公开(公告)号：KR101211085B1

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：KR1020090043174

申请日：2009-05-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민봉기 ,  앨버트제이.피.티. ,  심재식 ,  박미란 ,  권용환 ,  남은수

IPC: H01L27/146

Abstract: 본발명에다른고유포토다이오드이미지센서는포토다이오드, 상기포토다이오드로부터의전자를집속하는확산영역, 상기포토다이오드와상기확산영역을연결하는트랜스퍼트랜지스터및 상기확산영역으로부터신호를득출하는득출회로를포함하는적어도 2개이상의단위화소를포함하는이미지센서에있어서, 이웃한상기단위화소는상기포토다이오드가서로이웃하도록대칭적으로배치되어하나의공유포토다이오드를형성한다. 따라서, 공유포토다이오드이미지센서는성능에제한을주는암전류를발생하는소자분리막를제거할뿐만아니라, 소자분리막과관련된기본적인최소설계요구조건(간격, 면적)을제거하여, 이러한영역을포토다이오드로사용할수 있거나, 추가적인화소스케일링에이용할수 있도록함으로써포토다이오드자체의스케일링한계를획기적으로개선하고, 화소의스케일링에도픽셀성능을유지할수 있도록한다.

公开(公告)号：KR1020100063632A

公开(公告)日：2010-06-11

申请号：KR1020090043174

申请日：2009-05-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민봉기 ,  앨버트제이.피.티. ,  심재식 ,  박미란 ,  권용환 ,  남은수

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/3742 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/3741 ,  H04N5/37457

Abstract: PURPOSE: A share photo diode image sensor is provided to improve a resolution by simultaneously driving a transfer transistor more than two adjacent to the photo diode. CONSTITUTION: Diffusion areas(311,316) focus an electronics from a photo diode(300). Transfer transistors(310,315) connect the photo diode with the diffusion area. A read-out circuit reads out a signal from the diffusion area. The neighboring unit pixel forms a share photo diode. A sensing signal is created by simultaneously sanctioning a turn on signal in the share photo diode connecting with a plurality of transfer transistors.

Abstract translation: 目的：提供共享光电二极管图像传感器，通过同时驱动与光电二极管相邻的传输晶体管两个以上来提高分辨率。 构成：扩散区（311,316）聚焦光电二极管（300）的电子。 传输晶体管（310,315）将光电二极管与扩散区域连接。 读出电路从扩散区读出信号。 相邻单元像素形成共享光电二极管。 感测信号是通过同时处理与多个传输晶体管连接的共享光电二极管中的导通信号来产生的。