公开(公告)号：KR20180039709A

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：KR20187007107

申请日：2016-08-09

Applicant: BASF SE

Inventor： REICHARDT ROBERT ,  SIEBERT MAX ,  LAN YONGQING ,  LAUTER MICHAEL ,  USMAN IBRAHIM SHEIK ANSAR ,  GOLZARIAN REZA M ,  WEI TE YU ,  GUEVENC HACI OSMAN ,  PROELSS JULIAN ,  LEUNISSEN LEONARDUS

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02

Abstract: (i) 코발트및/또는 (ii) 코발트합금및 (iii) TiN 및/또는 TaN 을함유하는기판 (S) 의화학기계연마를위한화학기계연마 (CMP) 조성물 (Q) 의용도로서, 상기 CMP 조성물 (Q) 이하기를포함하는 CMP 조성물 (Q) 의용도: (E) 무기입자, (F) 아미노기및 산기 (Y) 를함유하는하나이상의유기화합물 (상기화합물은 n 개의아미노기및 n+1 개이상의산성프로톤을함유하고, n 은정수≥ 1 이다), (G) 각각의 CMP 조성물의총 중량에대해서, 0.2 wt.% 내지 2.5 wt.% 의양의하나이상의산화제, (H) 수성매질, CMP 조성물 (Q) 은 6 초과 9 미만의 pH 를가진다.

公开(公告)号：SG11201807364VA

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：SG11201807364V

申请日：2017-03-13

Applicant: BASF SE

Inventor： LAUTER MICHAEL ,  GUEVENC HACI OSMAN ,  SIEBERT MAX ,  LAN YONGQING ,  USMAN IBRAHIM SHEIK ANSAR ,  GOLZARIAN REZA M ,  WEI TE YU

IPC: C09G1/04

Abstract: Use of a chemical mechanical polishing (CMP) composition (Q) for chemical mechanical polishing of a substrate (S) comprising (i) cobalt and/or (ii) a cobalt alloy, wherein the CMP composition (Q) comprises (A) Inorganic particles (B) a poly(amino acid) and or a salt thereof (C) at least one amino acid, (D) at least one oxidizer (E) an aqueous medium and wherein the CMP composition (Q) has a pH of from 7 to 10.