Abstract:
간소화된 동시진공증발법을 이용한 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 따라 제조된 태양전지용 CIGS 박막이 개시된다. 본 발명의 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법은, 500 ~ 600°C의 기판온도에서 기판상에 Cu, Ga 및 Se을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계 (단계 a); 상기 단계 a와 동일한 기판온도를 유지하며, Cu, Ga, Se 및 In을 동시진공증발에 의해 증착하는 단계 (단계 b); 및 상기 기판의 온도를 하강시키는 동안, Ga과 Se을 동시진공증발에 의해 증착한 후, Se만을 진공증발에 의해 증착하는 공정을 순차적으로 수행하는 단계 (단계 c);를 포함한다. 이에 의하여, 종래 3단계 동시진공증발법에 비해 공정 단계를 간소화하고 막증착 시간을 단축하면서도 박막 내 결정성장과 Ga 조성분포에 의한 밴드갭 그레이딩 효과를 충분히 구현하여 공정상 효율을 기할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a CIGS thin film for a solar cell using a simplified co-evaporation method and the CIGS thin film for the solar cell manufactured by the same are provided to improve the efficiency of a process by sufficiently implementing a band gap grading effect due to a Ga composition distribution and a crystal growth in a thin film. CONSTITUTION: Cu, Ga, and Se are deposited on a substrate at 500 to 600 degrees centigrade with a co-evaporation method. Cu, Ga, Se, and In are deposited on the substrate at 500 to 600 degrees centigrade with the co-evaporation method. A Ga and Se co-evaporation process and an Se evaporation process are successively performed while a temperature falls on the substrate. [Reference numerals] (AA) Start; (B1) Cu, Ga, and Se are deposited under vacuum; (B2) Step a; (C1) Cu, Ga, Se, and In are deposited under vacuum; (C2) Step b; (D1) Ga and Se co-evaporation process and an Se evaporation process are successively performed while a temperature falls on the substrate; (D2) Step c; (EE) Finish