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公开(公告)号：WO2021060692A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/KR2020/010153
申请日：2020-07-31
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C01B32/198 , C01B32/23 , C01B32/225 , D01F1/09 , D01D5/06 , D01D10/02 , D01D1/02 , D01F9/12
Abstract: 본 발명은 고내열성 산화그래핀, 이를 이용한 전도성 그래핀 섬유의 제조방법 및 이로부터 제조되는 전도성 그래핀 섬유에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 에폭시기 또는 하이드록시기인 산소 함유 관능기를 표면에 포함하되 락톨기 또는 카르복실기인 산소 함유 관능기가 표면에 존재하지 않아 내열안정성을 갖는 것을 특징으로 하는 고내열성 산화그래핀, 이를 이용한 전도성 그래핀 섬유의 제조방법 및 이로부터 제조되는 전도성 그래핀 섬유를 기술적 요지로 한다
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公开(公告)号：WO2019112194A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：PCT/KR2018/013677
申请日：2018-11-12
Applicant: 한국전기연구원
CPC classification number: C01B32/198 , C01B32/23 , C01B33/02 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62
Abstract: 본 발명은, 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 복합체, 복합체 제조방법 및 복합체를 포함하는 이차전지용 전극에 있어서, 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 복합체 제조방법에 있어서, 양이온-파이 상호작용을 통해 형성된 산화그래핀을 환원시킨 산화그래핀환원물 분산용액을 제조하는 단계와 상기 산화그래핀환원물 분산용액을 실리콘 금속입자와 혼합하여 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 분산용액을 제조하는 단계와 상기 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 분산액을 건조하여 코어-쉘 구조의 복합체 분말을 제조하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 양이온-파이 상호작용을 통해 형성되는 저결함/고순도 산화그래핀 분산용액을 이용하여 산화그래핀환원물을 형성하고, 이를 건조하여 코어-쉘 구조의 복합체 분말을 얻을 수 있으며 이를 이차전지용 전극에 적용 가능하다.
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公开(公告)号：WO2023080290A1
公开(公告)日：2023-05-11
申请号：PCT/KR2021/016052
申请日：2021-11-05
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C01B32/184 , C01B32/192 , C01B32/198 , H01M4/62 , H01M4/66 , H01M4/13
Abstract: 본 발명은 이차전지용 산화그래핀환원물, 그 제조방법, 이를 이용한 전극 및 이차전지에 관한 것으로서, 구체적으로는, 2차원 구조를 갖는 분말 형태의 결정성 산화그래핀환원물로서, 하기 관계식 1, 하기 관계식 2 및 하기 관계식 3을 만족하는 것을 특징으로 한다. [관계식 1] 1 ≤ TQ ≤ 5 [관계식 2] 100 ≤ EQ ≤ 1,000 [관계식 3] 1 ≤ BETQ ≤ 100 상기 관계식 1에서 TQ는 산화그래핀환원물의 두께(㎚)이고, 상기 관계식 2에서 EQ는 산화그래핀환원물의 전기전도도(S/㎝)이며, 상기 관계식 3에서 BETQ는 산화그래핀환원물의 비표면적(㎡/g)이다.
