公开(公告)号：GB2510525A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：GB201408644

申请日：2012-11-12

Applicant: IBM

Inventor： CHENG KANGGUO ,  ERVIN JOSEPH ,  PEI CHENGWEN ,  TODI RAVI M ,  WANG GENG

IPC: H01L29/78

Abstract: A dielectric template layer is deposited on a substrate. Line trenches are formed within the dielectric template layer by an anisotropic etch that employs a patterned mask layer. The patterned mask layer can be a patterned photoresist layer, or a patterned hard mask layer that is formed by other image transfer methods. A lower portion of each line trench is filled with an epitaxial rare-earth oxide material by a selective rare-earth oxide epitaxy process. An upper portion of each line trench is filled with an epitaxial semiconductor material by a selective semiconductor epitaxy process. The dielectric template layer is recessed to form a dielectric material layer that provides lateral electrical isolation among fin structures, each of which includes a stack of a rare-earth oxide fin portion and a semiconductor fin portion.

公开(公告)号：GB2510525B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：GB201408644

申请日：2012-11-12

Applicant: IBM

Inventor： CHENG KANGGUO ,  ERVIN JOSEPH ,  PEI CHENGWEN ,  TODI RAVI M ,  WANG GENG

IPC: H01L29/78

公开(公告)号：DE112012005252T5

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE112012005252

申请日：2012-11-12

Applicant: IBM

Inventor： CHENG KANGGUO ,  TODI RAVI M ,  ERVIN JOSEPH ,  PEI CHENGWEN ,  WANG GENG

IPC: H01L21/336

Abstract: Eine dielektrische Vorlagenschicht wird auf einem Substrat abgeschieden. Leitungsgräben werden innerhalb der dielektrischen Vorlagenschicht durch eine anisotrope Ätzung ausgebildet, die eine strukturierte Maskenschicht einsetzt. Bei der strukturierten Maskenschicht kann es sich um eine strukturierte Photolackschicht oder eine strukturierte Hartmaskenschicht handeln, die durch sonstige Bildübertragungsverfahren ausgebildet wird. Ein unterer Abschnitt jedes Leitungsgrabens wird durch einen selektiven Seltenerdoxid-Epitaxieprozess mit einem epitaktischen Seltenerdoxidmaterial gefüllt. Ein oberer Abschnitt jedes Leitungsgrabens wird durch einen selektiven Halbleiter-Epitaxieprozess mit einem epitaktischen Halbleitermaterial gefüllt. Die dielektrische Vorlagenschicht wird vertieft, um eine dielektrische Materialschicht auszubilden, die eine seitliche elektrische Isolation zwischen Finnenstrukturen bereitstellt, die jeweils einen Stapel aus einem Seltenerdoxid-Finnenabschnitt und einem Halbleiter-Finnenabschnitt beinhalten.