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公开(公告)号：KR1019980046372A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960064697
申请日：1996-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: 본 발명은 GaAs/AlGaAs HEM의 제조시 게이트 전극이 형성되는 부분인 GaAs의 표면층(15)을 AlGaAs층(14)에 손상을 주지 않는 상태로 제거하기 위하여 상기 AlGaAs층(14)상에 Al
0.30 Ga
0.70 As의 에치 스톱층(100)을 형성하고, 상기 GaAs의 표면층(15)에 게이트 전극 패턴(17)을 형성하고, 1 몰의 구연산과 과산화 수소를 1:1의 부피비로 혼합한 에칭용액을 사용하여 노출된 표면층(15)을 제거하여 게이트 전극이 형성되어질 영역인 게이트 리세스 부분을 형성한다.
본 발명은 상술한 바와 같은 에칭 스톱층과 에칭용액을 이용함으로서 GaAs와 AlGaAs층을 사용하는 HEMT 소자의 특성의 균일도를 향상시키고 수율을 높일 수 있다.
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