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公开(公告)号：WO2016072557A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/KR2015/000196
申请日：2015-01-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/02 , G01N27/26 , H01L21/336
Abstract: 본 발명은, (a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, (b) 절연막 상에 복수개의 전극들을 형성하는 단계, (c) 절연막 상에 OTS막을 형성하는 단계, 및 (d) 전극들에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种碳纳米管传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）在基板上形成绝缘膜; （b）在绝缘膜上形成多个电极; （c）在绝缘膜上形成OTS膜; 和（d）在电极上吸附碳纳米管颗粒。
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公开(公告)号：KR101644981B1
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：KR1020140153384
申请日：2014-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/02 , G01N27/26 , G01N27/414 , G01N27/327 , H01L21/02
CPC classification number: G01N27/4146
Abstract: 본발명은, (a) 기판상에절연막을형성하는단계, (b) 절연막상에탄소나노튜브입자를흡착하는단계, (c) 탄소나노튜브가흡착된절연막상의일정영역에전극들을형성하는단계, (d) 전극들을포토레지스트로코팅하는단계, (e) 절연막을식각하여전극들사이의탄소나노튜브가공중에부양되도록하는단계, (f) 전극들에코팅된포토레지스트를제거하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160080674A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140193372
申请日：2014-12-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/06 , H01L21/027
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L21/0273 , H01L2924/13061
Abstract: 본발명은, a) 기판상에절연막을형성하는단계; (b) 상기절연막상의탄소나노튜브흡착영역에격자또는스트라이프형태의포토레지스트패턴을형성하는단계; (c) 상기포토레지스트패턴을따라상기절연막을식각(etching)하는단계; (d) 상기절연막이식각된기판에탄소나노튜브입자를흡착하는단계; (e) 상기탄소나노튜브가흡착된기판표면의포토레지스트패턴을제거하는단계; 및 (f) 상기포토레지스트패턴이제거된상기절연막상에전극을형성하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법및 이에의하여제조된탄소나노튜브센서에관한것이다.
Abstract translation: 碳纳米管传感器的制造方法技术领域本发明涉及一种碳纳米管传感器的制造方法以及由此制造的碳纳米管传感器。碳纳米管传感器的制造方法包括以下步骤：（a）在基板上形成绝缘膜; （b）在绝缘膜的碳纳米管吸附区域中形成格子状或条状的光致抗蚀剂图案; （c）根据光致抗蚀剂图案蚀刻绝缘膜; （d）在蚀刻绝缘膜的基板上吸附碳纳米管粒子; （e）除去吸附有碳纳米管的基板表面的光致抗蚀剂图案; 和（f）在除去光致抗蚀剂图案的绝缘膜上形成电极。 本发明的目的是提供一种制造碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的方法，该碳纳米管传感器能够沿固定方向排列碳纳米管。
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公开(公告)号：KR101750010B1
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020150128330
申请日：2015-09-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , C23C14/34 , C23C14/14 , B82Y15/00
Abstract: 본발명은, 기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브, 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에진공증착된금 나노입자및 상기금 나노입자가진공증착된상기기판상에형성된전극을포함하는가스센서;와 (a) 기판상에탄소나노튜브를흡착시키는단계 (b) 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 박막을진공증착시키는단계및 (c) 상기금(Au) 박막이진공증착된기판을열처리하여상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 나노입자를형성하는단계를포함하는가스센서의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 금나노입자및 탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써최소 1ppm까지의저농도가스도높은감도로감지할수 있으며, NO, NH뿐만아니라 CO, VOCs 등과같은가스도안정적으로감지할수 있는선택성이우수한가스센서의제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明中，所述基板，所述基板到所述碳纳米管，所述碳纳米管是沉积在形成于基板的真空沉积在吸附基板的金颗粒和吸附在含电极上的金颗粒的真空 （B）在其上吸附有碳纳米管的基板上真空沉积金（Au）薄膜;以及（c） （Au）纳米颗粒沉积在其上通过热处理沉积有二元共沉积的基底而吸附碳纳米管的基底上。 根据本发明，该气体也选择性可以通过使用纳米颗粒和碳纳米管可靠地检测，如金，感测材料可为kkajiui至少1ppm的低浓度气体以高灵敏度检测到，NO，NH，以及CO，VOC的 可以提供制造出色的气体传感器的方法。
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公开(公告)号：KR1020170030871A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020150128330
申请日：2015-09-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , C23C14/34 , C23C14/14 , B82Y15/00
