公开(公告)号：WO2018036964A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/EP2017/071030

申请日：2017-08-21

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  MÜLLER, Andre ,  WENZEL, Hans ,  SUMPF, Bernd ,  PASCHKE, Katrin

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  G02B6/124 ,  G02B6/122

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Wellenleiterstruktur und ein optisches System mit einer Wellenleiterstruktur. Die erfindungsgemäße Wellenleiterstruktur (100) umfasst einen ersten Wellenleiterbereich (10) mit einer konstanten ersten Breite (w 1 ), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L10) zu führen; einen zweiten Wellenleiterbereich (20), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L20) zu führen, wobei die Längsachse (L10) des ersten Wellenleiterbereichs (10) und die Längsachse (L20) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) eine gemeinsame Längsachse (L10, L20) der Wellenleiterstruktur (100) ausbilden, wobei eine erste Stirnfläche des ersten Wellenleiterbereichs (10) und eine erste Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) zueinander ausgerichtet sind, wobei die Breite der ersten Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) der ersten Breite (w 1 ) entspricht, und sich die Breite (w) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) entlang seiner Längsachse (L20) von der ersten Stirnfläche zu einer zweiten Stirnfläche auf eine zweite Breite (w 2 ) größer als die erste Breite (w 1 ) aufweitet; und ein Gitter (40) mit einer Vielzahl von Stegen (42) und Gräben (44), wobei das Gitter (40) entlang der gemeinsamen Längsachse (L10, L20) im zweiten Wellenleiterbereich (20) angeordnet ist.

Abstract translation: 本发明涉及波导结构和具有波导结构的光学系统。 本发明BEAR ROAD波导结构（100）包括以恒定的第一宽度的第一波导区（10）（瓦特<子> 1 ），适于将所述电磁波模式沿其L-保持BEAR纵向轴线（L10）至f导航用途 ;铅; 第二波导区（20），适合于沿着它的L＆AUML模式电磁波防腐剂，铅，其中L- BEAR;纵向轴线（L20）至f导航用途纵向轴线（L10）的第一波导区（10）和L＆AUML的;纵向轴线（L20），第二的 形成波导结构（100），其特征在于，一个第一端面BEAR的纵向轴线（L10，L20）;具有所述第一波导区域的公共L＆AUML表面（10）和第二波导区域的第一端面BEAR面波导区（20）（20）彼此，其特征在于，对准 第二波导区（20）的所述第一端面BEAR表面的宽度，所述第一宽度（w <子> 1 ），并沿着它的L中的第二波导区域（20）的宽度（w）BEAR纵向轴线（L20） 从第一端面BEAR表面到第二端面BEAR表面至第二宽度（w <子> 2 ）GR＆ouml;道路它比所述第一宽度（w <子> 1 ）膨胀; 和具有多个焊盘（42）和Gr＆AUML网格（40）;沿着共同大号BEAR纵向轴线（L10，L20）本（44），所述光栅（40）设置在所述第二波导区域（20）

公开(公告)号：WO2012097947A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：PCT/EP2011/074133

申请日：2011-12-28

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  CRUMP, Paul

Inventor： ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  CRUMP, Paul

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/2018 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/18

