公开(公告)号：WO2020156775A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/050462

申请日：2020-01-09

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  KNIGGE, Steffen ,  MARTIN, Christian Dominik ,  MAASSDORF, Andre ,  DELLA CASA, Pietro ,  KNIGGE, Andrea ,  CRUMP, Paul

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/223 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/20 ,  H01S5/16 ,  H01S5/30 ,  H01S5/026

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zu Erzeugung von Laserstrahlung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode anzugeben, die gleichzeitig einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Fernfelddivergenz aufweist. Der erfindungsgemäßer Diodenlaser umfasst eine Strombarriere (5), dadurch gekennzeichnet, dass sich die Strombarriere (5) entlang einer dritten Achse (X) erstreckt, wobei die Strombarriere (5) mindestens eine Öffnung aufweist, und eine erste Breite (W1) der Öffnung der Strombarriere (5) entlang der dritten Achse (X) kleiner als eine zweite Breite (W2) des metallischen p-Kontaktes (8) entlang der dritten Achse (X) ist.

公开(公告)号：WO2012150177A2

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：PCT/EP2012/057665

申请日：2012-04-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KNIGGE, Andrea ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Hans-Joachim

Inventor： KNIGGE, Andrea ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Hans-Joachim

IPC: H01L31/102

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen UV-Photodetektor mit hoher Empfindlichkeit und einem geringen Dunkelstrom. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen UV-Photodetektor anzugeben, der eine hohe Empfindlichkeit und einen geringen Dunkelstrom aufweist. Erfindungsgemäß weisen die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) eine Deckschicht (30) aus einem zweiten halbleitenden Material auf, wobei die Deckschicht (30) auf der Absorberschicht (12) angeordnet ist und die Absorberschicht (12) im Bereich der Finger (18, 24) direkt kontaktiert, und das erste halbleitende Material und das zweite halbleitende Material derart ausgebildet sind, dass sich an der Grenzschicht zwischen der Absorberschicht (12) und der Deckschicht (30) im Bereich der Finger (18, 24) ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) ausbildet.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有高灵敏度和低暗电流UV光检测器。 本发明提供一种具有高灵敏度和低暗电流UV光电探测器的一个目的。 根据本发明，所述第一电极结构的所述指状物（18）（14）和第二电极结构的指状物（24）（20）包括第二半导体材料的顶层（30）被设置，其中所述覆盖层（30）的吸收体层（12）上 并且在手指（18，24）直接接触，并且所述第一半导体材料和第二半导体材料的区域中的吸收层（12）被形成为使得在吸收层（12）和所述外层之间的边界层（30） 在手指（18，24）的区域形成的二维电子气（2DEG）。

公开(公告)号：EP2705541A2

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：EP12723394.8

申请日：2012-04-26

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： KNIGGE, Andrea ,  WEYERS, Markus ,  WÜRFL, Hans-Joachim

IPC: H01L31/102

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a UV photodetector having high sensitivity and a low dark current. The aim of the invention is to specify a UV photodetector that has high sensitivity and a low dark current. According to the invention, the fingers (18) of the first electrode structure (14) and the fingers (24) of the second electrode structure (20) comprise a cover layer (30) made of a second semiconducting material, wherein the cover layer (30) is arranged on the absorber layer (12) and directly contacts the absorber layer (12) in the region of the fingers (18, 24), and the first semiconducting material and the second semiconducting material are designed in such a way that a two-dimensional electron gas (2DEG) is formed at the boundary layer between the absorber layer (12) and the cover layer (30) in the region of the fingers (18, 24).