公开(公告)号：GB2497484A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：GB201305594

申请日：2011-08-16

Applicant: IBM

Inventor： CHEN FEN ,  YANG CHIH-CHAO ,  LI BAOZHEN

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

Abstract: The present invention provides a 3D via capacitor and a method for forming the same. The capacitor includes an insulating layer (110) on a substrate. The insulating layer has a via having sidewalls and a bottom. A first electrode (118a, b) overlies the sidewalls and at least a portion of the bottom of the via. A first high-k dielectric material layer (120) overlies the first electrode. A first conductive plate (122) is over the first high-k dielectric material layer. A second high-k dielectric material layer (126) overlies the first conductive plate and leaves a remaining portion of the via unfilled. A second electrode (128) is formed in the remaining portion of the via. The first conductive plate is substantially parallel to the first electrode and is not in contact with the first and second electrodes. An array of such 3D via capacitors is also provided.

公开(公告)号：DE112011102446T5

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE112011102446

申请日：2011-08-16

Applicant: IBM

Inventor： CHEN FEN ,  YANG CHIH-CHAO ,  LI BAOZHEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Die vorliegende Erfindung stellt einen 3D-Durchkontaktierungskondensator und ein Verfahren zum Ausbilden desselben bereit. Der Kondensator weist eine Isolierschicht (110) auf einem Substrat auf. Die Isolierschicht weist eine Durchkontaktierung auf, die Seitenwände und einen Boden hat. Eine erste Elektrode (118a, 118b) überlagert die Seitenwände und mindestens einen Teil des Bodens der Durchkontaktierung. Eine erste dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (120) überlagert die erste Elektrode. Eine erste leitfähige Platte (122) befindet sich über der ersten dielektrischen Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante. Eine zweite dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (126) überlagert die erste leitfähige Platte und lässt einen verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ungefüllt. Eine zweite Elektrode (128) wird in dem verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ausgebildet. Die erste leitfähige Platte ist im Wesentlichen parallel zur ersten Elektrode und steht weder mit der ersten noch mit der zweiten Elektrode in Kontakt. Ein Array solcher 3D-Durchkontaktierungskondensatoren wird auch bereitgestellt.

公开(公告)号：AT514189T

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：AT08167167

申请日：2008-10-21

Applicant: IBM

Inventor： CANNON ETHAN ,  CHEN FEN

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: Device structures with a self-aligned damage layer and methods of forming such device structures. The device structure first and second doped regions of a first conductivity type defined in the semiconductor material of a substrate. A third doped region of opposite conductivity type laterally separates the first doped region from the second doped region. A gate structure is disposed on a top surface of the substrate and has a vertically stacked relationship with the third doped region. A first crystalline damage layer is defined within the semiconductor material of the substrate. The first crystalline damage layer has a first plurality of voids surrounded by the semiconductor material of the substrate. The first doped region is disposed vertically between the first crystalline damage layer and the top surface of the substrate. The first crystalline damage layer does not extend laterally into the third doped region.

公开(公告)号：DE112011102446B4

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE112011102446

申请日：2011-08-16

Applicant: IBM

Inventor： CHEN FEN ,  YANG CHIH-CHAO ,  LI BAOZHEN

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Kondensator, aufweisend:eine Isolierschicht (110) auf einem Substrat, wobei die Isolierschicht eine Durchkontaktierung (114) aufweist, die Seitenwände und einen Boden hat;eine erste Elektrode (118), welche die Seitenwände und mindestens einen Teil des Bodens der Durchkontaktierung überlagert;eine erste dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (120), welche die erste Elektrode überlagert;eine erste leitfähige Platte über der ersten dielektrischen Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (120);eine zweite dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (126), die ausgebildet ist, um die erste leitfähige Platte zu überlagern und einen verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ungefüllt zu lassen; undeine zweite Elektrode (128), die in dem verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ausgebildet ist, wobei die erste leitfähige Platte im Wesentlichen parallel zu der ersten Elektrode ist und weder mit der ersten noch mit der zweiten Elektrode (128) in Kontakt steht, wobeieine untere Verbindungsebene (102) zwischen dem Substrat und der Isolierschicht (110), wobei die untere Verbindungsebene eine erste dielektrische Schicht (104) aufweist, in die eine erste leitfähige Komponente (206) eingebettet ist; undeine obere Verbindungsebene (134) über der Isolierschicht, wobei die obere Verbindungsebene eine zweite dielektrische Schicht (136) aufweist, in die eine zweite leitfähige Komponente (138) eingebettet ist, wobei die erste Elektrode (118) mit der zweiten leitfähigen Komponente in Kontakt steht und die zweite Elektrode (128) mit der ersten leitfähigen Komponente in Kontakt steht.

公开(公告)号：GB2497484B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：GB201305594

申请日：2011-08-16

Applicant: IBM

Inventor： CHEN FEN ,  YANG CHIH-CHAO ,  LI BAOZHEN

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02