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode mit hohem Wirkungsgrad, geringem optischen Verlust und geringem ohmschen Widerstand anzugeben. Darüber hinaus soll die erfindungsgemäße Laserdiode preiswert herstellbar sein. Die erfindungsgemäße Laserdiode weist eine erste n-leitend ausgebildete Mantelschicht (14), eine erste n-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (12), die auf der ersten Mantelschicht (14) angeordnet ist, eine aktive Schicht (10), die zur Strahlungserzeugung geeignet ist und die auf der ersten Wellenleiterschicht (12) angeordnet ist, eine zweite p-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (16), die auf der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, und eine zweite p-leitend ausgebildete Mantelschicht (18), die auf der zweiten Wellenleiterschicht (16) angeordnet ist, auf, wobei erfindungsgemäß die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) größer als 1 μm ist und die Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) kleiner als 150 nm ist, wobei die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die zweite Mantelschicht (18), die erste Wellenleiterschicht (12) und die zweite Wellenleiterschicht (16) derart ausgebildet sind, dass die maximale Modenintensität der Grundmode (24) in einem Bereich außerhalb der aktiven Schicht (10) liegt, und wobei die Differenz der Brechzahl der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahl der ersten Mantelschicht (14) zwischen 0,04 und 0,01 beträgt.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有高效率的激光二极管。 本发明提供具有高效率，低光学损耗和低欧姆电阻的激光二极管的一个目的。 另外，本发明的激光二极管被廉价地制造。 根据本发明的激光二极管包括：第一n型导电性形成鞘（14），（12），设置在所述第一n型导电性形成波导层的第一包层（14），有源层（10），其适合于产生辐射，并且 与第一波导层（12）被布置在，形成在所述有源层上的p型导电性形成第二波导层（16）（10）被设置，并形成了p型导电性的第二覆盖层（18）形成在所述第二波导层上 （16）设置在，其特征在于，根据本发明的大于1微米并且所述第二波导层的（层厚度的第一波导层（12），有源层（10）的层的厚度和所述第二波导层（16）的层厚度的厚度的总和 16）小于150纳米，其中所述活性层（10），所述第一包层（14），第二包层（18），所述第一波导层（12）和二 È第二波导层（16）被形成为使得所述基模的最大模强度（24）位于的区域中的有源层（10）的外部，并且其中，在所述第一波导层（12）和所述第一包层的折射率的折射率的差（ 14）为0.04〜0.01。

公开(公告)号：WO2003058685A3

公开(公告)日：2003-07-17

申请号：PCT/DE2003/000072

申请日：2003-01-08

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

Inventor： BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01S5/12

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge eines Halbleiterkörpers mit den zugehörigen Schichtdicken und Brechungsindices mittels Ätzen. Die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und ein Bauelement zu entwickeln, mit dem Braggsche Gitter mit Tastverhältnissen, die deutlich von 1/2 verschieden sind, mit holografischer Belichtung hergestellt werden können, und mit dem eine genaue Einstellung und Kontrolle des Tastverhältnisses des Braggschen Gitters ohne die Maskierungsschicht im gleichen Tastverhältnis zu strukturieren und ohne die Verwendung bzw. Veränderung einer Elektronenstrahlbelichtung gewährleistet wird, wird dadurch gelöst, dass Schichtdicken und Brechungsindices einer Halbleiterschichtenfolge, in die das Braggsche Gitter geätzt wird, so gewählt werden, ein definiertes Tastverhältnis und eine definierte Differenz der effektiven Brechzahlen eingestellt wird.

公开(公告)号：WO2003058685A2

公开(公告)日：2003-07-17

申请号：PCT/DE2003/000072

申请日：2003-01-08

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

Inventor： BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01S5/12 ,  G02B5/1857 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1231

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge eines Halbleiterkörpers mit den zugehörigen Schichtdicken und Brechungsindices mittels Ätzen. Die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und ein Bauelement zu entwickeln, mit dem Braggsche Gitter mit Tastverhältnissen, die deutlich von 1/2 verschieden sind, mit holografischer Belichtung hergestellt werden können, und mit dem eine genaue Einstellung und Kontrolle des Tastverhältnisses des Braggschen Gitters ohne die Maskierungsschicht im gleichen Tastverhältnis zu strukturieren und ohne die Verwendung bzw. Veränderung einer Elektronenstrahlbelichtung gewährleistet wird, wird dadurch gelöst, dass Schichtdicken und Brechungsindices einer Halbleiterschichtenfolge, in die das Braggsche Gitter geätzt wird, so gewählt werden, ein definiertes Tastverhältnis und eine definierte Differenz der effektiven Brechzahlen eingestellt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过蚀刻来生产与相应的层厚度和折射率的半导体本体的半导体层序列的布拉格光栅。 本发明的目的是开发一种方法和其可与从1/2全息曝光与布拉格光栅和与显著不同占空比被制造的装置的精确调节和控制所述布拉格光栅的占空比的不 在相同的占空比结构化掩模层并保证在不使用或改变在电子束曝光在该层的厚度和半导体层序列，其中，所述布拉格光栅被蚀刻，的折射率实现是这样选择的，定义的脉冲占空因数，并在限定的差 有效折射率设置。

公开(公告)号：WO2020156775A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/050462

