公开(公告)号：WO2018036964A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/EP2017/071030

申请日：2017-08-21

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  MÜLLER, Andre ,  WENZEL, Hans ,  SUMPF, Bernd ,  PASCHKE, Katrin

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  G02B6/124 ,  G02B6/122

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Wellenleiterstruktur und ein optisches System mit einer Wellenleiterstruktur. Die erfindungsgemäße Wellenleiterstruktur (100) umfasst einen ersten Wellenleiterbereich (10) mit einer konstanten ersten Breite (w 1 ), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L10) zu führen; einen zweiten Wellenleiterbereich (20), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L20) zu führen, wobei die Längsachse (L10) des ersten Wellenleiterbereichs (10) und die Längsachse (L20) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) eine gemeinsame Längsachse (L10, L20) der Wellenleiterstruktur (100) ausbilden, wobei eine erste Stirnfläche des ersten Wellenleiterbereichs (10) und eine erste Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) zueinander ausgerichtet sind, wobei die Breite der ersten Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) der ersten Breite (w 1 ) entspricht, und sich die Breite (w) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) entlang seiner Längsachse (L20) von der ersten Stirnfläche zu einer zweiten Stirnfläche auf eine zweite Breite (w 2 ) größer als die erste Breite (w 1 ) aufweitet; und ein Gitter (40) mit einer Vielzahl von Stegen (42) und Gräben (44), wobei das Gitter (40) entlang der gemeinsamen Längsachse (L10, L20) im zweiten Wellenleiterbereich (20) angeordnet ist.

Abstract translation: 本发明涉及波导结构和具有波导结构的光学系统。 本发明BEAR ROAD波导结构（100）包括以恒定的第一宽度的第一波导区（10）（瓦特<子> 1 ），适于将所述电磁波模式沿其L-保持BEAR纵向轴线（L10）至f导航用途 ;铅; 第二波导区（20），适合于沿着它的L＆AUML模式电磁波防腐剂，铅，其中L- BEAR;纵向轴线（L20）至f导航用途纵向轴线（L10）的第一波导区（10）和L＆AUML的;纵向轴线（L20），第二的 形成波导结构（100），其特征在于，一个第一端面BEAR的纵向轴线（L10，L20）;具有所述第一波导区域的公共L＆AUML表面（10）和第二波导区域的第一端面BEAR面波导区（20）（20）彼此，其特征在于，对准 第二波导区（20）的所述第一端面BEAR表面的宽度，所述第一宽度（w <子> 1 ），并沿着它的L中的第二波导区域（20）的宽度（w）BEAR纵向轴线（L20） 从第一端面BEAR表面到第二端面BEAR表面至第二宽度（w <子> 2 ）GR＆ouml;道路它比所述第一宽度（w <子> 1 ）膨胀; 和具有多个焊盘（42）和Gr＆AUML网格（40）;沿着共同大号BEAR纵向轴线（L10，L20）本（44），所述光栅（40）设置在所述第二波导区域（20）

公开(公告)号：WO2003096498A2

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：PCT/EP2003/004836

申请日：2003-05-08

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  RESSEL, Peter ,  ERBERT, Götz

Inventor： RESSEL, Peter ,  ERBERT, Götz

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0282

Abstract: Ziel des Verfahrens ist eine Vereinfachung bisher bekannter Passivierungsverfahren. Nach dem Verfahren werden die Halbleiterbauelemente erwärmt und unter Hochvakuum mit einem gasförmigen, reaktiven und niederenergetischen Medium gereinigt und in-situ wird eine geschlossene, isolierende oder niedrigleitende, lichtdurchlässige Schutzschicht aufgebracht, die in Bezug auf das Material an der Spiegelfläche sowie verbliebener Komponenten des Eigenoxids inert ist. In einer bevorzugten Realisierung ist das optische Halbleiterbauelement ein GaAs-basierende Halbleiterlaser, das reaktive und niederenergetische Medium ist atomarer Wasserstoff und die Schutzschicht besteht aus ZnSe.

