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公开(公告)号：WO2023008643A1
公开(公告)日：2023-02-02
申请号：PCT/KR2021/013088
申请日：2021-09-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C25B11/055 , C25B11/056 , C25B11/073 , C25B11/031 , C25B1/55
Abstract: 본 발명은 광전기화학 전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 낮은 비용으로 대량으로 만들 수 있는 장점이 있을 뿐만 아니라, 다공성 기재 표면의 전부 또는 일부에 전이금속 디칼코게나이드층을 형성시키는 단계로 제조한 광전기화학 전극은 다공성 기재, 상기 다공성 기재 표면의 전부 또는 일부에 금속 디칼코게나이드층을 포함하여 광전극 특성 및 광촉매 효율을 향상시키는 특징이 있다.
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公开(公告)号：KR101685100B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020150043309
申请日：2015-03-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B21/064 , C01B35/14 , B32B9/00
CPC classification number: C23C16/342 , C01B21/0641 , C01P2002/82 , C01P2004/01 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C23C16/01 , C23C16/0209 , C23C16/56 , C25B1/02
Abstract: 본발명은기재위에복층의육방정계질화불소(hexagonal boron nitride: h-BN) 후막을제조하는방법에대한것으로, 보다구체적으로는 (a) 제 1 기재를가열하는기재가열단계; (b) 가열된상기제 1 기재에 h-BN 전구체를공급하는 h-BN 전구체공급단계; (c) 공급된상기 h-BN 전구체를제 1 기재에용해시키는전구체용해단계: 및 (d) h-BN 전구체가용해된제 1 기재를냉각시키는기재냉각단계;를통하여기재위에복층의 h-BN 후막을형성하는방법과상기제조방법에따라제조되는복층의 h-BN 후막;과상기 h-BN 후막과적층구조를이루는기재를포함하는적층체에대한것이다.
Abstract translation: 的六方晶系氟化本发明的多层（六方氮化硼：H-BN）上用于加热基底基板加热步骤中，更具体地，（a）首先描述为用于制造厚膜的方法; （b）向加热后的第一基板供给h-BN前体的h-BN前体供给工序; 通过在基板上的多层的H-;和（d）的h-BN前体溶解第一冷却步骤，以冷却所述基底基板：（c）该前体溶解在所述第一碱前体溶解步骤提供的h-BN BN厚膜和包含根据上述方法形成的多层h-BN厚膜和具有与h-BN厚膜的层压结构的基板的多层体。
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公开(公告)号：KR101709704B1
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150094375
申请日：2015-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B32B37/025 , B32B38/10 , B32B2037/246 , B32B2313/04 , B32B2457/14 , B82Y40/00 , C01B31/043 , C01B31/0438 , C01B32/182 , C01B32/23 , Y10T156/10 , Y10T428/30
Abstract: 본발명은그래핀, 그래핀옥사이드, h-BN, MoS, WS, MoS, WS, MoSe, WSe탄소나노튜브로구성된군에서선택된 1 종이상을포함하는소재를석유젤리(Petroleum Jelly, 예: 상품명 vaseline)를전사지지체로사용하여유연기판, 전도체, 유전체또는반도체성소재로이루어진군에서선택되는어느하나인제 2 기재에손상없이전사하고, 전사후 석유젤리전사지지체를손쉽게제거하는방법에대한것으로전사지지체인석유젤리는가격이매우저렴하고친환경적이며공기중에서산화가되지않고화학적안정성을가지고있고, 상온에서는고체형태이나녹는점이 37 ℃정도로낮기때문에전사하고자하는소재를전사공정이끝날때까지안정적지지및 산화방지등의부가적기능의수행이가능하다. 뿐만아니라비교적낮은용융온도를가지므로적은에너지를이용하여지지체를녹여서제거가가능하고소수성유기용매에대한용해도도매우크므로용매를사용하는경우에도소재의표면에남지않고깨끗하게제거가가능한장점이있다.
