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    ELECTRICAL FUSE AND METHOD OF MAKING THE SAME
    3.
    发明申请
    ELECTRICAL FUSE AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
    电保险丝及其制造方法

    公开(公告)号：WO2013095692A3

    公开(公告)日：2013-10-24

    申请号：PCT/US2012032040

    申请日：2012-04-04

    Applicant: IBM ,  YANG CHIH-CHAO ,  GATES STEPHEN M ,  LI BAOZHEN ,  EDELSTEIN DAN

    Inventor： YANG CHIH-CHAO ,  GATES STEPHEN M ,  LI BAOZHEN ,  EDELSTEIN DAN

    IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/62 ,  H01L27/108

    CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: An improved electrical-fuse (e-fuse) device (200) including a dielectric layer (102) having a first top surface (108), two conductive features (104, 106) embedded in the dielectric layer (102) and a fuse element (122). Each conductive feature (104, 106) has a second top surface (110, 112) and a metal cap (114, 116) directly on the second top surface (110, 112). Each metal cap (114, 116) has a third top surface (118, 120) that is above the first top surface (108) of the dielectric layer (102). The fuse element (122) is on the third top surface (118, 120) of each metal cap (114, 116) and on the first top surface (108) of the dielectric layer (102). A method of forming the e-fuse device (200) is also provided.

    Abstract translation: 一种改进的电熔丝（e熔丝）装置（200），包括具有第一顶表面（108）的介电层（102），嵌在电介质层（102）中的两个导电特征（104,106）和熔丝元件 （122）。 每个导电特征（104,106）具有直接在第二顶表面（110,112）上的第二顶表面（110,112）和金属盖（114,116）。 每个金属帽（114,116）具有在介电层（102）的第一顶表面（108）上方的第三顶表面（118,120）。 熔丝元件（122）位于每个金属盖（114,116）的第三顶表面（118,120）上并且位于介电层（102）的第一顶表面（108）上。 还提供了形成电熔丝装置（200）的方法。

    STRUCTURE AND PROGRAMMING OF LASER FUSE
    4.
    发明申请
    STRUCTURE AND PROGRAMMING OF LASER FUSE 审中-公开
    激光熔丝的结构与编程

    公开(公告)号：WO2005048304A3

    公开(公告)日：2005-07-28

    申请号：PCT/US2004036660

    申请日：2004-11-04

    Applicant: IBM ,  BADAMI DINESH A ,  LEE TOM C ,  LI BAOZHEN ,  MATUSIEWICZ GERALD ,  MOTSIFF WILLIAM T ,  MUZZY CHRISTOPHER D ,  WATSON KIMBALL M ,  WYNNE JEAN E

    Inventor： BADAMI DINESH A ,  LEE TOM C ,  LI BAOZHEN ,  MATUSIEWICZ GERALD ,  MOTSIFF WILLIAM T ,  MUZZY CHRISTOPHER D ,  WATSON KIMBALL M ,  WYNNE JEAN E

    IPC: H01L23/525 ,  H01L27/10 ,  H01L23/58 ,  H01L29/00

    CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5254 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: A method and structure for fabricating a laser fuse and a method for programming the laser fuse. The laser fuse includes a first dielectric layer having two vias filled with a first self-passivated electrically conducting material. A fuse link is on top of the first dielectric layer. The fuse link electrically connects the two vias and includes a second material having a characteristic of changing its electrical resistance after being exposed to a laser beam. Two mesas are over the fuse link and directly over the two vias. The two mesas each include a third self-passivated electrically conducting material. The laser fuse is programmed by directing a laser beam to the fuse link. The laser beam is controlled such that, in response to the impact of the laser beam upon the fuse link, the electrical resistance of the fuse link changes but the fuse link is not blown off. Such electrical resistance change is sensed and converted to digital signal.

