公开(公告)号：KR101041372B1

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：KR1020090112005

申请日：2009-11-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  주성중 ,  홍진기 ,  신상훈 ,  신경호 ,  김태엽 ,  임주영 ,  이진서 ,  이긍원

IPC: H01L27/02

Abstract: 본 발명은 자기논리소자응용을 위해 자기장 제어 눈사태현상을 이용하여 상온 동작하는 InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법에 관한 것이다. 이 발명의 스위칭 소자는, 자기장을 수직 또는 수평 방향으로 인가시, 일 방향에서 대향하는 타 방향으로 제1 Hall 전계를 형성하도록 동작하는 p형 반도체; 및 상기 p형 반도체와 동일한 방향으로 인가된 자기장에 따라 상기 타 방향에서 대향하는 일 방향으로 제2 Hall 전계를 형성하여 상기 제1 Hall 전계를 억제시키도록 형성된 n형 반도체를 포함한다.
InSb, 자기전도, 자기논리소자, Hall 전계, 스위칭

公开(公告)号：KR1020110055116A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020090112005

申请日：2009-11-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송진동 ,  주성중 ,  홍진기 ,  신상훈 ,  신경호 ,  김태엽 ,  임주영 ,  이진서 ,  이긍원

IPC: H01L27/02

Abstract: PURPOSE: An InSb based switching device and a manufacturing method thereof are provided to increase degree of freedom in a design by selecting the direction of magnetic conduction variation according to the variation of a magnetic field and an applied voltage in a single device. CONSTITUTION: A switching device includes a p type semiconductor(65) and an n type semiconductor(64). The p type semiconductor operates to form a first hall electric field in another direction when a magnetic field is vertically or horizontally applied. An n type semiconductor suppresses the first hall electric field by forming a second hall electric field in another direction according to the magnetic filed applied in the same direction as the p type semiconductor.

Abstract translation: 目的：提供一种基于InSb的开关器件及其制造方法，以通过根据单个器件中的磁场和施加电压的变化选择磁导率变化的方向来增加设计中的自由度。 构成：开关器件包括p型半导体（65）和n型半导体（64）。 当磁场垂直或水平施加时，p型半导体工作以在另一个方向上形成第一霍尔电场。 n型半导体根据沿与p型半导体相同的方向施加的磁场，在另一方向形成第二霍尔电场来抑制第一霍尔电场。