金，感测材料可为kkajiui至少1ppm的低浓度气体以高灵敏度检测到，NO，NH，以及CO，VOC的 可以提供制造出色的气体传感器的方法。
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公开(公告)号：KR1020170030871A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020150128330
申请日：2015-09-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , C23C14/34 , C23C14/14 , B82Y15/00
Abstract: 본발명은, 기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브, 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에진공증착된금 나노입자및 상기금 나노입자가진공증착된상기기판상에형성된전극을포함하는가스센서;와 (a) 기판상에탄소나노튜브를흡착시키는단계 (b) 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 박막을진공증착시키는단계및 (c) 상기금(Au) 박막이진공증착된기판을열처리하여상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 나노입자를형성하는단계를포함하는가스센서의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 금나노입자및 탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써최소 1ppm까지의저농도가스도높은감도로감지할수 있으며, NO, NH뿐만아니라 CO, VOCs 등과같은가스도안정적으로감지할수 있는선택성이우수한가스센서및 그제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明中，所述基板，所述基板到所述碳纳米管，所述碳纳米管是沉积在形成于基板的真空沉积在吸附基板的金颗粒和吸附在含电极上的金颗粒的真空 （B）在其上吸附有碳纳米管的基板上真空沉积金（Au）薄膜;以及（c） （Au）纳米颗粒沉积在其上通过热处理沉积有二元共沉积的基底而吸附碳纳米管的基底上。 根据本发明，该气体也选择性可以通过使用纳米颗粒和碳纳米管可靠地检测，如金，感测材料可为kkajiui至少1ppm的低浓度气体以高灵敏度检测到，NO，NH，以及CO，VOC的 可以提供优异的气体传感器及其制造方法。
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公开(公告)号：KR101258681B1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020110056820
申请日：2011-06-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N21/64 , G01N21/31 , G01N33/18 , G01N33/483
Abstract: 본 발명은 수계 환경의 식물성 플랑크톤에 가장 보편적이고 많이 포함된 엽록소-a (chlorophyll-a)의 양을 측정함으로써 식물성 플랑크톤의 농도를 실시간으로 모니터링 할 수 있는 수질 센서에 관한 것이다.
본 발명의 센서는 형광 광도법(fluorometry)과 흡광 광도법(absorption photometry)을 동시에 사용하는 것으로, 수중 식물성 플랑크톤에 포함된 엽록소-a에 의해 흡수되는 빛을 제공하는 발광부; 상기 발광부로부터 제공되는 빛이 통과하는 시료부; 상기 시료부를 통과하면서 식물성 플랑크톤의 엽록소-a에 의해 흡수된 빛의 양을 측정하는 제1센서부; 및 상기 시료부의 식물성 플랑크톤으로부터 방출되는 형광의 양을 측정하는 제2센서부를 포함한다. 상기 발광부로는 식물성 플랑크톤이 흡수할 수 있는 파장대의 광을 방출하는 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED) 또는 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)를 사용하고, 상기 제1 및 제2 센서부는 식물성 플랑크톤이 흡수한 흡광의 양 및 식물성 플랑크톤이 재방출하는 형광(fluorescence)을 감지하는 광 검출기(Photo Detector; PD)를 포함한다.
이러한 센서의 일 실시예로서 460 nm 파장 발광 다이오드를 제1센서부 및 제2센서부에 대한 공통의 발광부로 사용하고, 460 nm 파장(흡광 파장)과 680 nm 파장(형광 파장)의 광 검출기를 각각 제1센서부 및 제2센서부로 사용한다.
본 발명의 센서는 형광 광도법(fluorometry)과 흡광 광도법(absorption photometry)을 동시에 사용함으로써 센서의 정밀도를 높이며, 특히 형광의 양을 측정하는 센서부를 2개의 광 검출기로 구성함으로써 미세신호 측정이 가능하도록 한 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR101200536B1
公开(公告)日：2012-11-13
申请号：KR1020100049185
申请日：2010-05-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N33/487 , G01N35/08 , G01N21/45
CPC classification number: G02B26/10 , G02B2006/1215 , G02B2006/12159
Abstract: Embodiments of adaptively performing clutter filtering are disclosed. In one embodiment, a beam scanning system includes a light source configured to generate a supercontinuum light beam; an optical device configured to receive the supercontinuum light beam for guidance thereof to at least two output ports; and a power supply unit configured to supply voltage to one output port of the at least two output ports to change a phase of the light beam from said one output port.