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公开(公告)号：KR101554988B1
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：KR1020140104871
申请日：2014-08-13
Applicant: 한국전기연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/14 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 음전하를 가지는 산화 그래핀을 이용한 전하 농도가 증가된 발광소자에 관한 것으로, 기판과; 상기 기판 위에 형성된 n형 반도체층과; 상기 n형 반도체층 위에 형성되어 빛을 발생시키는 활성층과; 상기 활성층 위에 형성된 p형 반도체층과; 상기 p형 반도체층 위에 형성된 투명 전극층; 그리고, 음전하를 가지는 산화그래핀을 상기 투명전극층의 상면 또는 하면에 도포하여 형성되고, 상기 p형 반도체층에 산화그래핀에 의한 이중극장(dipole field)을 형성시켜 활성층으로 이동되는 정공 농도를 증가시키는 이중극장 형성층;을 포함하여 형성되는 음전하를 가지는 산화 그래핀을 이용한 전하 농도가 증가된 발광소자를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, p형 도펀트(dopant)로서 산화그래핀을 도입하여 고출력 발광소자를 제작하는 것이 가능하며, 기존의 발광소자의 p형 반도체 층에 형성되어 있는 에너지 밴드의 휘어짐에 의한 정공(hole)의 고립을 산화그래핀의 이중극장(dipole field) 형성을 통해 와해시킴으로써, 평평한 에너지 밴드의 복귀를 유도시킬 수 있다. 이를 통하여 p형 반도체 층의 정공농도를 증가 시킴으로서 발광이 형성되는 활성층인 다중양자샘(multi quantum well) 층에서 전자(electron)와 정공의 방사 재결합(radiative recombination)을 촉진시켜 발광 시 고출력을 형성시킬 수 있는 이점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用带负电荷的氧化石墨烯具有增加的载流子浓度的发光二极管。 发光二极管包括：基板; 形成在所述基板上的N型半导体层; 形成在N型半导体层上以产生光的有源层; 形成在有源层上的P型半导体层; 形成在所述P型半导体层上的透明电极层; 以及通过将负电荷的氧化石墨烯施加到透明电极层的上表面或下表面而形成的偶极场形成层，并且通过P型半导体层上的氧化石墨烯形成偶极场，以增加移动到 活动层 因此，可以通过将氧化石墨烯作为P型掺杂剂引入来制造高输出发光二极管。 由现有发光二极管的P型半导体层上形成的能带的弯曲引起的孔隔离通过形成氧化石墨烯的偶极场而分解，从而引起平坦能带的恢复。 通过这样，通过增加P型半导体层上的空穴浓度，作为有源层的多量子阱层，通过增加空穴的浓度，可以加快电子和空穴的辐射复合，从而获得高的发光量。
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公开(公告)号：KR102241526B1
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：KR1020180160539
申请日：2018-12-13
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01M4/1397 , H01M4/1393 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M4/36 , H01M4/04 , C01B32/198 , C01B33/02
Abstract: 본발명은산화그래핀환원물-실리콘금속입자복합체를포함하는고밀도음극재제조방법및 이에의하여제조되는음극재를포함하는이차전지용전극에관한것으로, 양이온-파이상호작용을통하여산화그래핀환원물을제조하는산화그래핀환원물제조단계; 실리콘금속입자에폴리머를코팅후 상기산화그래핀환원물과복합화하는제1과정및 상기산화그래핀환원물에상기폴리머를코팅후 상기실리콘금속입자와복합화하는제2과정중 어느하나를이용하여복합체분산용액을제조하는복합체분산용액제조단계; 상기복합체분산용액을분무건조하여코어-쉘구조의복합체분말을제조하는복합체분말제조단계; 상기복합체분말에천연흑연및 인조흑연을배합하여음극재슬러리를제조하는슬러리제조단계; 및상기슬러리를집전체에도포하는음극재제조단계;를포함하는것을기술적요지로한다. 이에의하여제조된음극재를포함하는이차전지용전극은고용량및 안정적사이클성능을향상시킬수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102212939B1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：KR1020170165221
申请日：2017-12-04
Applicant: 한국전기연구원
Abstract: 본발명은, 산화그래핀환원물-실리콘금속입자복합체, 복합체제조방법및 복합체를포함하는이차전지용전극에있어서, 그래파이트를산화하여산화그래파이트를형성하는단계와; 상기산화그래파이트를분산및 박리하여산화그래핀을형성하는단계와; 양이온-파이상호작용을통해상기산화그래핀을포함하는산화그래핀분산용액을제조하는단계와; 상기산화그래핀분산용액을환원시켜산화그래핀환원물분산용액을제조하는단계와; 상기산화그래핀환원물분산용액을수용성폴리머및 실리콘금속입자와혼합하여산화그래핀환원물-실리콘금속입자분산용액을제조하는단계와; 상기산화그래핀환원물-실리콘금속입자분산액을건조하여코어-쉘구조의복합체분말을제조하는단계를포함하는것을기술적요지로한다. 이에의해양이온-파이상호작용을통해형성되는저결함/고순도산화그래핀분산용액을이용하여산화그래핀환원물을형성하고, 이를실리콘금속입자와분산하기위한수용성폴리머에접목시킨후 건조하여코어-쉘구조의복합체분말을얻을수 있으며이를이차전지용전극에적용가능하다.
