외부자극에 의하여 자가도핑이 가능한 폴리티오펜 스타 폴리머 공중합체, 이의 제조방법, 이를 이용한 전도성 박막 및 그 제조방법
    2.
    发明申请
    외부자극에 의하여 자가도핑이 가능한 폴리티오펜 스타 폴리머 공중합체, 이의 제조방법, 이를 이용한 전도성 박막 및 그 제조방법 审中-公开
    由外部刺激自身掺杂的聚乙烯星形共聚物,其制造方法,使用其的导电薄膜以及用于制造导电薄膜的方法

    公开(公告)号:WO2013157741A1

    公开(公告)日:2013-10-24

    申请号:PCT/KR2013/002112

    申请日:2013-03-15

    Abstract: 본 발명은 폴리티오펜 또는 그 유도체의 말단에 리빙 라디칼 중합이 가능한 관능기가 도입된 폴리티오펜 매크로 개시제를 형성하는 단계; 외부자극에 의해 설폰기, 카르복실기 및 인산기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 도판트를 제공하는 고분자 매크로개시제를 리빙 라디칼 중합을 통하여 형성하는 단계; 상기 폴리티오펜 매크로 개시제에 상기 고분자 매크로개시제 및 1종 이상의 디비닐 단량체를 첨가하여 폴리티오펜 스타 폴리머 공중합체를 중합하는 단계;를 포함하는, 외부자극에 의해 자가도핑이 가능한 폴리티오펜 스타 폴리머 공중합체의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 외부자극에 의해 자가도핑이 가능한 폴리티오펜 스타 폴리머 공중합체는 자기도핑물질로서 전도도를 안정적으로 증가시켜 전도성 박막의 재료로 활용될 수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种能够通过外部刺激自掺杂的聚噻吩星型共聚物的制造方法,其特征在于,包括以下工序:形成通过将活性自由基聚合性官能团引入到聚噻吩的末端或其衍生物中而形成的聚噻吩大分子引发剂 ; 通过活性自由基聚合形成聚合物大分子引发剂,用于通过外部刺激提供至少一种选自磺酸根,羧酸根和磷酸根的掺杂剂; 并加入加入聚合物大分子引发剂的聚噻吩大分子引发剂和至少一种二乙烯基单体以制备聚噻吩星型共聚物。 根据本发明能够通过外部刺激自掺杂的聚噻吩星型共聚物是能够稳定地增加导电性的自掺杂材料,并且可以用作导电膜的材料。

    나노링 구조의 탄소나노튜브와 고분자 물질 기반의 유전체 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR101781836B1

    公开(公告)日:2017-09-28

    申请号:KR1020150163896

    申请日:2015-11-23

    Abstract: 본발명은 PVDF 등의고분자물질을이용하여유전체를제조함에있어서, 고분자물질에분산성이우수한나노링구조의탄소나노튜브를분산시킴으로써분산된나노링구조의탄소나노튜브가전도성필러(conductive pillar) 역할을수행하도록하여유전체의정전용량을증대시킬수 있는나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체제조방법은분산용액에고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브를분산시키는단계; 고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브가분산된분산용액을성형하는단계; 및분산용액을증발시켜고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브로이루어진유전체를제조하는단계를포함하여이루어지며, 상기나노링구조의탄소나노튜브는, 탄소나노튜브가결합용고분자와비공유결합을이루며, 상기결합용고분자는π-공액상고분자, 방향족고분자, 비방향족고분자중 어느하나또는이들의조합인것을특징으로한다.

