公开(公告)号：WO2013014321A3

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：PCT/ES2012070569

申请日：2012-07-25

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL ,  MONTANYA SILVESTRE JOSEP ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE ,  BARRACHINA SARALEGUI LAURA

Inventor： MONTANYA SILVESTRE JOSEP ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE ,  BARRACHINA SARALEGUI LAURA

IPC: B81C1/00 ,  G01R33/028 ,  G01R33/038 ,  H03H3/007

CPC classification number: G01R33/038 ,  G01R33/0283 ,  G01R33/0286

Abstract: The systems and methods described provide for a magnetometer device that includes a resonating element having an inner wire enclosed in a shielding electrode. The shielding electrode decreases the effect of interference on the resonating element. A sensing electrode is disposed proximate to the resonating element. The device further includes a source for generating current that is connected to the resonating element. The current when applied through the inner wire causes a displacement of the resonating element. The magnetometer device measures a magnetic field of the resonating element as a capacitance variation between the shielding electrode and the sensing electrode. The systems and methods herein provide for an accelerometer device that includes a resonating element having an inner core of dielectric material enclosed in a shielding electrode. The accelerometer device measures an acceleration of the resonating element as a capacitance variation between the shielding electrode and the sensing electrode.

Abstract translation: 所描述的系统和方法提供了一种磁力计装置，其包括具有封闭在屏蔽电极中的内部电线的谐振元件。 屏蔽电极降低对谐振元件的干扰的影响。 传感电极靠近谐振元件设置。 该装置还包括用于产生连接到谐振元件的电流的源。 通过内部线施加的电流导致谐振元件的位移。 磁力计装置测量谐振元件的磁场，作为屏蔽电极和感测电极之间的电容变化。 这里的系统和方法提供了一种加速度计装置，其包括具有封闭在屏蔽电极中的介电材料的内芯的谐振元件。 加速度计装置测量谐振元件的加速度作为屏蔽电极和感测电极之间的电容变化。

公开(公告)号：WO2010145907A3

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/EP2010056947

申请日：2010-05-20

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL ,  TAYYIB SABIR ,  LLAMAS MOROTE MARC ANTONIO ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE ,  MONTANYA I SILVESTRE JOSEP

Inventor： TAYYIB SABIR ,  LLAMAS MOROTE MARC ANTONIO ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE ,  MONTANYA I SILVESTRE JOSEP

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L28/40 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0771 ,  H01L21/31116 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: A MEMS integrated circuit including a plurality of layers where a portion includes one or more electronic elements on a semiconductor material substrate. The circuit includes a structure of interconnection layers having a bottom layer of conductor material and a top layer of conductor material where the layers are separated by at least one layer of dielectric material. The bottom layer may be formed above and in contact with an Inter Dielectric Layer. The circuit also includes a hollow space within the structure of interconnection layers and a MEMS device in communication with the structure of interconnection layers.

Abstract translation: 一种MEMS集成电路，包括多个层，其中一部分包括半导体材料基底上的一个或多个电子元件。 电路包括具有导体材料的底层和导体材料的顶层的互连层的结构，其中层被至少一层电介质材料隔开。 底层可以形成在介电层之上并与之互相接触。 该电路还包括互连层结构内的中空空间和与互连层结构通信的MEMS器件。

公开(公告)号：SG176093A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：SG2011084241

申请日：2010-05-20

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL

Inventor： TAYYIB SABIR ,  LLAMAS MOROTE MARC ANTONIO ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE ,  MONTANYA I SILVESTRE JOSEP

Abstract: A MEMS integrated circuit including a plurality of layers where a portion includes one or more electronic elements on a semiconductor material substrate. The circuit includes a structure of interconnection layers having a bottom layer of conductor material and a top layer of conductor material where the layers are separated by at least one layer of dielectric material. The bottom layer may be formed above and in contact with an Inter Dielectric Layer. The circuit also includes a hollow space within the structure of interconnection layers and a MEMS device in communication with the structure of interconnection layers.

