탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서
    3.
    发明公开
    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서 无效
    制备碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的方法

    公开(公告)号:KR1020160080674A

    公开(公告)日:2016-07-08

    申请号:KR1020140193372

    申请日:2014-12-30

    CPC classification number: H01L29/0669 H01L21/0273 H01L2924/13061

    Abstract: 본발명은, a) 기판상에절연막을형성하는단계; (b) 상기절연막상의탄소나노튜브흡착영역에격자또는스트라이프형태의포토레지스트패턴을형성하는단계; (c) 상기포토레지스트패턴을따라상기절연막을식각(etching)하는단계; (d) 상기절연막이식각된기판에탄소나노튜브입자를흡착하는단계; (e) 상기탄소나노튜브가흡착된기판표면의포토레지스트패턴을제거하는단계; 및 (f) 상기포토레지스트패턴이제거된상기절연막상에전극을형성하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법및 이에의하여제조된탄소나노튜브센서에관한것이다.

    Abstract translation: 碳纳米管传感器的制造方法技术领域本发明涉及一种碳纳米管传感器的制造方法以及由此制造的碳纳米管传感器。碳纳米管传感器的制造方法包括以下步骤:(a)在基板上形成绝缘膜; (b)在绝缘膜的碳纳米管吸附区域中形成格子状或条状的光致抗蚀剂图案; (c)根据光致抗蚀剂图案蚀刻绝缘膜; (d)在蚀刻绝缘膜的基板上吸附碳纳米管粒子; (e)除去吸附有碳纳米管的基板表面的光致抗蚀剂图案; 和(f)在除去光致抗蚀剂图案的绝缘膜上形成电极。 本发明的目的是提供一种制造碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的方法,该碳纳米管传感器能够沿固定方向排列碳纳米管。

    가스센서의 제조방법
    4.
    发明授权
    가스센서의 제조방법 有权
    气体传感器的制造方法

    公开(公告)号:KR101750010B1

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:KR1020150128330

    申请日:2015-09-10

    Abstract: 본발명은, 기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브, 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에진공증착된금 나노입자및 상기금 나노입자가진공증착된상기기판상에형성된전극을포함하는가스센서;와 (a) 기판상에탄소나노튜브를흡착시키는단계 (b) 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 박막을진공증착시키는단계및 (c) 상기금(Au) 박막이진공증착된기판을열처리하여상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 나노입자를형성하는단계를포함하는가스센서의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 금나노입자및 탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써최소 1ppm까지의저농도가스도높은감도로감지할수 있으며, NO, NH뿐만아니라 CO, VOCs 등과같은가스도안정적으로감지할수 있는선택성이우수한가스센서의제조방법을제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明中,所述基板,所述基板到所述碳纳米管,所述碳纳米管是沉积在形成于基板的真空沉积在吸附基板的金颗粒和吸附在含电极上的金颗粒的真空 (B)在其上吸附有碳纳米管的基板上真空沉积金(Au)薄膜;以及(c) (Au)纳米颗粒沉积在其上通过热处理沉积有二元共沉积的基底而吸附碳纳米管的基底上。 根据本发明,该气体也选择性可以通过使用纳米颗粒和碳纳米管可靠地检测,如金,感测材料可为kkajiui至少1ppm的低浓度气体以高灵敏度检测到,NO,NH,以及CO,VOC的 可以提供制造出色的气体传感器的方法。

    가스센서의 제조방법
    5.
    发明公开
    가스센서의 제조방법 有权
    气体传感器的制造方法

    公开(公告)号:KR1020170030871A

    公开(公告)日:2017-03-20

    申请号:KR1020150128330

    申请日:2015-09-10

    Abstract: 본발명은, 기판, 상기기판상에흡착된탄소나노튜브, 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에진공증착된금 나노입자및 상기금 나노입자가진공증착된상기기판상에형성된전극을포함하는가스센서;와 (a) 기판상에탄소나노튜브를흡착시키는단계 (b) 상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 박막을진공증착시키는단계및 (c) 상기금(Au) 박막이진공증착된기판을열처리하여상기탄소나노튜브가흡착된기판상에금(Au) 나노입자를형성하는단계를포함하는가스센서의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 금나노입자및 탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써최소 1ppm까지의저농도가스도높은감도로감지할수 있으며, NO, NH뿐만아니라 CO, VOCs 등과같은가스도안정적으로감지할수 있는선택성이우수한가스센서및 그제조방법을제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明中,所述基板,所述基板到所述碳纳米管,所述碳纳米管是沉积在形成于基板的真空沉积在吸附基板的金颗粒和吸附在含电极上的金颗粒的真空 (B)在其上吸附有碳纳米管的基板上真空沉积金(Au)薄膜;以及(c) (Au)纳米颗粒沉积在其上通过热处理沉积有二元共沉积的基底而吸附碳纳米管的基底上。 根据本发明,该气体也选择性可以通过使用纳米颗粒和碳纳米管可靠地检测,如金,感测材料可为kkajiui至少1ppm的低浓度气体以高灵敏度检测到,NO,NH,以及CO,VOC的 可以提供优异的气体传感器及其制造方法。

    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 탄소나노튜브 센서
    7.
    发明授权
    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 탄소나노튜브 센서 有权
    碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的制造方法

    公开(公告)号:KR101666080B1

    公开(公告)日:2016-10-13

    申请号:KR1020140193371

    申请日:2014-12-30

    Abstract: 본발명은, (a) 기판상에탄소나노튜브입자를흡착하는단계, (b) 탄소나노튜브입자가흡착된상기기판상에채널을형성하는단계, (c) 상기채널상에금속막을증착하는단계, (d) 상기금속막이외부분의탄소나토튜브입자를에칭하여제거하는단계, (e) 상기채널양쪽에전극을형성하는단계, (f) 상기채널상에증착된금속막을에칭하여제거하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.

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