公开(公告)号：US20140062619A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13674440

申请日：2012-11-12

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL

Inventor： Josep Montanya Silvestre ,  Marco Antonio Llamas Morote

IPC: H01P11/00 ,  H01P1/20

CPC classification number: H01P11/006 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0771 ,  H01L28/40 ,  H01P1/2002 ,  Y10T29/49016

Abstract: Systems and methods for manufacturing a chip comprising a MEMS-based radio frequency filter arranged in an integrated circuit are provided. In one aspect, the systems and methods provide for a chip including electronic elements formed on a semiconductor material substrate. The chip further includes a stack of interconnection layers including layers of conductor material separated by layers of dielectric material. A radio frequency filter is formed within the stack of interconnection layers by applying gaseous HF to the interconnection layers. The radio frequency filter includes a plurality of mechanically decoupled resonator elements.

Abstract translation: 提供了一种用于制造包括布置在集成电路中的基于MEMS的射频滤波器的芯片的系统和方法。 在一个方面，所述系统和方法提供了包括形成在半导体材料基板上的电子元件的芯片。 该芯片还包括一叠互连层，包括由电介质材料层隔开的导体材料层。 通过向互连层施加气态HF，在互连层的堆叠内形成射频滤波器。 射频滤波器包括多个机械去耦谐振元件。

公开(公告)号：US20140225250A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：US14079041

申请日：2013-11-13

Applicant: Baolab Microsystems SL

Inventor： Josep Montanya Silvestre ,  Marco Antonio Llamas Morote ,  Daniel Fernandez Martinez ,  Juan José Valle Fraga ,  Albert Mola

IPC: B81B7/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0735 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A MEMS integrated circuit including a plurality of layers where a portion includes one or more electronic elements on a semiconductor material substrate. The circuit includes a structure of interconnection layers having a bottom layer of conductor material and a top layer of conductor material where the layers are separated by at least one layer of dielectric material. The bottom layer may be formed above and in contact with an Inter Dielectric Layer. The circuit also includes a hollow space within the structure of interconnection layers and a MEMS device in communication with the structure of interconnection layers.

Abstract translation: 一种MEMS集成电路，包括多个层，其中一部分包括半导体材料基底上的一个或多个电子元件。 电路包括具有导体材料的底层和导体材料的顶层的互连层的结构，其中层被至少一层电介质材料隔开。 底层可以形成在介电层之上并与之互相接触。 该电路还包括互连层结构内的中空空间和与互连层结构通信的MEMS器件。

公开(公告)号：WO2012104465A2

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/ES2012/070066

申请日：2012-02-01

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL ,  MONTANYÀ SILVESTRE, Josep

Inventor： MONTANYÀ SILVESTRE, Josep

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0714 ,  H01L28/40

Abstract: Se proporcionan sistemas y métodos para fabricar un chip que comprende una pluralidad de dispositivos de MEMS dispuestos dentro de un circuito integrado. En un aspecto, los sistemas y métodos proporcionan un chip que incluye elementos electrónicos formados sobre un sustrato de material semiconductor. El chip incluye, de manera adicional, una pila de capas de interconexión que incluye capas de material conductor separadas por capas de material dieléctrico. Se forman dispositivos de MEMS dentro de la pila de capas de interconexión mediante la aplicación de HF gaseoso a una primera capa de material dieléctrico situada más arriba en la pila de capas de interconexión. La pila de capas de interconexión incluye al menos una capa de material dieléctrico no sometida a ataque químico superficial, y al menos una capa de material conductor para encaminar las conexiones hacia y desde los elementos electrónicos.

Abstract translation: 系统和方法被提供用于制造包括布置在集成电路内的多个MEMS器件的芯片。 在一个方面，该系统和方法提供了一种芯片，该芯片包括形成在半导体材料的衬底上的电子元件。 该芯片还包括一堆互连层，其包括由电介质材料层分开的导电材料层。 通过将气态HF施加到位于互连层堆叠中较高位置的第一介电材料层，在互连层堆叠内形成MEMS器件。 的互连方案的层堆叠| n包括昼夜＆Eacute材料的至少一个层; ctrico不被蚀刻曲河表面MICO，和导电材料的至少一个层，以连接路由到和从电子元件＆COLLISION尼科斯

公开(公告)号：WO2010145907A2

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/EP2010/056947

申请日：2010-05-20

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL ,  TAYYIB, Sabir ,  LLAMAS MOROTE, Marc, Antonio ,  VALLE FRAGA, Juan, José ,  MONTANYÀ I SILVESTRE, Josep

Inventor： TAYYIB, Sabir ,  LLAMAS MOROTE, Marc, Antonio ,  VALLE FRAGA, Juan, José ,  MONTANYÀ I SILVESTRE, Josep

CPC classification number: H01L28/40 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0771 ,  H01L21/31116 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: A MEMS integrated circuit including a plurality of layers where a portion includes one or more electronic elements on a semiconductor material substrate. The circuit includes a structure of interconnection layers having a bottom layer of conductor material and a top layer of conductor material where the layers are separated by at least one layer of dielectric material. The bottom layer may be formed above and in contact with an Inter Dielectric Layer. The circuit also includes a hollow space within the structure of interconnection layers and a MEMS device in communication with the structure of interconnection layers.