公开(公告)号：ES2288110B1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：ES200600625

申请日：2006-03-13

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL

Inventor： MONTANYA I SILVESTRE JOSEP ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE

IPC: G02F1/21 ,  B81B5/00

Abstract: Procedimiento de actuación de un dispositivo electroóptico reflector miniaturizado y dispositivo correspondiente. Procedimiento de actuación de un dispositivo MEMS electroóptico reflector que comprende un elemento conductor (7), que es una pieza suelta, mecánicamente independiente, y puede efectuar un desplazamiento a través de un espacio intermedio (5) del dispositivo en función de unos voltajes presentes en unas placas de condensador (15), y una superficie reflectora (19), que refleja un haz de luz incidente y es solidaria al elemento conductor (7), donde el procedimiento comprende la aplicación de unos voltajes a las placas (15) tales que la proyección según un eje central que pasa por el centro de masas del elemento conductor (7) de las placas (15) sometidas a un primer voltaje tiene asimetría central respecto de la proyección de las placas (15) sometidas a un segundo voltaje. Ello provoca que el elemento conductor (7) cambie de orientación.

公开(公告)号：ES2281294B1

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：ES200600607

申请日：2006-03-10

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL

Inventor： MONTANYA I SILVESTRE JOSEP ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE

IPC: G02F1/21 ,  B81B5/00

Abstract: Dispositivo electroóptico reflector digital miniaturizado. Dispositivo MEMS electroóptico reflector digital que comprende un elemento conductor (7), donde el elemento conductor (7) es una pieza suelta, mecánicamente independiente de su entorno y es apto para efectuar un desplazamiento a través de un espacio intermedio (5) del dispositivo en función de unos voltajes presentes en unas placas de condensador (1, 2, 3), y una superficie reflectora (19), apta para reflejar un haz de luz incidente y solidaria al elemento conductor (7), donde el elemento conductor (7) se mueve en el espacio intermedio (5) hasta apoyarse en unos puntos de apoyo dispuestos de tal manera que obligan al elemento conductor (7) a cambiar de orientación.

公开(公告)号：ES2288111B1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：ES200600647

申请日：2006-03-14

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL

Inventor： MONTANYA I SILVESTRE JOSEP ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE

IPC: G02F1/21 ,  B81B5/00

Abstract: Conjunto electroóptico reflector miniaturizado para el procesado de una señal luminosa y procedimiento correspondiente. Conjunto MEMS electroóptico reflector que comprende un dispositivo con un elemento conductor (7), donde el elemento conductor (7) es una pieza suelta, mecánicamente independiente de su entorno y es apto para efectuar un desplazamiento a través de un espacio intermedio (5) del dispositivo en función de unos voltajes presentes en unas placas de condensador (15), y una superficie reflectora (19), apta para reflejar un haz de luz incidente y solidaria al elemento conductor (7), donde el elemento conductor (7) se mueve en el espacio intermedio (5) una distancia tal que el camino óptico del haz de luz reflejado se modifica en un valor equivalente a la mitad de su longitud de onda. Ello permite provocar interferencias constructivas o destructivas en función de la posición del elemento conductor (7).

公开(公告)号：ES2288111A1

公开(公告)日：2007-12-16

申请号：ES200600647

申请日：2006-03-14

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL

Inventor： MONTANYA I SILVESTRE JOSEP ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE

IPC: G02F1/21 ,  B81B5/00

Abstract: Conjunto electroóptico reflector miniaturizado para el procesado de una señal luminosa y procedimiento correspondiente. Conjunto MEMS electroóptico reflector que comprende un dispositivo con un elemento conductor (7), donde el elemento conductor (7) es una pieza suelta, mecánicamente independiente de su entorno y es apto para efectuar un desplazamiento a través de un espacio intermedio (5) del dispositivo en función de unos voltajes presentes en unas placas de condensador (15), y una superficie reflectora (19), apta para reflejar un haz de luz incidente y solidaria al elemento conductor (7), donde el elemento conductor (7) se mueve en el espacio intermedio (5) una distancia tal que el camino óptico del haz de luz reflejado se modifica en un valor equivalente a la mitad de su longitud de onda. Ello permite provocar interferencias constructivas o destructivas en función de la posición del elemento conductor (7).