Abstract translation: 本发明的石墨烯，石墨烯氧化物，的h-BN，MOS，WS，MOS，WS，摩西，WSE含有至少一种选自由碳纳米管，凡士林组成的组中选择的材料（凡士林，例如，商品名： 凡士林）转印片到约一个使用从柔性基底，导体，电介质，或由无损坏半导体材料传递的组中选出摄取2衬底上的转印片材构件，和凡士林转印片构件转印后容易地除去 延迟凡士林被稳定地支撑和氧化，直到价格很便宜，环境友好型，并具有没有在空气中被氧化的化学稳定性，在以固体形式或在传输结束的熔点室温步材料由于被转移到下部的程度，37℃ 可以执行其他功能，例如预防。 此外，有可能的优点，而不必离开材料的表面干净地除去，即使相对因为，通过使用可用能量与使用溶解度图少量的除去溶解的支撑的低熔融温度的溶剂为疏水性有机溶剂非常大 。
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公开(公告)号：KR1020160115505A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150043309
申请日：2015-03-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B21/064 , C01B35/14 , B32B9/00
CPC classification number: C23C16/342 , C01B21/0641 , C01P2002/82 , C01P2004/01 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C23C16/01 , C23C16/0209 , C23C16/56 , C25B1/02 , C01B21/064 , B32B9/00 , C01B35/146 , C01P2006/40 , C01P2006/60
Abstract: 본발명은기재위에복층의육방정계질화불소(hexagonal boron nitride: h-BN) 후막을제조하는방법에대한것으로, 보다구체적으로는 (a) 제 1 기재를가열하는기재가열단계; (b) 가열된상기제 1 기재에 h-BN 전구체를공급하는 h-BN 전구체공급단계; (c) 공급된상기 h-BN 전구체를제 1 기재에용해시키는전구체용해단계: 및 (d) h-BN 전구체가용해된제 1 기재를냉각시키는기재냉각단계;를통하여기재위에복층의 h-BN 후막을형성하는방법과상기제조방법에따라제조되는복층의 h-BN 후막;과상기 h-BN 후막과적층구조를이루는기재를포함하는적층체에대한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及在基板上制造多层六方氮化硼（h-BN）厚膜的方法，更具体地说，涉及一种在基板上形成多层h-BN厚膜的方法，该方法包括：（a） （b）将h-BN前体供应到加热的第一基底的h-BN前体供应步骤，（c）将所供应的h-BN前体溶解在第一基底中的前体溶解步骤， 以及（d）将含有溶解的h-BN前体的第一基板冷却的基板冷却工序，以及包含通过制备方法制备的多层h-BN厚膜的层压体和形成具有h- BN厚膜
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公开(公告)号：KR1020170014966A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150109065
申请日：2015-07-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/314 , H01L21/02
Abstract: 기판상에형성된하부전극; 하부전극상에순차적으로형성된하부절연층, 활성층및 상부절연층; 및상부절연층상에형성된상부전극을포함하는메모리소자로서, 활성층은화학기상증착으로성장된이황화몰리브덴(MoS)을포함하고, 하부및 상부절연층은각각화학기상증착으로성장된육방정질화붕소(h-BN)를포함하는것을특징으로하는쌍안정성비휘발성메모리소자가제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170001160A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020150090746
申请日：2015-06-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C09K11/06 , H01L51/50 , H01L21/285 , H01L21/205 , H01L51/56
Abstract: 본발명은이차원전이금속디칼코겐화합물을발광층으로하는발광소자및 그제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는대면적 CVD 방법으로이차원전이금속디칼코겐화합물이고분자절연체의샌드위치구조로적층되어발광특성을발휘하도록이루어진발광소자와그 제조방법에관한것이다.
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7.发明授权기재 위에 대면적, 단결정, 단일층의 h-BN 박막을 형성하는 방법 및 그로부터 제조된 h-BN 박막 적층체 有权h-BN h-BN基板上的大面积单晶单层六方氮化硼薄膜的形成方法和六方氮化硼薄膜层叠体
公开(公告)号：KR101692514B1
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：KR1020150133397
申请日：2015-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 본발명은기재위에단층의육방정계질화붕소(hexagonal boron nitride: h-BN) 박막을제조하는방법에대한것으로보다구체적으로는 (a) 제 1 기재위에제 2 기재를위치시키는기재적층단계; (b) 제 2 기재의용융온도이상으로적층된기재를가열하는적층기재가열단계; 및 (c) 화학기상증착법으로제 2 기재위에 h-BN 박막을형성시키는 h-BN 박막형성단계;를포함하는기재위에단층의 h-BN 박막을형성하는방법과상기제조방법에따라제조되는한 층의 h-BN 박막;과상기 h-BN 박막과적층구조를이루는기재를포함하는적층체에대한것이다.
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公开(公告)号：KR101712003B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020150109065
申请日：2015-07-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/314 , H01L21/02
Abstract: 기판상에형성된하부전극; 하부전극상에순차적으로형성된하부절연층, 활성층및 상부절연층; 및상부절연층상에형성된상부전극을포함하는메모리소자로서, 활성층은화학기상증착으로성장된이황화몰리브덴(MoS)을포함하고, 하부및 상부절연층은각각화학기상증착으로성장된육방정질화붕소(h-BN)를포함하는것을특징으로하는쌍안정성비휘발성메모리소자가제공된다.
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公开(公告)号：KR101703814B1
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150131191
申请日：2015-09-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은결정성장유도체및 용매를이용한 2차원소재박막의두께를조절하는방법에관한것으로, 보다상세하게는결정성장유도체에하나이상의용매를혼합하여코팅층을형성한후 칼코게나이드계및 전이금속전구체를각각투입하여화학기상증착법에의해 2차원소재박막을형성시킴으로써박막의대면적화가가능한동시에단층또는다층구조의박막을형성할수 있으며, 공정이용이하고, 유독가스대신칼코게나이드계전구체를사용함으로써친환경적이며, 이를이용하여트랜지스터의반도체활성층, 고성능의집적회로, 필드이펙트트랜지스터, 수소발생반응(hydrogen evolution reaction)의촉매전극, 리튬이온전지의전극, 센서, 광감지장치, 플렉서블디바이스및 커패시터등의부품에활용가능한결정성장유도체및 용매를이용한 2차원소재박막의두께를조절하는방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101732943B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020150090746
申请日：2015-06-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C09K11/06 , H01L51/50 , H01L21/285 , H01L21/205 , H01L51/56
Abstract: 본발명은이차원전이금속디칼코겐화합물을발광층으로하는발광소자및 그제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는대면적 CVD 방법으로이차원전이금속디칼코겐화합물이고분자절연체의샌드위치구조로적층되어발광특성을발휘하도록이루어진발광소자와그 제조방법에관한것이다.
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