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公开(公告)号:KR20210033319A
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:KR1020190114898A
申请日:2019-09-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/414 , C08L1/02 , C08L27/04 , C08L27/18 , C08L33/12 , C08L63/00 , C08L83/04 , G01N27/12 , G01N27/22 , G01N27/327
CPC classification number: G01N27/4146 , C08L1/02 , C08L27/04 , C08L27/18 , C08L33/12 , C08L63/00 , C08L83/04 , G01N27/127 , G01N27/3278 , G01N2027/222
Abstract: 본 발명의 일 관점에 따르면, 전압의 인가에 따라 발열성을 나타내는 복합소재를 구비하는 가스센서를 제공한다. 상기 복합소재는, 나노카본 소재, 바인더 및 질화붕소나노튜브(Boron nitride nanotube, BNNT)를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号:WO2023008643A1
公开(公告)日:2023-02-02
申请号:PCT/KR2021/013088
申请日:2021-09-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C25B11/055 , C25B11/056 , C25B11/073 , C25B11/031 , C25B1/55
Abstract: 본 발명은 광전기화학 전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 낮은 비용으로 대량으로 만들 수 있는 장점이 있을 뿐만 아니라, 다공성 기재 표면의 전부 또는 일부에 전이금속 디칼코게나이드층을 형성시키는 단계로 제조한 광전기화학 전극은 다공성 기재, 상기 다공성 기재 표면의 전부 또는 일부에 금속 디칼코게나이드층을 포함하여 광전극 특성 및 광촉매 효율을 향상시키는 특징이 있다.
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公开(公告)号:KR102219283B1
公开(公告)日:2021-02-24
申请号:KR1020190096285
申请日:2019-08-07
Applicant: 한국과학기술연구원 , 한국기초과학지원연구원
Abstract: 본발명은탄소섬유-활물질복합체와그 제조방법및 탄소섬유-활물질복합체를포함하는리튬이온전지에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른탄소섬유-활물질복합체는, 산화섬유방적사로제조된원단이탄화(Carbonization)된구조부, 및구조부의탄소섬유가점유하는영역외의적어도일부영역에배치되는활물질부를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号:KR20210020385A
公开(公告)日:2021-02-24
申请号:KR20190099603
申请日:2019-08-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B32/194 , C08J3/20
Abstract: 본명세서는구조적결함을포함하는결함영역이존재하는그래핀층; 및상기결함영역또는결합영역에인접하여형성된결함치유구조;를포함하며, 상기결함치유구조는친수성고분자를포함하고, 상기친수성고분자는상기그래핀층과수소결합하여상기구조적결함을치유하는, 그래핀복합체를개시한다.
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公开(公告)号:KR102017717B1
公开(公告)日:2019-10-21
申请号:KR1020180078437
申请日:2018-07-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/0256
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公开(公告)号:KR101837556B1
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:KR1020160013681
申请日:2016-02-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 본발명은코발트산화물-탄소나노복합체핵-껍질양자점을이용한슈퍼커패시터전극재료및 이의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는, 종래의도전성첨가제없이는제작이불가능하였던금속산화물슈퍼커패시터의단점을보안하기위해활물질-나노카본도전성첨가제일체형코발트산화물-그래핀핵-껍질양자점을이용한슈퍼커패시터전극재료및 이의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号:KR1020180011662A
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:KR1020160094336
申请日:2016-07-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B32B37/24 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/56 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C16/52 , B32B9/00 , B32B9/04
CPC classification number: B32B37/24 , B32B9/007 , B32B9/045 , B32B2037/246 , B32B2307/7242 , C23C14/0652 , C23C14/08 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/52 , C23C16/56
Abstract: 그래핀계배리어필름의제조방법으로서, 금속촉매층상에제1 화학기상증착공정을수행하여예비그래핀층을형성하는단계; 해당예비그래핀층에제2 화학기상증착공정을수행하여해당예비그래핀층을그래핀층으로변환시키는단계; 해당그래핀층상에고분자보호막을형성하는단계; 해당그래핀층의일면으로부터금속촉매층을제거하는단계; 및해당금속촉매층이제거된그래핀층을대상기판에전사시켜그래핀계배리어필름을형성하는단계; 를포함하는그래핀계배리어필름의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 1。一种石墨烯阻挡膜的制造方法,其特征在于,包括:在金属催化剂层上进行第一化学气相沉积工艺以形成预截平层; 在所述前体石蜡层上执行第二化学气相沉积工艺以将所述前体石墨层转变为石墨烯层; 在石墨烯层上形成聚合物保护膜; 从石墨烯层的一侧除去金属催化剂层; 然后将去除了金属催化剂层的石墨烯层转移到目标衬底上以形成石墨烯阻挡膜; 提供基于阻隔膜。
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