스핀토크를 이용한 측면형 스핀 소자
    1.
    发明授权
    스핀토크를 이용한 측면형 스핀 소자 有权
    使用自旋扭矩的横向旋转装置

    公开(公告)号:KR101417956B1

    公开(公告)日:2014-08-14

    申请号:KR1020120140275

    申请日:2012-12-05

    Abstract: 본 발명은 측면형 스핀 소자에 관한 것으로, 상기 측면형 스핀 소자는 기판상에 형성되는 전송채널; 상기 전송채널 상에 형성되는 소스; 및 상기 전송채널 상에 형성되는 드레인 자유층, 드레인 중간층, 및 드레인 고정층으로 이루어지며, 상기 소스로부터 주입되고 상기 전송채널에 의해 확산된 스핀전자에 의해 상기 드레인 고정층에 대한 상기 드레인 자유층의 자기 방향이 변경되는 드레인을 포함할 수 있다.

    위치정보제공 기능이 구비된 조명장치와, 이 조명장치를 이용한 위치정보 탐지시스템 및 위치정보 탐지방법
    2.
    发明授权
    위치정보제공 기능이 구비된 조명장치와, 이 조명장치를 이용한 위치정보 탐지시스템 및 위치정보 탐지방법 有权
    具有位置信息提供功能的照明设备和位置信息检测系统及方法

    公开(公告)号:KR101388507B1

    公开(公告)日:2014-04-24

    申请号:KR1020120097611

    申请日:2012-09-04

    Inventor: 연규혁 송진동

    Abstract: 본 발명에 따르면, 구동주파수(A)와 위치식별 코드(B)가 상호 혼합된 주파수의 파형으로 발광구동하는 조명장치(100)의 깜빡거리는 빛을 감지하여 현재 위치정보를 탐지하는 위치정보 탐지시스템에 있어서, 상기 조명장치(100)로부터 발광하는 빛을 감지하는 광센서(210); 각 조명장치(100)의 위치정보 데이터를 저장하고, 상기 광센서(210)로부터 감지된 감지데이터와 기저장된 위치정보 데이터를 비교 분석하여 상기 감지데이터와 대응되는 위치정보 데이터를 독출하며, 독출된 위치정보 데이터를 현재 위치로 판단하여 상기 위치정보 데이터를 표시하기 위한 제어신호를 출력하는 탐지제어부(220); 및 상기 탐지제어부(220)로부터 제어신호를 전달받아 상기 제어신호에 대응되는 현재 위치정보를 외부로 표시하는 표시부(230);를 포함하는 위치정보 탐지시스템을 개시한다.

    위치정보제공 기능이 구비된 조명장치와, 이 조명장치를 이용한 위치정보 탐지시스템 및 위치정보 탐지방법
    3.
    发明公开
    위치정보제공 기능이 구비된 조명장치와, 이 조명장치를 이용한 위치정보 탐지시스템 및 위치정보 탐지방법 有权
    具有提供功能的位置信息的照明设备和位置信息检测系统和方法

    公开(公告)号:KR1020140031539A

    公开(公告)日:2014-03-13

    申请号:KR1020120097611

    申请日:2012-09-04

    Inventor: 연규혁 송진동

    Abstract: According to the present invention, a position data detection system disclosed in the present invention detects the current position data by detecting flickering light from a lighting device (100) which emits light having a waveform of a frequency in which a driving frequency (A) and a position identification code (B) are mixed together. The position data search system includes: an optical sensor (210) which senses light emitting from the lighting device (100); a detection control unit (220) which stores position data of each lighting device (100), compares and analyzes data sensed by the optical sensor (210) and pre-stored position data, reads position data corresponding to the sensed data, determines the read position data as the current position, and outputs a control signal to display the position data; and a display unit (230) which receives the control signal from the detection control unit (221) and displays the current position corresponding to the control signal to the outside. [Reference numerals] (100) Lighting device; (110) Light source; (120) Light emission control unit; (AA) Input power; (BB) Driving power

    Abstract translation: 根据本发明,本发明公开的位置数据检测系统通过检测来自照明装置(100)的闪烁光检测当前位置数据,发光装置(100)发出具有频率波形的光,其中驱动频率(A)和 位置识别码(B)混合在一起。 位置数据搜索系统包括:感测从照明装置(100)发射的光的光学传感器(210); 存储每个照明装置(100)的位置数据的检测控制单元(220),比较和分析由光学传感器(210)感测的数据和预先存储的位置数据,读取与感测数据相对应的位置数据,确定读取 位置数据作为当前位置,并且输出控制信号以显示位置数据; 以及从检测控制单元(221)接收控制信号并将对应于控制信号的当前位置显示到外部的显示单元(230)。 (附图标记)(100)照明装置; (110)光源; (120)发光控制单元; (AA)输入功率; (BB)驾驶力

    격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법
    4.
    发明授权
    격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법 有权
    复合半导体衬底使用厚度分层减少层及其制造方法

    公开(公告)号:KR101351987B1

    公开(公告)日:2014-01-17

    申请号:KR1020120118229

    申请日:2012-10-24

    Abstract: The present invention is a manufacturing method including a step of forming a first AlSb layer on a Si substrate and a compound semiconductor layer on the first AlSb layer. A compound semiconductor substrate is manufactured by using various lattice mismatch removal layers such as various kinds of AaGa sacrificial layer, AlSb/AlGaSb SPS, etc. The compound semiconductor substrate may be a GaSb layer.

