公开(公告)号：WO2013119024A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/KR2013/000922

申请日：2013-02-05

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  정국영 ,  안승규 ,  조아라 ,  박희선 ,  최성우

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 간소화된 동시진공증발법을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 CIGS 박막이 개시된다. 본 발명의 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법은， 500 ~ 600°C의 기판온도에서 기판상에 Cu, Ga 및 Se을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계 (단계 a); 상기 단계 a와 동일한 기판온도를 유지하며， Cu, Ga, Se 및 In을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계 (단계 b); 및 상기 기판의 온도를 하강시키는 동안， Ga과 Se을 동시진공증발에 의해 증착한 후， Se만을 진공증발에 의해 증착하는 공정을 순차적으로 수행하는 단계 (단계 c);를 포함한다. 이에 의하여， 종래 3단계 동시진공증발법에 비해 공정 단계를 간소화하고 막증착 시간을 단축하면서도 박막 내 결정성장과 Ga 조성분포에 의한 밴드갭 그레이딩 효과를 충분히 구현하여 공정상 효율을 기할 수 있다.

Abstract translation: 公开了使用简化的共蒸发制造太阳能电池用CIGS薄膜的方法和使用该方法制造的太阳能电池用CIGS薄膜。 根据本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括：（a）通过共蒸发将Cu，Ga和Se沉积在500-600℃的基板上; （步骤b）通过共蒸发沉积Cu，Ga，Se和In，同时保持与步骤a相同的衬底温度; 和（步骤c），同时降低衬底的温度，通过共蒸发依次沉积Ga和Se，然后通过真空蒸发仅沉积Se。 因此，与三步共蒸发相比，处理步骤简单，并且从薄膜中的晶体生长和Ga的组成分布中获得带隙分级的优点，从而使处理效率达到 改进。

公开(公告)号：KR101281052B1

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020120012466

申请日：2012-02-07

Applicant: 한국에너지기술연구원

Inventor： 곽지혜 ,  윤재호 ,  안세진 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  정국영 ,  안승규 ,  조아라 ,  박희선 ,  최성우

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CIGS thin film for a solar cell using a simplified co-evaporation method and the CIGS thin film for the solar cell manufactured by the same are provided to improve the efficiency of a process by sufficiently implementing a band gap grading effect due to a Ga composition distribution and a crystal growth in a thin film. CONSTITUTION: Cu, Ga, and Se are deposited on a substrate at 500 to 600 degrees centigrade with a co-evaporation method. Cu, Ga, Se, and In are deposited on the substrate at 500 to 600 degrees centigrade with the co-evaporation method. A Ga and Se co-evaporation process and an Se evaporation process are successively performed while a temperature falls on the substrate. [Reference numerals] (AA) Start; (B1) Cu, Ga, and Se are deposited under vacuum; (B2) Step a; (C1) Cu, Ga, Se, and In are deposited under vacuum; (C2) Step b; (D1) Ga and Se co-evaporation process and an Se evaporation process are successively performed while a temperature falls on the substrate; (D2) Step c; (EE) Finish

Abstract translation: 目的：提供一种使用简化的共蒸发方法制造太阳能电池的CIGS薄膜的方法和由其制造的用于太阳能电池的CIGS薄膜，以通过充分实施带隙分级来提高工艺的效率 由于Ga组分分布和薄膜中的晶体生长而产生的效果。 构成：Cu，Ga和Se以共蒸发方法在500至600摄氏度的基板上沉积。 Cu，Ga，Se和In以共蒸发方法在500至600摄氏度的温度下沉积在基板上。 当温度落在基板上时，连续进行Ga和Se共蒸发处理和Se蒸发处理。 （附图标记）（AA）开始; （B1）Cu，Ga和Se在真空下沉积; （B2）步骤a; （C1）Cu，Ga，Se和In在真空下沉积; （C2）步骤b; （D1）Ga和Se共蒸发处理和Se蒸发处理，同时温度落在基板上; （D2）步骤c; （EE）完成