申请日：2020-01-09

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  KNIGGE, Steffen ,  MARTIN, Christian Dominik ,  MAASSDORF, Andre ,  DELLA CASA, Pietro ,  KNIGGE, Andrea ,  CRUMP, Paul

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/223 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/20 ,  H01S5/16 ,  H01S5/30 ,  H01S5/026

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zu Erzeugung von Laserstrahlung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode anzugeben, die gleichzeitig einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Fernfelddivergenz aufweist. Der erfindungsgemäßer Diodenlaser umfasst eine Strombarriere (5), dadurch gekennzeichnet, dass sich die Strombarriere (5) entlang einer dritten Achse (X) erstreckt, wobei die Strombarriere (5) mindestens eine Öffnung aufweist, und eine erste Breite (W1) der Öffnung der Strombarriere (5) entlang der dritten Achse (X) kleiner als eine zweite Breite (W2) des metallischen p-Kontaktes (8) entlang der dritten Achse (X) ist.

公开(公告)号：WO2012034972A2

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/EP2011/065751

申请日：2011-09-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  CRUMP, Paul ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

Inventor： CRUMP, Paul ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/20 ,  A61B18/203 ,  A61B2018/00476 ,  A61B2090/049 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/185

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Lichtquelle mit gleichzeitig hohem Wirkungsgrad und hoher Augensicherheit anzugeben. Dazu soll die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die erste Wellenleiterschicht (12), die zweite Wellenleiterschicht (16) und die zweite Mantelschicht (18) derart ausgebildet sein, dass 0,01 μm ≤ d wL ≤ 1,0 μm und Δn ≥ 0,04 gilt, wobei d wL die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) ist und Δn ein Maximum der Brechzahldifferenz zwischen der ersten Mantelschicht (14) und der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahldifferenz zwischen der zweiten Wellenleiterschicht (16) und der zweiten Mantelschicht (18) ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种高效率和高眼睛安全性的激光二极管。 本发明的目的是提供同时具有高效率和高度安全性的光源。 对于这一点，在有源层（10），所述第一包层（14），所述第一波导层（12），第二波导层（16）和所述第二包层（18）应该被构造成使得0.01微米≤d <子> WL ≤1.0微米和.DELTA.n≥0.04成立，其中d <子> WL 所述第一波导层（12），有源层（10）的层厚度的厚度之和与该层厚度 是所述第二波导层（16）和.DELTA.n是一个最大的第一包层（14）和所述第一波导层（12）和所述第二波导层（16）和所述第二包层（18）之间的折射率差的折射率差的

公开(公告)号：WO2011020923A2

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/EP2010/062256

申请日：2010-08-23

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ERBERT, Götz ,  SPREEMANN, Martin ,  WENZEL, Hans ,  FRICKE, Jörg

Inventor： ERBERT, Götz ,  SPREEMANN, Martin ,  WENZEL, Hans ,  FRICKE, Jörg

CPC classification number: H01S5/125 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1089 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/2036 ,  H01S2301/166

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität ohne Verwendung eines externen Resonators, insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Breitstreifenlaser mit hohen Ausgangsleistungen. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser und einen Laserresonator für einen Diodenlaser anzugeben, der bei hohen Ausgangsleistungen eine hohe laterale Strahlqualität aufweist, einen geringen Justageaufwand erfordert und preiswert herstellbar ist. Der erfindungsgemäße Laserresonator weist eine Gewinnsektion (GS), einen ersten planaren Bragg Reflektor (DBR1) und einen zweiten planaren Bragg Reflektor (DBR2) auf, wobei die Gewinnsektion (GS) trapezförmig ausgebildet ist und der erste planare Bragg Reflektor (DBR1) an einer ersten Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) und der zweite planare Bragg Reflektor (DBR2) an der gegenüberliegenden Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) angeordnet sind, wobei sich die Breite (D1) des ersten planaren Bragg Reflektors (DBR1) von der Breite (D2) des zweiten planaren Bragg Reflektors (DBR1) unterscheidet.

