公开(公告)号：KR1019950001938A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019930011279

申请日：1993-06-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박경현 ,  김선호 ,  변영태 ,  김동환 ,  최상삼

IPC: H01L21/308

Abstract: 본 발명은 레이저 리소그파피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법에 관한 것으로, 종래의 네가티브패턴 제작은 정확한 제어나 좋은 대비를 얻기 위해 AZ5200 포토레지스트 시리즈가 사용된다. 그러나 이는 일반적인 포토레지스트보다 값이 비싸고, 제조공정시 가벼운 열처리과정과 역열처리과정을 거쳐야 하므로 제작과정이 복잡하며 열처리조건이 상당한 영향을 받아 제작에 많은 어려움이 있으며, 0℃에서 보관해야 하므로 보관상에 어려움이 있는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 네가티브 패턴 제작시 사용되는 포토레지스트를 일반적인 포지티브 포토레지스트를 사용할 수 있어 가격이 저렴할 뿐 아니라 역열처리 과정등 까다로운 조건없이도 쉽게 제작할 수 있고, 마스크 제작시간의 단축과 폐곡선 및 특수형태의 마스크 제작에 유용하게 사용할 수 있도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970000700B1

公开(公告)日：1997-01-18

申请号：KR1019930011279

申请日：1993-06-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박경현 ,  김선호 ,  변영태 ,  김동환 ,  최상삼

IPC: H01L21/308

Abstract: Disclosed is negative mask manufacturing method which is essentially used for a semiconductor laser diode and a semiconductor waveguide etc. The negative mask manufacturing method comprises the steps of performing a first light exposure by using a laser lithography after performs spin coating with a photoresist(10) on a substrate coated with crom(Cr), developing after performs a second light exposure and deleting the photoresist(10) whose property is not changed, deleting the remained photoresist(10) after etching the crom in the part which the photoresist(10) is deleted. Thus, the mask manufacturing time is reduced.

Abstract translation: 公开了基本上用于半导体激光二极管和半导体波导等的阴极掩模制造方法。负掩模制造方法包括以下步骤：在用光致抗蚀剂（10）进行旋涂之后通过使用激光光刻进行第一曝光， 在涂覆有crom（Cr）的基板上进行第二次曝光和显影，并且删除其性能没有变化的光致抗蚀剂（10），在蚀刻光刻胶（10）的部分中的crom之后，删除剩余的光致抗蚀剂（10） 被删除。 因此，掩模制造时间减少。

公开(公告)号：KR100073984B1

公开(公告)日：1994-05-26

申请号：KR1019910011402

申请日：1991-07-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박경현 ,  김동환 ,  김선호 ,  최상삼 ,  이규행 ,  변영태

IPC: H01L21/30

公开(公告)号：KR1019930003251A

公开(公告)日：1993-02-24

申请号：KR1019910011402

申请日：1991-07-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박경현 ,  김동환 ,  김선호 ,  최상삼 ,  이규행 ,  변영태

IPC: H01L21/30

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR100114555B1

公开(公告)日：1997-04-22

申请号：KR1019930011279

申请日：1993-06-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박경현 ,  김선호 ,  변영태 ,  김동환 ,  최상삼

IPC: H01L21/308

公开(公告)号：KR1019940001227B1

公开(公告)日：1994-02-17

申请号：KR1019910011402

申请日：1991-07-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박경현 ,  김동환 ,  김선호 ,  최상삼 ,  이규행 ,  변영태

IPC: H01L21/30

Abstract: The focusing method for a laser lithographic device uses the interference pattern. The laser beam from a light source (10) passes a collimater (11) to go to a beam splitter (12), where the laser beam is splitted into two ways, one for a mirror (13) and the other for an object (19) on a reflector (18). The two different passes of the laser beam form the interference pattern on the CCD (15) to be monitored. The focal length adjustable lens are adjusted to have the interference pattern straightened.

Abstract translation: 激光光刻设备的聚焦方法使用干涉图案。 来自光源（10）的激光束通过准直器（11）去到分束器（12），其中激光束被分成两种方式，一个用于反射镜（13），另一个用于物体（ 19）在反射器（18）上。 激光束的两个不同通道在待监测的CCD（15）上形成干涉图案。 调整焦距可调镜头以使干涉图案矫直。