Abstract: 본발명은, 기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브, 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에진공증착된금 나노입자및 상기금 나노입자가진공증착된상기기판상에형성된전극을포함하는가스센서;와 (a) 기판상에탄소나노튜브를흡착시키는단계 (b) 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 박막을진공증착시키는단계및 (c) 상기금(Au) 박막이진공증착된기판을열처리하여상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 나노입자를형성하는단계를포함하는가스센서의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 금나노입자및 탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써최소 1ppm까지의저농도가스도높은감도로감지할수 있으며, NO, NH뿐만아니라 CO, VOCs 등과같은가스도안정적으로감지할수 있는선택성이우수한가스센서및 그제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明中，所述基板，所述基板到所述碳纳米管，所述碳纳米管是沉积在形成于基板的真空沉积在吸附基板的金颗粒和吸附在含电极上的金颗粒的真空 （B）在其上吸附有碳纳米管的基板上真空沉积金（Au）薄膜;以及（c） （Au）纳米颗粒沉积在其上通过热处理沉积有二元共沉积的基底而吸附碳纳米管的基底上。 根据本发明，该气体也选择性可以通过使用纳米颗粒和碳纳米管可靠地检测，如金，感测材料可为kkajiui至少1ppm的低浓度气体以高灵敏度检测到，NO，NH，以及CO，VOC的 可以提供优异的气体传感器及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101646081B1
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020140153385
申请日：2014-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/02 , G01N27/26 , G01N27/414 , G01N27/327 , H01L21/02
Abstract: 본발명은, (a) 기판상에절연막을형성하는단계, (b) 절연막상에복수개의전극들을형성하는단계, (c) 절연막상에 OTS 박막을형성하는단계, 및 (d) 전극들에탄소나노튜브입자를흡착하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101666080B1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：KR1020140193371
申请日：2014-12-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/06
Abstract: 본발명은, (a) 기판상에탄소나노튜브입자를흡착하는단계, (b) 탄소나노튜브입자가흡착된상기기판상에채널을형성하는단계, (c) 상기채널상에금속막을증착하는단계, (d) 상기금속막이외부분의탄소나토튜브입자를에칭하여제거하는단계, (e) 상기채널양쪽에전극을형성하는단계, (f) 상기채널상에증착된금속막을에칭하여제거하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160054171A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140153385
申请日：2014-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/02 , G01N27/26 , G01N27/414 , G01N27/327 , H01L21/02
CPC classification number: G01N27/02 , G01N27/26 , G01N27/00 , G01N27/3278 , G01N27/414 , H01L21/02606
Abstract: 본발명은, (a) 기판상에절연막을형성하는단계, (b) 절연막상에복수개의전극들을형성하는단계, (c) 절연막상에 OTS막을형성하는단계, 및 (d) 전극들에탄소나노튜브입자를흡착하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于制造不使用门控磁滞的碳纳米管传感器的方法，其可以使用经济和简单的方法来提高传感器性能并消除门控滞后。 制造无门限门控碳纳米管传感器的方法包括：（a）在衬底上形成绝缘膜的步骤; （b）在绝缘膜上形成多个电极的步骤; （c）在绝缘膜上形成OTS膜的步骤; 和（d）将碳纳米管颗粒吸附在电极上的步骤。
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公开(公告)号：KR101759274B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020160043583
申请日：2016-04-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/12 , G01N27/333 , G01N27/22
CPC classification number: G01N27/12 , G01N27/333 , G01N2027/222 , Y10S977/742
Abstract: 본발명은기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브및 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에형성된전극을포함하며, 상기탄소나노튜브의표면에검출대상가스분자가통과할수 있는크기의홀(hole)이적어도하나이상형성되어있는탄소나노튜브기반의고감도가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 열처리공정만으로시판중인탄소나노튜브의표면에홀을형성하고, 이를감지물질로이용함으로써가스센서의반응도및 회복율을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101709626B1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150117449
申请日：2015-08-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , G01N27/12 , G01N33/497 , C07F7/02 , C07F7/10
Abstract: 본발명은기판상에적어도하나의가스감지영역을포함하는가스센서로서, 상기가스감지영역이아미노화합물및 탄소나노튜브를포함하는것을특징으로하는일산화질소를선택적으로감지하는가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 아미노화합물과탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써상온에서동작이가능하고, 저농도 NO 가스를높은감도로감지할수 있는가스센서및 그제조방법을제공할수 있다.
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