Abstract translation: 该过程的目的是已知的钝化的简化。 根据该方法，该半导体器件被加热并与气态反应性和低能量介质和原位施加一个封闭的，绝缘的或低导电性的，半透明的保护层的高真空下清洗，惰性相对于在反射镜表面的材料，以及本征氧化物的其余部件 是。 在一个优选的实施方式中，光半导体装置是基于GaAs的半导体激光器，和反应性低能量介质是氢原子，和所述保护层由硒化锌的。

公开(公告)号：WO2017001062A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：PCT/EP2016/055019

申请日：2016-03-09

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： FRICKE, Jörg ,  ERBERT, Götz ,  CRUMP, Paul ,  DECKER, Jonathan

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/1225 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2086

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Laserdiode (100) umfassend: eine aktive Schicht (10); einen die aktive Schicht (10) zumindest teilweise umgebenden wellenführenden Bereich (12); eine Rückfacette (14); eine zur Auskopplung von Laserstrahlung ausgelegte Frontfacette (16), wobei sich die aktive Schicht (10) zumindest teilweise entlang einer ersten Achse (X) zwischen der Rückfacette (14) und der Frontfacette (16) erstreckt; und ein Gitter (18), das mit dem wellenführenden Bereich (12) wirkverbunden ist, wobei das Gitter (18) eine Vielzahl von Stegen (22) und Gräben (24) umfasst, dadurch gekennzeichnet, die Vielzahl der Gräben (24) derart ausgebildet ist, dass ein mittlerer Anstieg eines Kopplungsparameters P für die Vielzahl der Gräben (24) entlang des Gitters (18) ungleich Null ist, wobei der Kopplungsparameter P eines Grabens (24) durch die Formel (I) definiert ist, wobei d res ein Abstand des Grabens (24) zur aktiven Schicht (10), w eine Breite des Grabens (24) und Δ n der Brechzahlunterschied zwischen einer Brechzahl des Grabens (24) und einer Brechzahl eines den Graben (24) umgebenden Materials ist. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Laserdiode, bei der eine verteilte Rückkopplung über ein Oberflächengitter hoher Ordnung bei einseitiger Strahlungsauskopplung erfolgt und bei der die Kopplungsstärke des Gitters an die Leistungsdichte der in der Laserdiode geführten Welle angepasst ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种激光二极管（100），包括：有源层（10）; 有源层（10）至少部分地围绕所述波导区（12）; 一后端面（14）; 一个设计用于激光辐射前端面（16），其中所述活性层（10）至少沿第一轴（X）部分地在后端面（14）和前小平面（16）之间延伸的耦合; 并且其可操作地连接到导波区域（12）的格栅（18），所述栅格（18）的多个焊盘（22）和沟槽（24）的，其特征在于，所述多个沟槽（24）被设计成 是一个耦合参数P的沿光栅（18），所述多个沟槽（24）的平均增加是不为零，其特征在于，一个沟槽（24）由式（I）的耦合参数P被定义，其中d RES，一个距离 该沟槽（24）与有源层（10），w为所述沟槽（24）和周围材料中的沟槽（24）的折射率的折射率之间的折射率差的沟槽（24）和.DELTA.n的宽度。 特别地，本发明涉及其中分布式反馈光栅表面上的高次与片面辐射耦合，并且其中所述光栅的耦合强度适于在激光二极管的导波的功率密度下进行激光二极管。

公开(公告)号：WO2003058685A2

公开(公告)日：2003-07-17

申请号：PCT/DE2003/000072

申请日：2003-01-08

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

Inventor： BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01S5/12 ,  G02B5/1857 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1231