    Abstract translation: 用于制造激光熔丝的方法和结构以及用于编程激光熔丝的方法。 激光熔丝包括具有填充有第一自钝化导电材料的两个通孔的第一介电层。 熔丝连接在第一电介质层的顶部。 熔断体将两个通孔电连接并且包括具有在暴露于激光束之后改变其电阻的特性的第二材料。 两个台面位于熔丝链上方，直接穿过两个通孔。 两个台面各自包括第三自钝化导电材料。 激光熔丝通过将激光束引导到熔丝链来编程。 控制激光束，使得响应于激光束对熔丝链的影响，熔丝链的电阻改变，但熔丝链不会被吹掉。 这种电阻变化被检测并转换成数字信号。

    3D-Durchkontaktierungskondensator mit einer potentialfreien leitfähigen Platte für eine verbesserte Zuverlässigkeit
    5.
    发明专利
    3D-Durchkontaktierungskondensator mit einer potentialfreien leitfähigen Platte für eine verbesserte Zuverlässigkeit 未知

    公开(公告)号：DE112011102446B4

    公开(公告)日：2018-04-26

    申请号：DE112011102446

    申请日：2011-08-16

    Applicant: IBM

    Inventor： CHEN FEN ,  YANG CHIH-CHAO ,  LI BAOZHEN

    IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

    Abstract: Kondensator, aufweisend:eine Isolierschicht (110) auf einem Substrat, wobei die Isolierschicht eine Durchkontaktierung (114) aufweist, die Seitenwände und einen Boden hat;eine erste Elektrode (118), welche die Seitenwände und mindestens einen Teil des Bodens der Durchkontaktierung überlagert;eine erste dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (120), welche die erste Elektrode überlagert;eine erste leitfähige Platte über der ersten dielektrischen Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (120);eine zweite dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (126), die ausgebildet ist, um die erste leitfähige Platte zu überlagern und einen verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ungefüllt zu lassen; undeine zweite Elektrode (128), die in dem verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ausgebildet ist, wobei die erste leitfähige Platte im Wesentlichen parallel zu der ersten Elektrode ist und weder mit der ersten noch mit der zweiten Elektrode (128) in Kontakt steht, wobeieine untere Verbindungsebene (102) zwischen dem Substrat und der Isolierschicht (110), wobei die untere Verbindungsebene eine erste dielektrische Schicht (104) aufweist, in die eine erste leitfähige Komponente (206) eingebettet ist; undeine obere Verbindungsebene (134) über der Isolierschicht, wobei die obere Verbindungsebene eine zweite dielektrische Schicht (136) aufweist, in die eine zweite leitfähige Komponente (138) eingebettet ist, wobei die erste Elektrode (118) mit der zweiten leitfähigen Komponente in Kontakt steht und die zweite Elektrode (128) mit der ersten leitfähigen Komponente in Kontakt steht.

    Electrical fuse and method of making the same
    7.
    发明专利
    Electrical fuse and method of making the same 未知

    公开(公告)号：GB2504418A

    公开(公告)日：2014-01-29

    申请号：GB201319175

    申请日：2012-04-04

    Applicant: IBM

    Inventor： YANG CHIH-CHAO ,  GATES STEPHEN M ,  LI BAOZHEN ,  EDELSTEIN DANIEL C

    IPC: H01L23/525

    Abstract: An improved electrical-fuse (e-fuse) device (200) including a dielectric layer (102) having a first top surface (108), two conductive features (104, 106) embedded in the dielectric layer (102) and a fuse element (122). Each conductive feature (104, 106) has a second top surface (110, 112) and a metal cap (114, 116) directly on the second top surface (110, 112). Each metal cap (114, 116) has a third top surface (118, 120) that is above the first top surface (108) of the dielectric layer (102). The fuse element (122) is on the third top surface (118, 120) of each metal cap (114, 116) and on the first top surface (108) of the dielectric layer (102). A method of forming the e-fuse device (200) is also provided.