    나노링 구조의 탄소나노튜브와 고분자 물질 기반의 유전체 및 그 제조방법
    6.
    发明公开
    나노링 구조의 탄소나노튜브와 고분자 물질 기반의 유전체 및 그 제조방법 有权
    纳米环结构碳纳米管和聚合物基电介质及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170059671A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:KR1020150163896

    申请日:2015-11-23

    Abstract: 본발명은 PVDF 등의고분자물질을이용하여유전체를제조함에있어서, 고분자물질에분산성이우수한나노링구조의탄소나노튜브를분산시킴으로써분산된나노링구조의탄소나노튜브가전도성필러(conductive pillar) 역할을수행하도록하여유전체의정전용량을증대시킬수 있는나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체제조방법은분산용액에고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브를분산시키는단계; 고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브가분산된분산용액을성형하는단계; 및분산용액을증발시켜고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브로이루어진유전체를제조하는단계를포함하여이루어지며, 상기나노링구조의탄소나노튜브는, 탄소나노튜브가결합용고분자와비공유결합을이루며, 상기결합용고분자는π-공액상고분자, 방향족고분자, 비방향족고분자중 어느하나또는이들의조합인것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明通过在纳米环结构的碳纳米管分散涉及,纳米环结构分散的碳纳米管导电填料(导电柱)具有优异的分散性的聚合物材料的制造电介质的使用的聚合物材料如聚偏氟乙烯 以用作所述纳米环结构的碳纳米管sikilsu增加系电介质和聚合物材料的电介质的电容,并且,因为它涉及一种用于根据本发明的基于制备碳纳米管的纳米环结构的与聚合物材料 制造电介质的方法包括将聚合物材料和纳米环碳纳米管分散在分散溶液中; 将分散有聚合物材料和纳米环结构的碳纳米管的分散溶液成型; 并蒸发,得到分散溶液制成,包括生产由聚合物材料和碳纳米管的纳米环结构的电介质的步骤,所述纳米环结构的碳纳米管是用于粘合的碳纳米管的聚合物侘共价键 并且偶联聚合物是π-共轭液体聚合物,芳族聚合物和非芳族聚合物中的任何一种,或其组合。

    외부자극에 의하여 자가도핑이 가능한 폴리티오펜 스타 폴리머 공중합체, 이의 제조방법, 이를 이용한 전도성 박막 및 그 제조방법
    7.
    发明公开
    외부자극에 의하여 자가도핑이 가능한 폴리티오펜 스타 폴리머 공중합체, 이의 제조방법, 이를 이용한 전도성 박막 및 그 제조방법 有权
    由外部STIMULI自行掺杂的聚苯乙烯星形共聚物,其制备方法,使用其的导电薄膜和用于制备导电薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020130117237A

    公开(公告)日:2013-10-25

    申请号:KR1020120040216

    申请日:2012-04-18

    Abstract: PURPOSE: A polythiophene star polymer copolymer capable of self doping by external stimulus is provided to steadily increase conductivity as a self-doping material, thereby being used for the material of a conductive thin film. CONSTITUTION: A manufacturing method of a polythiophene star polymer copolymer capable of self doping by external stimulus comprises: a step of forming a polythiophene macro initiator, a functional group capable of the polymerization of living radical is introduced at the terminus of polythiophene or the derivative; a step of forming a polymer macro initiator providing one or more dopants selected from sulfone group, carboxyl group, and phosphate group by external stimulus through living radical polymerization; and a step of polymerizing the polythiophene star polymer copolymer by adding the polymer macro initiator and at least one kind of divinyl monomer to the polythiophene macro initiator.

    Abstract translation: 目的:提供能够通过外部刺激自掺杂的聚噻吩星形聚合物共聚物,以稳定地增加作为自掺杂材料的导电性,由此用于导电薄膜的材料。 构成:能够通过外部刺激自掺杂的聚噻吩星形聚合物共聚物的制造方法包括:形成聚噻吩大分子引发剂的步骤,在聚噻吩或其衍生物的末端引入能够活性自由基聚合的官能团; 通过活性自由基聚合通过外部刺激形成提供一种或多种选自砜基,羧基和磷酸基的掺杂剂的聚合物宏观引发剂的步骤; 以及通过向聚噻吩宏引发剂中加入聚合物大分子引发剂和至少一种二乙烯基单体使聚噻吩星形聚合物共聚物聚合的工序。

    CNT-고분자 복합체 및 이의 제조방법
    8.
    发明授权
    CNT-고분자 복합체 및 이의 제조방법 有权
    一种CNT-聚合物的复合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR101297316B1