Abstract translation: 一种MEMS集成电路，包括多个层，其中一部分包括半导体材料基底上的一个或多个电子元件。 电路包括具有导体材料的底层和导体材料的顶层的互连层的结构，其中层被至少一层电介质材料隔开。 底层可以形成在介电层之上并与之互相接触。 该电路还包括互连层结构内的中空空间和与互连层结构通信的MEMS器件。

公开(公告)号：WO2013068633A3

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/ES2012/070788

申请日：2012-11-12

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL

Inventor： MONTANYÀ SILVESTRE, Josep ,  LLAMAS MOROTE, Marc Antonio

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007

Abstract: Se proporcionan sistemas y métodos para fabricar un chip que comprende un filtro de radiofrecuencia basado en MEMS y dispuesto dentro de un circuito integrado. En un aspecto, los sistemas y métodos proporcionan un chip que incluye elementos electrónicos formados sobre un sustrato de material semiconductor. El chip incluye adicíonaimente una pila de capas de interconexión que incluye capas de material conductor separadas por capas de material dieléctrico. Se forma un filtro de radiofrecuencia dentro de la pila de capas de interconexión mediante la aplicación de HF gaseoso a las capas de interconexión. El filtro de radiofrecuencia incluye una pluralidad de elementos resonadores desacopiados mecánicamente.

公开(公告)号：WO2012017117A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：PCT/ES2011/070546

申请日：2011-07-22

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL ,  MONTANYÀ I SILVESTRE, Josep ,  VALLE FRAGA, Juan José

Inventor： MONTANYÀ I SILVESTRE, Josep ,  VALLE FRAGA, Juan José

IPC: H01Q1/22

CPC classification number: H01Q1/2283 ,  H01Q1/3233 ,  H01Q3/04 ,  H01Q3/24 ,  H01Q9/145

Abstract: Los sistemas y métodos descritos aquí dentro abordan las deficiencias en la técnica anterior habilitando la multiplexación espacial en las redes celulares y/o inalámbricas para superar las limitaciones de capacidad. En una realización, las limitaciones se superan formando una red de dispositivos de comunicaciones portátiles multiplexada espacialmente que tienen antenas vibrantes basadas en MEMS. Otras aplicaciones adecuadas de las antenas vibrantes también se describen.

Abstract translation: 本文描述的系统和方法解决了现有技术中的缺陷，使得能够在蜂窝和/或无线网络中进行空间复用以克服容量限制。 在一个实施例中，通过形成具有基于MEMS的振动天线的便携式通信设备的空间复用网络来克服限制。 还描述了振动天线的其它适当应用。

公开(公告)号：WO2013014321A3

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：PCT/ES2012070569

申请日：2012-07-25

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL ,  MONTANYA SILVESTRE JOSEP ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE ,  BARRACHINA SARALEGUI LAURA

Inventor： MONTANYA SILVESTRE JOSEP ,  VALLE FRAGA JUAN JOSE ,  BARRACHINA SARALEGUI LAURA

IPC: B81C1/00 ,  G01R33/028 ,  G01R33/038 ,  H03H3/007

CPC classification number: G01R33/038 ,  G01R33/0283 ,  G01R33/0286

Abstract: The systems and methods described provide for a magnetometer device that includes a resonating element having an inner wire enclosed in a shielding electrode. The shielding electrode decreases the effect of interference on the resonating element. A sensing electrode is disposed proximate to the resonating element. The device further includes a source for generating current that is connected to the resonating element. The current when applied through the inner wire causes a displacement of the resonating element. The magnetometer device measures a magnetic field of the resonating element as a capacitance variation between the shielding electrode and the sensing electrode. The systems and methods herein provide for an accelerometer device that includes a resonating element having an inner core of dielectric material enclosed in a shielding electrode. The accelerometer device measures an acceleration of the resonating element as a capacitance variation between the shielding electrode and the sensing electrode.

