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公开(公告)号：KR1020110055116A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090112005
申请日：2009-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: PURPOSE: An InSb based switching device and a manufacturing method thereof are provided to increase degree of freedom in a design by selecting the direction of magnetic conduction variation according to the variation of a magnetic field and an applied voltage in a single device. CONSTITUTION: A switching device includes a p type semiconductor(65) and an n type semiconductor(64). The p type semiconductor operates to form a first hall electric field in another direction when a magnetic field is vertically or horizontally applied. An n type semiconductor suppresses the first hall electric field by forming a second hall electric field in another direction according to the magnetic filed applied in the same direction as the p type semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供一种基于InSb的开关器件及其制造方法，以通过根据单个器件中的磁场和施加电压的变化选择磁导率变化的方向来增加设计中的自由度。 构成：开关器件包括p型半导体（65）和n型半导体（64）。 当磁场垂直或水平施加时，p型半导体工作以在另一个方向上形成第一霍尔电场。 n型半导体根据沿与p型半导体相同的方向施加的磁场，在另一方向形成第二霍尔电场来抑制第一霍尔电场。
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公开(公告)号：KR100852184B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020080051226
申请日：2008-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명의 반도체-자성물질 융합 소자는 반도체(InAs) 2차원 전자 위에 마이크로자석(Co)이 증착되고, 마이크로자석에서 나오는 stray field를 이용한 음·양 자기장 영역의 접합 구조를 갖는 소자이다. 이러한 반도체-자성물질 융합 소자에서 측정된 자기저항은 비대칭적인 홀 저항 모양을 하고 있고, 자기저항 변화가 매우 크다. 측정 데이터는 diffusive 모델과 ballistic 모델에 의해 계산된 결과와 잘 일치한다.
Abstract translation: 本发明的半导体 - 磁性材料熔合装置是使用源自沉积在半导体（InAs）二维电子上的微磁（Co）的杂散场的负磁区区域的结结构的装置。 在这种半导体 - 磁性材料熔合装置中测量的磁阻具有不对称的霍尔电阻形状，并且磁阻变化非常大。 测量数据与扩散模型和弹道模型计算的结果非常吻合。
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公开(公告)号：KR100852183B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020080051228
申请日：2008-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명의 반도체-자성물질 융합 소자는 반도체(InAs) 2차원 전자 위에 마이크로자석(Co)이 증착되고, 마이크로자석에서 나오는 stray field를 이용한 음·양 자기장 영역의 접합 구조를 갖는 소자이다. 이러한 반도체-자성물질 융합 소자에서 측정된 자기저항은 비대칭적인 홀 저항 모양을 하고 있고, 자기저항 변화가 매우 크다. 측정 데이터는 diffusive 모델과 ballistic 모델에 의해 계산된 결과와 잘 일치한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100852182B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020060079567
申请日：2006-08-22
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L43/06 , G01R33/07 , G01R33/095 , H01L43/065 , H01L43/08
Abstract: 본 발명의 반도체-자성물질 융합 소자는 반도체(InAs) 2차원 전자 위에 마이크로자석(Co)이 증착되고, 마이크로자석에서 나오는 stray field를 이용한 음·양 자기장 영역의 접합 구조를 갖는 소자이다. 이러한 반도체-자성물질 융합 소자에서 측정된 자기저항은 비대칭적인 홀 저항 모양을 하고 있고, 자기저항 변화가 매우 크다. 측정 데이터는 diffusive 모델과 ballistic 모델에 의해 계산된 결과와 잘 일치한다.
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公开(公告)号：KR1020080063734A
公开(公告)日：2008-07-07
申请号：KR1020080051228
申请日：2008-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A hybrid semiconductor-ferromagnet device having a positive and negative junction structure of magnetic-field regions is provided to increase the application field of a device by locating a voltage measurement terminal in positive and negative magnetic-field regions. A semiconductor 2DEG(2-Dimensional Electron Gas) has a channel on which a current flows. A micromagnet is arranged on the semiconductor 2DEG to be intersected with the channel. When applying external magnetic-field, two magnetic barriers having different signs in the channel below the micromagnet are formed and then the junction structure of a positive and a negative magnetic-field region is formed. A negative voltage terminal is connected to a negative region of the magnetic-field. A positive voltage terminal is connected to a positive region of the magnetic-field. The negative and positive voltage terminals are integrated with the channel.