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge eines Halbleiterkörpers mit den zugehörigen Schichtdicken und Brechungsindices mittels Ätzen. Die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und ein Bauelement zu entwickeln, mit dem Braggsche Gitter mit Tastverhältnissen, die deutlich von 1/2 verschieden sind, mit holografischer Belichtung hergestellt werden können, und mit dem eine genaue Einstellung und Kontrolle des Tastverhältnisses des Braggschen Gitters ohne die Maskierungsschicht im gleichen Tastverhältnis zu strukturieren und ohne die Verwendung bzw. Veränderung einer Elektronenstrahlbelichtung gewährleistet wird, wird dadurch gelöst, dass Schichtdicken und Brechungsindices einer Halbleiterschichtenfolge, in die das Braggsche Gitter geätzt wird, so gewählt werden, ein definiertes Tastverhältnis und eine definierte Differenz der effektiven Brechzahlen eingestellt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过蚀刻来生产与相应的层厚度和折射率的半导体本体的半导体层序列的布拉格光栅。 本发明的目的是开发一种方法和其可与从1/2全息曝光与布拉格光栅和与显著不同占空比被制造的装置的精确调节和控制所述布拉格光栅的占空比的不 在相同的占空比结构化掩模层并保证在不使用或改变在电子束曝光在该层的厚度和半导体层序列，其中，所述布拉格光栅被蚀刻，的折射率实现是这样选择的，定义的脉冲占空因数，并在限定的差 有效折射率设置。

公开(公告)号：WO2020156775A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/050462

申请日：2020-01-09

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  KNIGGE, Steffen ,  MARTIN, Christian Dominik ,  MAASSDORF, Andre ,  DELLA CASA, Pietro ,  KNIGGE, Andrea ,  CRUMP, Paul

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/223 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/20 ,  H01S5/16 ,  H01S5/30 ,  H01S5/026

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zu Erzeugung von Laserstrahlung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode anzugeben, die gleichzeitig einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Fernfelddivergenz aufweist. Der erfindungsgemäßer Diodenlaser umfasst eine Strombarriere (5), dadurch gekennzeichnet, dass sich die Strombarriere (5) entlang einer dritten Achse (X) erstreckt, wobei die Strombarriere (5) mindestens eine Öffnung aufweist, und eine erste Breite (W1) der Öffnung der Strombarriere (5) entlang der dritten Achse (X) kleiner als eine zweite Breite (W2) des metallischen p-Kontaktes (8) entlang der dritten Achse (X) ist.

公开(公告)号：WO2007141207A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/EP2007/055391

申请日：2007-06-01

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  GÜTHER, Reiner ,  ERBERT, Götz

Inventor： GÜTHER, Reiner ,  ERBERT, Götz

IPC: G02B3/08 ,  G02B27/09

CPC classification number: G02B27/0955 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/124 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0052

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Strahlformungsoptik, die Strahlung, welche durch eine Punktlichtquelle in einem planaren Wellenleiter emittiert wird, stigmatisch fokussiert. Derartige Lichtquellen liegen beispielsweise in der Form bestimmter Hochleistungshalbleiter-Laser-Dioden vor, insbesondere bei den Taperlasern. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Lichtaustrittsfläche (S 1 ) des Wellenleiters (11) und dem Bildpunkt (P B ) mindestens eine geschlossene, durch Brechung abbildend wirkende Grenzfläche (S 2 ) der Flächenform z 2 =z 2 (x 2 ,y 2 ) angeordnet ist, wobei entlang der optischen Achse (Z) hinter der Grenzfläche (S 2 ) ein optisches Medium (22) angeordnet ist, und wobei die Lichtaustrittsfläche (S 1 ) und die Grenzfläche (S 2 ) in einem ersten paraxialen Abstand (a 1 ) zueinander und die Grenzfläche (S 2 ) und der Bildpunkt (P B ) in einem zweiten paraxialen Abstand (a 2 ) zueinander angeordnet sind, und die Grenzfläche (S 2 ) über die Lösung eines Gleichungssystems definiert ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种光学光束整形系统，这是由在一个平面波导的点光源发射的辐射，stigmatically聚焦。 这种光源是，例如，在某些高功率半导体激光二极管的形式，特别是在Taperlasern。 （S _{1 ）本发明的特征在于，所述光出射表面之间的波导（11）和像素（P 乙）中的至少一个封闭的，映射作用通过折射界面（ 表面形状ž 2 = Z 2 （X 2 ，Y 2 2 ） 布置>），其中> 2 ），光学介质（22）被布置成沿光轴（Z）的界面后面（S 1 ）及接口（S 2 ）（在第一近轴距离的 1 ）对于彼此和所述接口（S 2 ）和像素（ 由等式系统的解定义P 乙）（在第二近轴距离的 2 ）被布置成彼此，和接口（S 2 ） 是。}