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7.发明授权모놀리스 삼차원 구조의 산화그래핀 환원물을 포함하는 에너지 저장소자용 음극 제조방법, 이를 통해 제조되는 음극 및 음극을 포함하는 에너지 저장소자 有权使用单片3维还原石墨烯氧化物的能量储存装置的材料的制备及其制造方法
公开(公告)号：KR101643935B1
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020140116302
申请日：2014-09-02
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01M4/1393 , H01M4/587 , C01B31/04
Abstract: 본발명은, 모놀리스구조의산화그래핀환원물을포함하는에너지저장소자용음극제조방법, 이를통해제조되는음극및 음극을포함하는에너지저장소자에있어서, 산화그래핀환원물페이스트및 수용성폴리머를혼합하여복합페이스트를제조하는단계와; 상기복합페이스트를집전체에도포하는단계와; 상기집전체를동결건조하여모놀리스산화그래핀환원물을형성하는단계를포함하는것을기술적요지로한다. 이에의해산화그래핀환원물및 수용성폴리머의복합페이스트를동결건조시켜고전도성모놀리스삼차원구조를형성함으로써산화그래핀환원물의일정하게배열된활동영역(Active site)을증가시키고안정적구조형성을통한고수명사이클구현및 고용량, 고출력특성을지닌에너지저장소자의전극효과를제공한다.
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公开(公告)号：KR102212969B1
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：KR1020180160547
申请日：2018-12-13
Applicant: 한국전기연구원
IPC: C01B32/194 , C01B32/198 , C01B33/02 , H01M4/02
Abstract: 본발명은폴리머가첨가된산화그래핀환원물-실리콘금속입자복합체제조방법, 이에의하여제조되는복합체및 복합체를이용하는이차전지용음극재에관한것으로, 양이온-파이상호작용을통하여산화그래핀환원물을제조하는산화그래핀환원물제조단계, 실리콘금속입자에폴리머를코팅후 상기산화그래핀환원물과복합화하는제1과정및 상기산화그래핀환원물에상기폴리머를코팅후 상기실리콘금속입자와복합화하는제2과정중 어느하나를이용하여복합체분산용액을제조하는복합체분산용액제조단계, 상기복합체분산용액을분무건조하여코어-쉘구조의복합체분말을제조하는복합체분말제조단계를포함하는것을기술적요지로한다. 이에의하여제조된폴리머가첨가된산화그래핀환원물-실리콘금속입자복합재는소재간 접착력이향상되며, 복합체를음극재로이용하는이차전지는고용량및 안정적사이클을형성하고음극재의대량생산이가능한효과를얻을수 있다.
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10.发明公开
公开(公告)号：KR1020160046778A
公开(公告)日：2016-04-29
申请号：KR1020160046160
申请日：2016-04-15
Applicant: 한국전기연구원
IPC: H01M4/133 , H01M4/62 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01G11/06
Abstract: 본발명은, 모놀리스구조의산화그래핀환원물을포함하는에너지저장소자용음극및 음극을포함하는에너지저장소자에있어서, 집전체와; 상기집전체의일면에형성된모놀리스삼차원구조의산화그래핀환원물을갖는음극활물질을포함하는것을기술적요지로한다. 이에의해산화그래핀환원물및 수용성폴리머의복합페이스트를동결건조시켜고전도성모놀리스삼차원구조를형성함으로써산화그래핀환원물의일정하게배열된활동영역(Active site)을증가시키고안정적구조형성을통한고수명사이클구현및 고용량, 고출력특성을지닌에너지저장소자의전극효과를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于储能装置的阳极，其包括具有整料结构的氧化石墨烯氧化物还原物质和包括阳极的储能装置。 用于储能装置的阳极包括：集电器; 以及形成在集电体的一个表面上的具有三维整料结构的石墨烯氧化物还原物质的负极活性物质。 因此，本发明将石墨烯氧化物还原物质和水溶性聚合物的复合糊剂冷冻干燥，形成三维整料结构，从而增加氧化石墨烯还原物质的不断排列的活性部位，实现长寿命 通过形成稳定的结构，并提供具有高容量和高输出特性的储能装置的电极效应。
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