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公开(公告)号：KR101193986B1
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110094066
申请日：2011-09-19
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A field effect transistor sensor array is provided to simplify maintenance and repair operations by efficiently separating a malfunctioning sensor. CONSTITUTION: An 8 X 8 sensor array(200) is formed on a substrate and has 64 channels. The 8 x 8 sensor array is divided into first to fourth sensor groups(210a-210d). The first to fourth sensor groups include an FET sensor device(F) of a 4 x 4 sensor array type. The FET sensor device is formed by forming a gate electrode and a channel between a source electrode and a drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管传感器阵列，通过有效分离故障传感器来简化维护和维修操作。 构成：在基板上形成8×8传感器阵列（200），并具有64个通道。 8×8传感器阵列被分成第一至第四传感器组（210a-210d）。 第一至第四传感器组包括4×4传感器阵列型的FET传感器装置（F）。 FET传感器装置通过在源极和漏极之间形成栅电极和沟道而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101128474B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020100031759
申请日：2010-04-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 측면 방출형 증발원, 그 제작방법 및 증발기에 관한 것이다.
진공속에서 도가니를 가열하여, 도가니에서 방출되는 재료를 기판에 증착하는 방법을 사용하는 증발시스템에서, 도가니와 발열부로 구성되고 도가니의 측면에 형성된 방출구를 갖는 증발원, 그 증발원의 제작방법 및 증발기에 관한 것이다.
본 발명에서는 증발장치용 PBN 도가니와, 상기 도가니의 외부표면에 증착되어 가열에 적합하게 패터닝된 발열부와, 상기 도가니의 측면에 형성된 방출구와, 상기 도가니의 상부를 덮는 PBN 뚜껑과, 상기 뚜껑의 외부표면에 증착되어 가열에 적합하게 패터닝된 발열부를 포함하는 증발원, 그 제작 방법 및 증발기가 제시된다.-
公开(公告)号：KR1020110112584A
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：KR1020100031759
申请日：2010-04-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/28 , C23C14/243
Abstract: 본 발명은 측면 방출형 증발원, 그 제작방법 및 증발기에 관한 것이다.
진공속에서 도가니를 가열하여, 도가니에서 방출되는 재료를 기판에 증착하는 방법을 사용하는 증발시스템에서, 도가니와 발열부로 구성되고 도가니의 측면에 형성된 방출구를 갖는 증발원, 그 증발원의 제작방법 및 증발기에 관한 것이다.
본 발명에서는 증발장치용 PBN 도가니와, 상기 도가니의 외부표면에 증착되어 가열에 적합하게 패터닝된 발열부와, 상기 도가니의 측면에 형성된 방출구와, 상기 도가니의 상부를 덮는 PBN 뚜껑과, 상기 뚜껑의 외부표면에 증착되어 가열에 적합하게 패터닝된 발열부를 포함하는 증발원, 그 제작 방법 및 증발기가 제시된다.-
公开(公告)号：KR101666080B1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：KR1020140193371
申请日：2014-12-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/06
Abstract: 본발명은, (a) 기판상에탄소나노튜브입자를흡착하는단계, (b) 탄소나노튜브입자가흡착된상기기판상에채널을형성하는단계, (c) 상기채널상에금속막을증착하는단계, (d) 상기금속막이외부분의탄소나토튜브입자를에칭하여제거하는단계, (e) 상기채널양쪽에전극을형성하는단계, (f) 상기채널상에증착된금속막을에칭하여제거하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160000066A
公开(公告)日：2016-01-04
申请号：KR1020140076615
申请日：2014-06-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은플러그인센서모듈의특성저장기록장치에관한것으로, 보다상세하게는실내공기질센서플랫폼에새로운플러그인센서모듈을장착하면, 자동으로장착된플러그인센서모듈의정보를읽어자동으로인식하고, 가스측정을위한기본데이터가설정되도록플러그인센서모듈의메모리부에미리가스센서의특성정보를저장기록한다.
Abstract translation: 本发明是插入式传感器模块的特征存储和记录装置，更具体地说，涉及一种插入式传感器模块的特征存储和记录装置，其读取并自动识别关于自动安装的插件的信息 传感器模块，当将新的插入式传感器模块安装在室内空气质量传感器平台上时，预先在气体传感器的存储单元中将特征信息存储在气体传感器上并配置用于气体测量的基本数据。
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公开(公告)号：KR1020150030827A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：KR1020130109873
申请日：2013-09-12
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01N27/127 , B82B3/0038 , G01N27/4146
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서에 관한 것이다. 본 발명은 기판의 표면을 개질하는 단계(표면처리 단계), 표면 개질된 기판을 열처리하는 단계(베이킹 단계) 및 열처리된 기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계(흡착 단계)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 탄소나노튜브와 기판 사이의 결합력이 향상되기 때문에 반복적으로 사용하더라도 센서의 성능이 열화되지 않아 수명이 길고 안정성이 높다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造碳纳米管传感器的方法及其制造的碳纳米管传感器。 制造碳纳米管传感器的方法包括：改变基材表面的步骤（表面处理步骤）; 对表面改性基材进行热处理的步骤（烧成工序）; 以及在热处理基板上吸附碳纳米管的步骤（吸附工序）。 本发明具有高稳定性和长使用寿命的效果，即使通过改善碳纳米管和基板之间的结合力重复使用传感器，传感器的性能也不会降低。
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