公开(公告)号：WO2003096498A3

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：PCT/EP2003/004836

申请日：2003-05-08

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  RESSEL, Peter ,  ERBERT, Götz

Inventor： RESSEL, Peter ,  ERBERT, Götz

IPC: H01S5/028

Abstract: Ziel des Verfahrens ist eine Vereinfachung bisher bekannter Passivierungsverfahren. Nach dem Verfahren werden die Halbleiterbauelemente erwärmt und unter Hochvakuum mit einem gasförmigen, reaktiven und niederenergetischen Medium gereinigt und in-situ wird eine geschlossene, isolierende oder niedrigleitende, lichtdurchlässige Schutzschicht aufgebracht, die in Bezug auf das Material an der Spiegelfläche sowie verbliebener Komponenten des Eigenoxids inert ist. In einer bevorzugten Realisierung ist das optische Halbleiterbauelement ein GaAs-basierende Halbleiterlaser, das reaktive und niederenergetische Medium ist atomarer Wasserstoff und die Schutzschicht besteht aus ZnSe.

公开(公告)号：WO2016131910A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/EP2016/053442

申请日：2016-02-18

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： FRICKE, Jörg ,  DECKER, Jonathan ,  CRUMP, Paul ,  ERBERT, Götz

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/042 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50 ,  H01S5/20 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/1064 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/50

Abstract: Die Laserdiode (10) der Erfindung weist zumindest eine aktive Schicht (12) auf, die innerhalb eines Resonators (14) angeordnet und mit einem Auskoppeleiement (16) wirkverbunden ist und weiterhin zumindest eine Kontaktschicht (18) zum Einkoppeln von Ladungsträgern in die aktive Schicht (12), wobei der Resonator (14) mindestens eine erste Sektion (20) und eine zweite Sektion (22) aufweist, wobei sich die maximale Breite (W1) der aktiven Schicht (12) in der ersten Sektion (20) von der maximalen Breite (W2) der aktiven Schicht (12) in der zweiten Sektion (22) unterscheidet, und Projektion der Kontaktschicht (18) entlang einer ersten sich senkrecht zur aktiven Schicht (12) erstreckenden ersten Achse ( Z 1) sowohl mit der ersten Sektion (20) als auch mit der zweiten Sektion (22) überlappt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die zweite Sektion (22) eine Vielzahl separater Widerstandselemente (24) aufweist, deren spezifischer elektrischer Widerstand größer als der spezifische elektrische Widerstand der Bereiche (26) zwischen benachbarten Widerstandselemente (24) ist, wobei eine Breite (W3) der Widerstandselemente (24) entlang einer Längsachse (X1) der aktiven Schicht (12) kleiner als 20 µm ist und eine Projektion der Widerstandselemente (24) auf die aktive Schicht (12) entlang der ersten Achse (Z1) mit mindestens 10 % der aktiven Schicht (12) überlappt.

Abstract translation: 本发明的激光二极管（10）包括至少一个活性层（12），设置在谐振器（14）内，并且可操作地连接到一个Auskoppeleiement（16）并且还包括至少一个接触层（18）用于注入电荷载流子向活性层 （12），其中，所述谐振器（14）包括至少的一个第一部分（20）和第二部分（22），其中所述有源层的最大宽度（W1）（12）在第一部分（20）的最大 宽度在所述第二部分（22）的不同之处有源层（12）的（W2），并与第一部分中的接触层（18）沿着第一垂直延伸的第一轴（Z1）在有源层（12）的突起（20 （）和与第二部分22）重叠。 根据本发明，提供的是所述第二部分（22）的多个单独的电阻器元件（24），其比电阻比所述区域的相邻电阻元件之间的电阻率（26），（24），大于其中的宽度（W3） 电阻元件（24）沿所述有源层的纵向轴线（X1）（12）小于20微米，和在有源层（12）上的电阻元件（24）的投影沿所述第一轴（Z1）与活性层的至少10％的 （12）重叠。

