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公开(公告)号：KR1020140080757A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120147963
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1695 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03K19/017581 , H03K19/16 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: Provided is a non-volatile configurable logic device which performs a logic operation and a memory function and is controlled by a magnetic field at the same time. A reconfigurable logic device includes i) one or more semiconductor devices, and ii) a pair of magnetic control devices which is separated from the semiconductor device at both sides of the semiconductor device and generates a magnetic leakage field to control the semiconductor device. The semiconductor device includes i) a first semiconductor layer and ii) a second semiconductor layer which is located on the first semiconductor layer. One of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is a p-type. The other is an n-type.
Abstract translation: 提供了一种非易失性可配置逻辑器件，其执行逻辑操作和存储功能，并且同时由磁场控制。 可重构逻辑器件包括i）一个或多个半导体器件，以及ii）一对磁性控制器件，其在半导体器件的两侧与半导体器件分离，并产生磁场以控制半导体器件。 半导体器件包括i）第一半导体层，以及ii）位于第一半导体层上的第二半导体层。 第一半导体层和第二半导体层中的一个是p型。 另一个是n型。
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公开(公告)号：KR100852184B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020080051226
申请日：2008-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명의 반도체-자성물질 융합 소자는 반도체(InAs) 2차원 전자 위에 마이크로자석(Co)이 증착되고, 마이크로자석에서 나오는 stray field를 이용한 음·양 자기장 영역의 접합 구조를 갖는 소자이다. 이러한 반도체-자성물질 융합 소자에서 측정된 자기저항은 비대칭적인 홀 저항 모양을 하고 있고, 자기저항 변화가 매우 크다. 측정 데이터는 diffusive 모델과 ballistic 모델에 의해 계산된 결과와 잘 일치한다.
Abstract translation: 本发明的半导体 - 磁性材料熔合装置是使用源自沉积在半导体（InAs）二维电子上的微磁（Co）的杂散场的负磁区区域的结结构的装置。 在这种半导体 - 磁性材料熔合装置中测量的磁阻具有不对称的霍尔电阻形状，并且磁阻变化非常大。 测量数据与扩散模型和弹道模型计算的结果非常吻合。
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公开(公告)号：KR101041372B1
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090112005
申请日：2009-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: 본 발명은 자기논리소자응용을 위해 자기장 제어 눈사태현상을 이용하여 상온 동작하는 InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법에 관한 것이다. 이 발명의 스위칭 소자는, 자기장을 수직 또는 수평 방향으로 인가시, 일 방향에서 대향하는 타 방향으로 제1 Hall 전계를 형성하도록 동작하는 p형 반도체; 및 상기 p형 반도체와 동일한 방향으로 인가된 자기장에 따라 상기 타 방향에서 대향하는 일 방향으로 제2 Hall 전계를 형성하여 상기 제1 Hall 전계를 억제시키도록 형성된 n형 반도체를 포함한다.
InSb, 자기전도, 자기논리소자, Hall 전계, 스위칭-
公开(公告)号：KR1020170128934A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：KR1020160059643
申请日：2016-05-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: A61N5/06
CPC classification number: A61N5/062 , A61B8/48 , A61K41/0057 , A61N5/0601 , A61N2005/061 , A61N2005/0626 , A61N2005/0645 , A61N2005/0654 , A61N2005/0663
Abstract: 광유전학을이용한배뇨기능에관련된근육을조절하여배뇨를제어하기위한배뇨제어시스템은, 방광근과요도괄약근에제1 광을가하면세포막전위의변화를유도하여근육을수축시키는제1 광유전자와제2 광을가하면세포막전위의변화를유도하여근육을이완시키는제2 광유전자가모두발현되고, 상기제1 광과상기제2 광을선택적으로상기방광근에가하는제1 광원과, 상기제1 광과상기제2 광을선택적으로상기요도괄약근에가하는제2 광원을포함하고, 상기제1 광원과상기제2 광원에의한광 자극에의해상기방광근과상기요도괄약근의수축및 이완이반대로이루어지도록하여배뇨를조절한다.
Abstract translation: 通过控制使用光遗传学用于控制泌尿系统，第一光学基因和第二参与排尿功能的肌肉排尿控制当第一光落在banggwanggeun尿道括约肌收缩肌肉以诱导细胞膜电位的变化 第一光源，通过诱导细胞膜电位的变化并减轻放松肌肉的第二光学基因而选择性地将第一光和第二光发射到膀胱根部， 由第一光源和要发生的收缩和banggwanggeun的松弛和在另一方面尿道括约肌，以及可选地，这是在尿道括约肌的第二光源的第二光源，所述第二光的汉王磁极 控制排尿。
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公开(公告)号：KR1020110055116A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090112005
申请日：2009-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: PURPOSE: An InSb based switching device and a manufacturing method thereof are provided to increase degree of freedom in a design by selecting the direction of magnetic conduction variation according to the variation of a magnetic field and an applied voltage in a single device. CONSTITUTION: A switching device includes a p type semiconductor(65) and an n type semiconductor(64). The p type semiconductor operates to form a first hall electric field in another direction when a magnetic field is vertically or horizontally applied. An n type semiconductor suppresses the first hall electric field by forming a second hall electric field in another direction according to the magnetic filed applied in the same direction as the p type semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供一种基于InSb的开关器件及其制造方法，以通过根据单个器件中的磁场和施加电压的变化选择磁导率变化的方向来增加设计中的自由度。 构成：开关器件包括p型半导体（65）和n型半导体（64）。 当磁场垂直或水平施加时，p型半导体工作以在另一个方向上形成第一霍尔电场。 n型半导体根据沿与p型半导体相同的方向施加的磁场，在另一方向形成第二霍尔电场来抑制第一霍尔电场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101438773B1
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020120147963
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1695 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03K19/017581 , H03K19/16
Abstract: 논리 연산과 메모리 기능을 함께 수행하면서 자기장으로 제어되는 비휘발성 가변형 논리 소자를 제공한다. 가변형 논리 소자는 i) 하나 이상의 반도체 소자, 및 ii) 반도체 소자의 양측에 반도체 소자와 이격되어 위치하고, 누설 자기장을 발생시켜 반도체 소자를 제어하도록 적용된 한 쌍의 자기장 제어 소자들을 포함한다. 반도체 소자는, i) 제1 반도체층, 및 ii) 제1 반도체층 위에 위치하는 제2 반도체층을 포함한다. 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 어느 한 반도체층은 p형이고, 다른 한 반도체층은 n형이다.