    公开(公告)日:2013-08-16

    申请号:KR1020110084176

    申请日:2011-08-23

    Abstract: 본 발명은 고분자 기재 중 고르게 분산된 CNT를 포함하는 CNT-고분자 복합체로서, 상기 CNT는 공액성 고분자 기반 블록 공중합체로 코팅된 것을 특징으로 하는 CNT-고분자 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 CNT-고분자 복합체는 공액성 고분자 기반 블록 공중합체가 코팅된 CNT가 고분자 기재에 효과적으로 분산되어 높은 전기적 특성을 가지므로 고분자 복합체 액츄에이터의 전기역학 특성을 매우 향상시키는 장점이 있다.

    고분자 블렌드 조성물 및 이를 사용한 액츄에이터
    9.
    发明公开
    고분자 블렌드 조성물 및 이를 사용한 액츄에이터 有权
    聚合物混合组合物和使用它的致动器

    公开(公告)号:KR1020120127219A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:KR1020120043322

    申请日:2012-04-25

    CPC classification number: H01L41/193 C08J5/18 C08L27/16 C08L53/00

    Abstract: PURPOSE: A polymer blend composition is provided to have excellent dielectric performance and to obtain a displacement value which is fit for the purpose through a simplified method for controlling blending ratio of a composition. CONSTITUTION: A polymer blend composition comprises 80-99.99 weight% of a dielectric elastomer and 0.01-20 weight% of a block copolymer. The block copolymer comprises a segment comprising the dielectric elastomer and compatibility and of which electroconductivity is 10^(-6) S/cm, and a segment comprising a conjugated double bond and of which electroconductivity is 10^(-6) S/cm. the dielectric elastomer is one or more selected from a polyvinylidene fluoride-based polymer, acrylic polymer, urethane-based polymer, silicon-based polymer and thermoplastic elastomer.

    Abstract translation: 目的:提供聚合物共混组合物以具有优异的介电性能,并且通过用于控制组合物的共混比的简化方法获得适合于目的的位移值。 构成:聚合物共混物组合物包含80-99.99重量%的介电弹性体和0.01-20重量%的嵌段共聚物。 嵌段共聚物包括包含介电弹性体和相容性并且其电导率为10 -4(-6)S / cm的链段,以及包含共轭双键并且导电率为10 -4(-6)S / cm的链段。 介电弹性体是选自聚偏二氟乙烯类聚合物,丙烯酸类聚合物,聚氨酯类聚合物,硅类聚合物和热塑性弹性体中的一种以上。

    양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터와 그 제조방법
    10.
    发明公开
    양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터와 그 제조방법 无效
    量子敏感金属氧化物照相机及其制造工艺

    公开(公告)号:KR1020150072888A

    公开(公告)日:2015-06-30

    申请号:KR1020130160542

    申请日:2013-12-20

    CPC classification number: H01L51/42

    Abstract: 본발명은양자점감응형산화물광감지트랜지스터와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는산화물반도체(IGZO) 박막트랜지스터에리간드치환반응시킨양자점광흡수층을산화물전하수송층으로형성시킴으로서전류점멸비가우수하고집적화가용이한트랜지스터를제조할수 있으며, 부가적인집적화공정없이도트랜지스터센서어레이를용이하게제작할수 있으므로유리또는플라스틱기판에도집적화가용이하여다양한평판디스플레이이미지센서로적용가능한새로운개념의양자점감응형산화물광감지트랜지스터에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种量子点敏化氧化物光敏晶体管及其制造方法,更具体地说,涉及一种新概念的量子点敏化氧化物光敏晶体管,其被应用于各种平板显示图像传感器, 玻璃或塑料基板,通过容易地制造晶体管传感器阵列而不需要额外的集成工艺,并制造能够容易地获得积分并通过形成量子光吸收层获得导通和截止电流比的晶体管,以在IGZO上进行配体交换过程 薄膜晶体管作为氧化物电荷传输层。

Patent Agency Ranking