公开(公告)号：WO2012034972A2

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/EP2011/065751

申请日：2011-09-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  CRUMP, Paul ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

Inventor： CRUMP, Paul ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/20 ,  A61B18/203 ,  A61B2018/00476 ,  A61B2090/049 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/185

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Lichtquelle mit gleichzeitig hohem Wirkungsgrad und hoher Augensicherheit anzugeben. Dazu soll die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die erste Wellenleiterschicht (12), die zweite Wellenleiterschicht (16) und die zweite Mantelschicht (18) derart ausgebildet sein, dass 0,01 μm ≤ d wL ≤ 1,0 μm und Δn ≥ 0,04 gilt, wobei d wL die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) ist und Δn ein Maximum der Brechzahldifferenz zwischen der ersten Mantelschicht (14) und der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahldifferenz zwischen der zweiten Wellenleiterschicht (16) und der zweiten Mantelschicht (18) ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种高效率和高眼睛安全性的激光二极管。 本发明的目的是提供同时具有高效率和高度安全性的光源。 对于这一点，在有源层（10），所述第一包层（14），所述第一波导层（12），第二波导层（16）和所述第二包层（18）应该被构造成使得0.01微米≤d <子> WL ≤1.0微米和.DELTA.n≥0.04成立，其中d <子> WL 所述第一波导层（12），有源层（10）的层厚度的厚度之和与该层厚度 是所述第二波导层（16）和.DELTA.n是一个最大的第一包层（14）和所述第一波导层（12）和所述第二波导层（16）和所述第二包层（18）之间的折射率差的折射率差的

公开(公告)号：WO2011020923A2

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/EP2010/062256

申请日：2010-08-23

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ERBERT, Götz ,  SPREEMANN, Martin ,  WENZEL, Hans ,  FRICKE, Jörg

Inventor： ERBERT, Götz ,  SPREEMANN, Martin ,  WENZEL, Hans ,  FRICKE, Jörg

CPC classification number: H01S5/125 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1089 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/2036 ,  H01S2301/166

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität ohne Verwendung eines externen Resonators, insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Breitstreifenlaser mit hohen Ausgangsleistungen. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser und einen Laserresonator für einen Diodenlaser anzugeben, der bei hohen Ausgangsleistungen eine hohe laterale Strahlqualität aufweist, einen geringen Justageaufwand erfordert und preiswert herstellbar ist. Der erfindungsgemäße Laserresonator weist eine Gewinnsektion (GS), einen ersten planaren Bragg Reflektor (DBR1) und einen zweiten planaren Bragg Reflektor (DBR2) auf, wobei die Gewinnsektion (GS) trapezförmig ausgebildet ist und der erste planare Bragg Reflektor (DBR1) an einer ersten Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) und der zweite planare Bragg Reflektor (DBR2) an der gegenüberliegenden Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) angeordnet sind, wobei sich die Breite (D1) des ersten planaren Bragg Reflektors (DBR1) von der Breite (D2) des zweiten planaren Bragg Reflektors (DBR1) unterscheidet.

Abstract translation: 本发明涉及一种二极管激光器和一个激光谐振器为具有改进的横向光束质量的二极管激光器，而无需使用外部谐振器，特别是，本发明涉及一种宽条形激光器具有高输出功率。 本发明提供一种二极管激光器和一个激光谐振器为二极管激光器，其具有在高功率输出的高侧的光束质量的目的，要求在调整一个低的费用和制造成本低。 根据本发明的激光谐振器包括一个增益部分（GS），第一平面布拉格反射器（DBR1）和第二平面布拉格反射器（DBR2），其中，所述增益部（GS）在形状上是梯形的，并且在第一第一平面布拉格反射器（DBR1） 梯形增益部（GS）和在梯形增益部分（GS）的相对的基侧上的第二平面布拉格反射器（DBR2）的基端侧被布置，其中，所述宽度在第一平面反射镜的宽度的（DBR1）的（D1）（D2） 第二平面布拉格反射器（DBR1）不同。