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公开(公告)号：KR100852183B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020080051228
申请日：2008-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명의 반도체-자성물질 융합 소자는 반도체(InAs) 2차원 전자 위에 마이크로자석(Co)이 증착되고, 마이크로자석에서 나오는 stray field를 이용한 음·양 자기장 영역의 접합 구조를 갖는 소자이다. 이러한 반도체-자성물질 융합 소자에서 측정된 자기저항은 비대칭적인 홀 저항 모양을 하고 있고, 자기저항 변화가 매우 크다. 측정 데이터는 diffusive 모델과 ballistic 모델에 의해 계산된 결과와 잘 일치한다.
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公开(公告)号：KR100852182B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020060079567
申请日：2006-08-22
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L43/06 , G01R33/07 , G01R33/095 , H01L43/065 , H01L43/08
Abstract: 본 발명의 반도체-자성물질 융합 소자는 반도체(InAs) 2차원 전자 위에 마이크로자석(Co)이 증착되고, 마이크로자석에서 나오는 stray field를 이용한 음·양 자기장 영역의 접합 구조를 갖는 소자이다. 이러한 반도체-자성물질 융합 소자에서 측정된 자기저항은 비대칭적인 홀 저항 모양을 하고 있고, 자기저항 변화가 매우 크다. 측정 데이터는 diffusive 모델과 ballistic 모델에 의해 계산된 결과와 잘 일치한다.
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公开(公告)号：KR1020080063734A
公开(公告)日：2008-07-07
申请号：KR1020080051228
申请日：2008-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A hybrid semiconductor-ferromagnet device having a positive and negative junction structure of magnetic-field regions is provided to increase the application field of a device by locating a voltage measurement terminal in positive and negative magnetic-field regions. A semiconductor 2DEG(2-Dimensional Electron Gas) has a channel on which a current flows. A micromagnet is arranged on the semiconductor 2DEG to be intersected with the channel. When applying external magnetic-field, two magnetic barriers having different signs in the channel below the micromagnet are formed and then the junction structure of a positive and a negative magnetic-field region is formed. A negative voltage terminal is connected to a negative region of the magnetic-field. A positive voltage terminal is connected to a positive region of the magnetic-field. The negative and positive voltage terminals are integrated with the channel.
Abstract translation: 提供具有磁场区域的正和负结结构的混合半导体 - 铁磁体装置，通过将电压测量端子定位在正和负磁场区域中来增加装置的应用领域。 半导体2DEG（二维电子气体）具有电流流过的通道。 微电极布置在半导体2DEG上以与沟道相交。 当施加外部磁场时，形成在微电子下面的通道中具有不同符号的两个磁屏障，然后形成正磁场区域和负磁场区域的结结构。 负电压端子连接到磁场的负区域。 正电压端子连接到磁场的正区域。 负极和正极端子与通道集成。
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公开(公告)号：KR1020080063733A
公开(公告)日：2008-07-07
申请号：KR1020080051226
申请日：2008-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A hybrid semiconductor-ferromagnet device having a positive and negative junction structure of magnetic-field regions is provided to improve the performance by using a semiconductor 2DEG(2-Dimensional Electron Gas). A semiconductor 2DEG has a channel on which a current flows, and a plurality of voltage terminals being vertically connected to a lateral side of the channel. A micromagnet is alternatively located on a channel region between adjacent two voltage terminals among the voltage terminals. The adjacent two voltage terminals among the voltage terminals are formed on positions corresponding to minimum and maximum heights of two magnetic barriers having different signs that are formed in the channel according to the applying of external magnetic-field. An insulating layer is interposed between the micromagnet and the semiconductor 2DEG. The semiconductor 2DEG is made of InAs or HgCdTe.
Abstract translation: 提供具有磁场区域的正和负结结构的混合半导体 - 铁磁体器件，以通过使用半导体2DEG（二维电子气体）来提高性能。 半导体2DEG具有电流流过的通道，并且多个电压端子垂直连接到通道的侧面。 电磁体可替代地位于电压端子中相邻的两个电压端子之间的沟道区域上。 电压端子中的相邻的两个电压端子形成在与根据施加外部磁场形成在通道中的具有不同符号的两个磁阻的最小和最大高度相对应的位置上。 绝缘层介于微磁体和半导体2DEG之间。 半导体2DEG由InAs或HgCdTe制成。
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