    Halbleiterschalteinheit und Verfahren zu deren Fertigung
    8.
    发明专利
    Halbleiterschalteinheit und Verfahren zu deren Fertigung 未知

    公开(公告)号：DE112012001656T5

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：DE112012001656

    申请日：2012-05-10

    Applicant: IBM

    Inventor： COHEN STEPHAN A ,  LI BAOZHEN ,  YANG CHIH-CHAO

    IPC: H01L29/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8238

    Abstract: Eine Schalteinheit (140 oder 240), umfassend eine erste dielektrische Schicht (102 oder 207), die eine erste Oberfläche (108 oder 218) hat, zwei leitfähige Strukturelemente (104, 106 oder 214, 216), die in die erste dielektrische Schicht (102 oder 207) eingebettet sind, wobei jedes leitfähige Strukturelement (104, 106 oder 214, 216) eine zweite Oberfläche (110, 112 oder 220, 222) hat, die im Wesentlichen koplanar zur ersten Oberfläche (108 oder 218) der ersten dielektrischen Schicht (102 oder 207) ist, und einen Satz einzelner Inseln aus einem Metall mit niedriger Diffusionsmobilität (114a–c oder 204a–c) zwischen den zwei leitfähigen Strukturelementen (104, 106 oder 214, 216). Die einzelnen Inseln aus dem Metall mit niedriger Diffusionsmobilität (114a–c oder 204a–c) können entweder auf der ersten Oberfläche (108) liegen oder in die erste dielektrische Schicht (207) eingebettet sein. Die elektrische Leitfähigkeit durch die zwei leitfähigen Strukturelemente (104, 106 oder 214, 216) der Schalteinheit (140 oder 240) nimmt zu, wenn eine vorgeschriebene Spannung an die zwei leitfähigen Strukturelemente (104, 106 oder 214, 216) angelegt wird. Auch ein Verfahren zum Bilden solch einer Schalteinheit (140 oder 240) wird bereitgestellt.

    3D via capacitor with a floating conductive plate for improved reliability
    9.
    发明专利
    3D via capacitor with a floating conductive plate for improved reliability 未知

    公开(公告)号：GB2497484A

    公开(公告)日：2013-06-12

    申请号：GB201305594

    申请日：2011-08-16

    Applicant: IBM

    Inventor： CHEN FEN ,  YANG CHIH-CHAO ,  LI BAOZHEN

    IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

    Abstract: The present invention provides a 3D via capacitor and a method for forming the same. The capacitor includes an insulating layer (110) on a substrate. The insulating layer has a via having sidewalls and a bottom. A first electrode (118a, b) overlies the sidewalls and at least a portion of the bottom of the via. A first high-k dielectric material layer (120) overlies the first electrode. A first conductive plate (122) is over the first high-k dielectric material layer. A second high-k dielectric material layer (126) overlies the first conductive plate and leaves a remaining portion of the via unfilled. A second electrode (128) is formed in the remaining portion of the via. The first conductive plate is substantially parallel to the first electrode and is not in contact with the first and second electrodes. An array of such 3D via capacitors is also provided.

    3D-Durchkontaktierungskondensator mit einer potentialfreien leitfähigen Platte für eine verbesserte Zuverlässigkeit
    10.
    发明专利
    3D-Durchkontaktierungskondensator mit einer potentialfreien leitfähigen Platte für eine verbesserte Zuverlässigkeit 未知

    公开(公告)号：DE112011102446T5

    公开(公告)日：2013-08-22

    申请号：DE112011102446

    申请日：2011-08-16

    Applicant: IBM

    Inventor： CHEN FEN ,  YANG CHIH-CHAO ,  LI BAOZHEN

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

    Abstract: Die vorliegende Erfindung stellt einen 3D-Durchkontaktierungskondensator und ein Verfahren zum Ausbilden desselben bereit. Der Kondensator weist eine Isolierschicht (110) auf einem Substrat auf. Die Isolierschicht weist eine Durchkontaktierung auf, die Seitenwände und einen Boden hat. Eine erste Elektrode (118a, 118b) überlagert die Seitenwände und mindestens einen Teil des Bodens der Durchkontaktierung. Eine erste dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (120) überlagert die erste Elektrode. Eine erste leitfähige Platte (122) befindet sich über der ersten dielektrischen Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante. Eine zweite dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (126) überlagert die erste leitfähige Platte und lässt einen verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ungefüllt. Eine zweite Elektrode (128) wird in dem verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ausgebildet. Die erste leitfähige Platte ist im Wesentlichen parallel zur ersten Elektrode und steht weder mit der ersten noch mit der zweiten Elektrode in Kontakt. Ein Array solcher 3D-Durchkontaktierungskondensatoren wird auch bereitgestellt.

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