Abstract translation: 提供具有磁场区域的正和负结结构的混合半导体 - 铁磁体装置，通过将电压测量端子定位在正和负磁场区域中来增加装置的应用领域。 半导体2DEG（二维电子气体）具有电流流过的通道。 微电极布置在半导体2DEG上以与沟道相交。 当施加外部磁场时，形成在微电子下面的通道中具有不同符号的两个磁屏障，然后形成正磁场区域和负磁场区域的结结构。 负电压端子连接到磁场的负区域。 正电压端子连接到磁场的正区域。 负极和正极端子与通道集成。
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公开(公告)号：KR1020080063733A
公开(公告)日：2008-07-07
申请号：KR1020080051226
申请日：2008-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A hybrid semiconductor-ferromagnet device having a positive and negative junction structure of magnetic-field regions is provided to improve the performance by using a semiconductor 2DEG(2-Dimensional Electron Gas). A semiconductor 2DEG has a channel on which a current flows, and a plurality of voltage terminals being vertically connected to a lateral side of the channel. A micromagnet is alternatively located on a channel region between adjacent two voltage terminals among the voltage terminals. The adjacent two voltage terminals among the voltage terminals are formed on positions corresponding to minimum and maximum heights of two magnetic barriers having different signs that are formed in the channel according to the applying of external magnetic-field. An insulating layer is interposed between the micromagnet and the semiconductor 2DEG. The semiconductor 2DEG is made of InAs or HgCdTe.
Abstract translation: 提供具有磁场区域的正和负结结构的混合半导体 - 铁磁体器件，以通过使用半导体2DEG（二维电子气体）来提高性能。 半导体2DEG具有电流流过的通道，并且多个电压端子垂直连接到通道的侧面。 电磁体可替代地位于电压端子中相邻的两个电压端子之间的沟道区域上。 电压端子中的相邻的两个电压端子形成在与根据施加外部磁场形成在通道中的具有不同符号的两个磁阻的最小和最大高度相对应的位置上。 绝缘层介于微磁体和半导体2DEG之间。 半导体2DEG由InAs或HgCdTe制成。
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公开(公告)号：KR1020080017845A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：KR1020060079567
申请日：2006-08-22
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L43/06 , G01R33/07 , G01R33/095 , H01L43/065 , H01L43/08
Abstract: A hybrid semiconductor-ferromagnet device is provided to obtain a junction of two magnetic-field regions by positioning local magnetic field regions with opposite directions near to each other. A hybrid semiconductor-ferromagnet device includes a junction structure of positive and negative magnetic field regions. A semiconductor 2DEG (2-Dimensional Electron Gas) has a channel, through which current flows. Two micromagnets with a predetermined interval on the same plane is positioned on the semiconductor 2DEG. Two magnetic barriers with different signs are formed in the semiconductor 2DEG under the portion, in which the two micromagnets face each other as an external magnetic field is applied. Positive and negative voltage probes are connected to the positive and negative magnetic field regions, respectively, of one side of the channel.
Abstract translation: 提供了一种混合半导体 - 铁磁体装置，通过将具有相反方向的局部磁场区域彼此靠近来获得两个磁场区域的结。 混合半导体 - 铁磁体装置包括正磁场区域和负磁场区域的结结构。 半导体2DEG（2维电子气体）具有电流流动的通道。 在同一平面上具有预定间隔的两个微电磁体位于半导体2DEG上。 在半导体2DEG中，在施加外部磁场的情况下，两个微型磁铁彼此面对的部分形成具有不同符号的两个磁屏障。 正和负电压探头分别连接到通道一侧的正和负磁场区域。
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公开(公告)号：KR101041372B1
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090112005
申请日：2009-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: 본 발명은 자기논리소자응용을 위해 자기장 제어 눈사태현상을 이용하여 상온 동작하는 InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법에 관한 것이다. 이 발명의 스위칭 소자는, 자기장을 수직 또는 수평 방향으로 인가시, 일 방향에서 대향하는 타 방향으로 제1 Hall 전계를 형성하도록 동작하는 p형 반도체; 및 상기 p형 반도체와 동일한 방향으로 인가된 자기장에 따라 상기 타 방향에서 대향하는 일 방향으로 제2 Hall 전계를 형성하여 상기 제1 Hall 전계를 억제시키도록 형성된 n형 반도체를 포함한다.
InSb, 자기전도, 자기논리소자, Hall 전계, 스위칭
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