Abstract translation: 所描述的系统和方法提供了一种磁力计装置，其包括具有封闭在屏蔽电极中的内部电线的谐振元件。 屏蔽电极降低对谐振元件的干扰的影响。 传感电极靠近谐振元件设置。 该装置还包括用于产生连接到谐振元件的电流的源。 通过内部线施加的电流导致谐振元件的位移。 磁力计装置测量谐振元件的磁场，作为屏蔽电极和感测电极之间的电容变化。 这里的系统和方法提供了一种加速度计装置，其包括具有封闭在屏蔽电极中的介电材料的内芯的谐振元件。 加速度计装置测量谐振元件的加速度作为屏蔽电极和感测电极之间的电容变化。

公开(公告)号：WO2013014321A2

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/ES2012/070569

申请日：2012-07-25

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL ,  MONTANYÀ SILVESTRE, Josep ,  VALLE FRAGA, Juan José ,  BARRACHINA SARALEGUI, Laura

Inventor： MONTANYÀ SILVESTRE, Josep ,  VALLE FRAGA, Juan José ,  BARRACHINA SARALEGUI, Laura

IPC: G01R33/038

CPC classification number: G01R33/038 ,  G01R33/0283 ,  G01R33/0286

Abstract: Los sistemas y los métodos descritos se proporcionan para un dispositivo de magnetómetro que incluye un elemento resonante que tiene un hilo interior encerrado en un electrodo protector. El electrodo protector disminuye el efecto de interferencia en el elemento resonante. Un electrodo sensible se dispone próximo al elemento resonante; El dispositivo incluye además una fuente para generar corriente que está conectada al elemento resonante. La corriente, cuando se aplica a través del hilo interior, provoca un desplazamiento del elemento resonante. El dispositivo de magnetómetro mide un campo magnético del elemento resonante como una variación de capacitancia entre el electrodo protector y el electrodo sensible. Los sistemas y los métodos de esta memoria descriptiva se proporcionan para un dispositivo de magnetómetro que incluye un elemento resonante que tiene un núcleo interior de material dieléctrico encerrado en un electrodo protector. El dispositivo de acelerómetro mide una aceleración del elemento resonante como una variación de capacitancia entre el electrodo protector y el electrodo sensible.

Abstract translation: 所描述的系统和方法提供了一种磁力计装置，其包括具有封闭在屏蔽电极中的内部电线的谐振元件。 屏蔽电极降低对谐振元件的干扰的影响。 传感电极靠近谐振元件设置。 该装置还包括用于产生连接到谐振元件的电流的源。 通过内部线施加的电流导致谐振元件的位移。 磁力计装置测量谐振元件的磁场，作为屏蔽电极和感测电极之间的电容变化。 这里的系统和方法提供了一种加速度计装置，其包括具有封闭在屏蔽电极中的介电材料的内芯的谐振元件。 加速度计装置测量谐振元件的加速度作为屏蔽电极和感测电极之间的电容变化。

公开(公告)号：WO2012066178A3

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/ES2011070806

申请日：2011-11-21

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL ,  MONTANYA SILVESTRE JOSEP

Inventor： MONTANYA SILVESTRE JOSEP

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0771 ,  H01L21/7682

Abstract: A method for manufacturing an integrated circuit including producing layers that form one or more electrical and/or electronic elements on a semiconductor material substrate followed by an Inter Level Dielectric (ILD) layer. Then, producing interconnection layers comprising the steps of depositing a first layer of etch stopper material above the ILD layer, depositing a second layer of dielectric material above and in contact with the first layer, forming at least one track extending through the first and second layers, and filling the at least one track with a non-metallic material.

Abstract translation: 一种用于制造集成电路的方法，所述集成电路包括制造在半导体材料衬底上形成一个或多个电气和/或电子元件的层，随后是层间电介质（ILD）层。 然后，制造互连层，包括以下步骤：在ILD层上方沉积第一层蚀刻阻挡层材料，在第一层上方并与第一层接触沉积第二层介电材料，形成延伸穿过第一层和第二层的至少一个轨道 以及用非金属材料填充所述至少一个轨道。

公开(公告)号：WO2012066178A2

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/ES2011/070806

申请日：2011-11-21

Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL ,  MONTANYÀ SILVESTRE, Josep

Inventor： MONTANYÀ SILVESTRE, Josep

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0771 ,  H01L21/7682

Abstract: Un método para fabricar un circuito integrado que incluye producir capas que forman uno o más elementos eléctricos y/o electrónicos sobre un sustrato de material semiconductor. A continuación, la producción de capas de ILD por encima de las capas que forman uno o más elementos eléctricos y/o electrónicos incluye las etapas de depositar una primera capa de material de barrera ante el ataque químico superficial, depositar una segunda capa de material dieléctrico por encima de la primera capa y en contacto con ella, formar al menos una pista que se extiende a través de las primera y segunda capas, y llenar la al menos una pista con un material no metálico.

Abstract translation: 一种用于制造集成电路的方法，包括在半导体材料衬底上形成一个或多个电和/或电子元件的层，随后是层间介电层（ILD）层。 然后，产生互连层，包括以下步骤：在ILD层上方沉积第一层蚀刻停止材料层，将第二层介电材料沉积在第一层之上并与第一层接触，形成延伸穿过第一层和第二层的至少一条轨道 ，并且用非金属材料填充所述至少一个轨道。