    Abstract translation: 本发明是一种制造方法,包括在Si衬底上形成第一AlSb层和在第一AlSb层上形成化合物半导体层的步骤。 通过使用各种AaGa牺牲层,AlSb / AlGaSb SPS等的各种晶格失配去除层来制造化合物半导体衬底。化合物半导体衬底可以是GaSb层。

    수중 통신 장치 및 방법
    5.
    发明授权
    수중 통신 장치 및 방법 有权
    水下通信装置和方法

    公开(公告)号:KR101296744B1

    公开(公告)日:2013-08-20

    申请号:KR1020120005832

    申请日:2012-01-18

    CPC classification number: H04B10/80 H04B13/02

    Abstract: 수중에서 외부 장치와 광통신을 수행하는 수중 통신 장치에 있어서, 외부 장치로 송신할 제 1 데이터를 제 1 전류로 변조하는 전류 제어부; 및 변조된 제 1 전류에 대응하는 450 내지 500nm의 파장의 광을 외부 장치로 송신하는 광 송신부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 수중 통신 장치가 개시된다.

    생체 자극용 탐침형 발광다이오드 칩 모듈 및 그 제조방법
    6.
    发明公开
    생체 자극용 탐침형 발광다이오드 칩 모듈 및 그 제조방법 有权
    用于生物刺激的光学探针LED芯片模块及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130078956A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:KR1020120000141

    申请日:2012-01-02

    Abstract: PURPOSE: A probe-type light-emitting diode (LED) chip module for bio-stimulation and a manufacturing method thereof are provided to be produced in a small size by using an LED and stimulate a nerve without limiting biological activity, thereby providing an optical stimulator with excellent mobility and usability. CONSTITUTION: A probe-type LED chip module for bio-stimulation includes the following parts: an LED chip (10); a substrate (30) supporting the LED chip; an optical waveguide (50) collecting light emitted from the LED chip; and an insulation part (70) combining the substrate and the optical waveguide and insulating them from the outside. A manufacturing method of the probe-type LED chip module for bio-stimulation includes the following steps: a step of forming a cylindrical intermediate base material by extending an optical fiber base material which has a higher refractive index at the center than at the periphery; a step of forming an optical waveguide by extending the intermediate base material in a heated and unheated state; a step of combining the optical waveguide and the substrate where the LED chip is mounted; and a step of sealing the substrate and the optical waveguide with a light-absorbing insulator.

    Abstract translation: 目的:提供用于生物刺激的探针型发光二极管(LED)芯片模块及其制造方法,其通过使用LED并且不限制生物活性而刺激神经而以小尺寸产生,从而提供光学 刺激器具有出色的移动性和可用性。 构成:用于生物刺激的探针型LED芯片模块包括以下部件:LED芯片(10); 支撑所述LED芯片的基板(30) 收集从所述LED芯片发射的光的光波导(50); 以及组合基板和光波导并将它们与外部绝缘的绝缘部分(70)。 用于生物刺激的探针型LED芯片模块的制造方法包括以下步骤:通过使在中心处的折射率高于周边的光纤基材延伸而形成圆筒状的中间基材的工序; 通过使中间基材在加热和未加热状态下延伸来形成光波导的步骤; 组合光波导和安装LED芯片的基板的步骤; 以及利用吸光绝缘体密封基板和光波导的步骤。

    InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법
    7.
    发明授权
    InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법 有权
    基于InSb的切换装置及其形成方法

    公开(公告)号:KR101041372B1

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:KR1020090112005

    申请日:2009-11-19

    Abstract: 본 발명은 자기논리소자응용을 위해 자기장 제어 눈사태현상을 이용하여 상온 동작하는 InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법에 관한 것이다. 이 발명의 스위칭 소자는, 자기장을 수직 또는 수평 방향으로 인가시, 일 방향에서 대향하는 타 방향으로 제1 Hall 전계를 형성하도록 동작하는 p형 반도체; 및 상기 p형 반도체와 동일한 방향으로 인가된 자기장에 따라 상기 타 방향에서 대향하는 일 방향으로 제2 Hall 전계를 형성하여 상기 제1 Hall 전계를 억제시키도록 형성된 n형 반도체를 포함한다.
    InSb, 자기전도, 자기논리소자, Hall 전계, 스위칭

    개선된 스핀 주입 효율을 갖는 스핀 트랜지스터
    8.
    发明授权
    개선된 스핀 주입 효율을 갖는 스핀 트랜지스터 失效
    具有增强旋转注射效率的旋转晶体管

    公开(公告)号:KR101009726B1

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:KR1020080087586

    申请日:2008-09-05

    Abstract: 본 발명은 강자성체로부터 반도체로의 스핀 주입 효율이 높은 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 내부에 채널층이 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층으로 스핀분극된 전자를 주입하는 강자성체 소스; 상기 소스로부터 이격되어 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 검출하기 위한 강자성체 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 및 상기 강자성체 소스/드레인과 상기 반도체 기판 사이에 형성된 방향의 결정성을 갖는 MgO 터널링막 또는 유기터널링막;을 포함한다.
    스핀 트랜지스터

    원자층 성장법을 이용한 반도체 양자점 성장 방법
    9.
    发明授权
    원자층 성장법을 이용한 반도체 양자점 성장 방법 有权
    使用原子层外延生长量子的方法

    公开(公告)号:KR100508850B1

    公开(公告)日:2005-08-18

    申请号:KR1020030074986

    申请日:2003-10-27

    Abstract: 본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다.

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