Abstract:
본 발명은 측면형 스핀 소자에 관한 것으로, 상기 측면형 스핀 소자는 기판상에 형성되는 전송채널; 상기 전송채널 상에 형성되는 소스; 및 상기 전송채널 상에 형성되는 드레인 자유층, 드레인 중간층, 및 드레인 고정층으로 이루어지며, 상기 소스로부터 주입되고 상기 전송채널에 의해 확산된 스핀전자에 의해 상기 드레인 고정층에 대한 상기 드레인 자유층의 자기 방향이 변경되는 드레인을 포함할 수 있다.
Abstract:
본 발명에 따르면, 구동주파수(A)와 위치식별 코드(B)가 상호 혼합된 주파수의 파형으로 발광구동하는 조명장치(100)의 깜빡거리는 빛을 감지하여 현재 위치정보를 탐지하는 위치정보 탐지시스템에 있어서, 상기 조명장치(100)로부터 발광하는 빛을 감지하는 광센서(210); 각 조명장치(100)의 위치정보 데이터를 저장하고, 상기 광센서(210)로부터 감지된 감지데이터와 기저장된 위치정보 데이터를 비교 분석하여 상기 감지데이터와 대응되는 위치정보 데이터를 독출하며, 독출된 위치정보 데이터를 현재 위치로 판단하여 상기 위치정보 데이터를 표시하기 위한 제어신호를 출력하는 탐지제어부(220); 및 상기 탐지제어부(220)로부터 제어신호를 전달받아 상기 제어신호에 대응되는 현재 위치정보를 외부로 표시하는 표시부(230);를 포함하는 위치정보 탐지시스템을 개시한다.
Abstract:
According to the present invention, a position data detection system disclosed in the present invention detects the current position data by detecting flickering light from a lighting device (100) which emits light having a waveform of a frequency in which a driving frequency (A) and a position identification code (B) are mixed together. The position data search system includes: an optical sensor (210) which senses light emitting from the lighting device (100); a detection control unit (220) which stores position data of each lighting device (100), compares and analyzes data sensed by the optical sensor (210) and pre-stored position data, reads position data corresponding to the sensed data, determines the read position data as the current position, and outputs a control signal to display the position data; and a display unit (230) which receives the control signal from the detection control unit (221) and displays the current position corresponding to the control signal to the outside. [Reference numerals] (100) Lighting device; (110) Light source; (120) Light emission control unit; (AA) Input power; (BB) Driving power
Abstract:
The present invention is a manufacturing method including a step of forming a first AlSb layer on a Si substrate and a compound semiconductor layer on the first AlSb layer. A compound semiconductor substrate is manufactured by using various lattice mismatch removal layers such as various kinds of AaGa sacrificial layer, AlSb/AlGaSb SPS, etc. The compound semiconductor substrate may be a GaSb layer.
Abstract:
수중에서 외부 장치와 광통신을 수행하는 수중 통신 장치에 있어서, 외부 장치로 송신할 제 1 데이터를 제 1 전류로 변조하는 전류 제어부; 및 변조된 제 1 전류에 대응하는 450 내지 500nm의 파장의 광을 외부 장치로 송신하는 광 송신부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 수중 통신 장치가 개시된다.
Abstract:
PURPOSE: A probe-type light-emitting diode (LED) chip module for bio-stimulation and a manufacturing method thereof are provided to be produced in a small size by using an LED and stimulate a nerve without limiting biological activity, thereby providing an optical stimulator with excellent mobility and usability. CONSTITUTION: A probe-type LED chip module for bio-stimulation includes the following parts: an LED chip (10); a substrate (30) supporting the LED chip; an optical waveguide (50) collecting light emitted from the LED chip; and an insulation part (70) combining the substrate and the optical waveguide and insulating them from the outside. A manufacturing method of the probe-type LED chip module for bio-stimulation includes the following steps: a step of forming a cylindrical intermediate base material by extending an optical fiber base material which has a higher refractive index at the center than at the periphery; a step of forming an optical waveguide by extending the intermediate base material in a heated and unheated state; a step of combining the optical waveguide and the substrate where the LED chip is mounted; and a step of sealing the substrate and the optical waveguide with a light-absorbing insulator.
Abstract:
본 발명은 자기논리소자응용을 위해 자기장 제어 눈사태현상을 이용하여 상온 동작하는 InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법에 관한 것이다. 이 발명의 스위칭 소자는, 자기장을 수직 또는 수평 방향으로 인가시, 일 방향에서 대향하는 타 방향으로 제1 Hall 전계를 형성하도록 동작하는 p형 반도체; 및 상기 p형 반도체와 동일한 방향으로 인가된 자기장에 따라 상기 타 방향에서 대향하는 일 방향으로 제2 Hall 전계를 형성하여 상기 제1 Hall 전계를 억제시키도록 형성된 n형 반도체를 포함한다. InSb, 자기전도, 자기논리소자, Hall 전계, 스위칭
Abstract:
본 발명은 강자성체로부터 반도체로의 스핀 주입 효율이 높은 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 내부에 채널층이 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층으로 스핀분극된 전자를 주입하는 강자성체 소스; 상기 소스로부터 이격되어 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 검출하기 위한 강자성체 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 및 상기 강자성체 소스/드레인과 상기 반도체 기판 사이에 형성된 방향의 결정성을 갖는 MgO 터널링막 또는 유기터널링막;을 포함한다. 스핀 트랜지스터
Abstract:
본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다.