Abstract translation: 本发明涉及一种二极管激光器和一个激光谐振器为具有改进的横向光束质量的二极管激光器，而无需使用外部谐振器，特别是，本发明涉及一种宽条形激光器具有高输出功率。 本发明提供一种二极管激光器和一个激光谐振器为二极管激光器，其具有在高功率输出的高侧的光束质量的目的，要求在调整一个低的费用和制造成本低。 根据本发明的激光谐振器包括一个增益部分（GS），第一平面布拉格反射器（DBR1）和第二平面布拉格反射器（DBR2），其中，所述增益部（GS）在形状上是梯形的，并且在第一第一平面布拉格反射器（DBR1） 梯形增益部（GS）和在梯形增益部分（GS）的相对的基侧上的第二平面布拉格反射器（DBR2）的基端侧被布置，其中，所述宽度在第一平面反射镜的宽度的（DBR1）的（D1）（D2） 第二平面布拉格反射器（DBR1）不同。

公开(公告)号：WO2006045632A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：PCT/EP2005/011656

申请日：2005-10-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  WENZEL, Hans ,  JOHN, Wilfried ,  GÜTHER, Reiner

Inventor： ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  WENZEL, Hans ,  JOHN, Wilfried ,  GÜTHER, Reiner

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  H01S5/125

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/124 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optisches Element mit einer planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1), auf deren Oberfläche ein Braggsches Gitter (5) und ein Rippenwellenleiter (6) angeordnet sind sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches Element mit einem Braggschen Gitter (5) mit Rippenwellenleiter (6) anzugeben, welches bei vorgegebenen optischen Anforderungen kostengünstiger und schneller als nach dem Stand der Technik hergestellt werden kann. Dazu wird eine Fotolackschichtstruktur (3) auf einer im Wesentlichen ebenen planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1) ausgebildet, wobei die Fotolackschichtstruktur (3) im Wesentlichen der Struktur des Braggschen Gitters (5) und des Rippenwellenleiters (6) entspricht und im Bereich des Braggschen Gitters (5) im Wesentlichen linienförmig mit einer Stegbreite ausgebildet wird, die mindestens 70 % des Abstandes zweier benachbarter Linien entspricht, nachfolgend die planare vertikale Wellenleiterstruktur (1) mit darauf angeordneter Fotolackschichtstruktur (3) geätzt und die Fotolackschichtstruktur (3) von der planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1) abgelöst.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有平面垂直波导结构的光学元件（1），其表面的布拉格光栅（5）和一个脊形波导（6）被布置，以及用于其生产的方法上。 这是本发明的一个目的，具有布拉格光栅的光学元件（5）肋形波导（6），其可以制造更便宜，比在预定的光学要求在现有技术中更快提供。 为了这个目的，一个光致抗蚀剂层结构（3）（1）上形成有大致平坦的平面垂直波导结构中，光致抗蚀剂层结构（3）基本上对应于布喇格光栅（5）和肋状波导（6）和结构（在布喇格光栅的区域 在与web宽度是两条相邻线之间的距离的至少70％的基本上线性的方式形成5），随后被蚀刻，平面垂直波导结构（1）具有设置在其上的光致抗蚀剂层的结构（3）和所述光致抗蚀剂层结构（3）从平面垂直波导结构（ 1）分离。

公开(公告)号：EP3501069A1

公开(公告)日：2019-06-26

申请号：EP17758120.4

申请日：2017-08-21

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  MÜLLER, Andre ,  WENZEL, Hans ,  SUMPF, Bernd ,  PASCHKE, Katrin

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  G02B6/124 ,  G02B6/122

公开(公告)号：EP1464098B1

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：EP03729213.3

申请日：2003-01-08

Applicant: Forschungsverbund Berlin e.V.

Inventor： BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01S5/12 ,  G02B5/18

CPC classification number: H01S5/12 ,  G02B5/1857 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1231

Abstract: The invention relates to a method for the production of a Bragg lattice in a semiconductor layer sequence having corresponding layer thicknesses and refraction indices by means of etching. The aim of the invention is to develop a method and a component enabling the production of Bragg lattices with pulse duty factors which are significantly different from â by means of holographic exposure, whereby the pulse duty factor of the Bragg lattice can be precisely adjusted and controlled without structuring the masking layer for the same duty factor and without using or modifying electron beam exposure. This is achieved by selecting the layer thicknesses and refraction indices of a semiconductor sequence into which the Bragg lattice is etched in such a way that a defined pulse duty factor and a defined difference in the effective index of refraction can be obtained.