公开(公告)号：DE112021006108B4

公开(公告)日：2024-12-12

申请号：DE112021006108

申请日：2021-10-20

Applicant: IBM

Inventor： FAROOQ MUKTA GHATE ,  MCHERRON DALE CURTIS ,  SKORDAS SPYRIDON

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleiterstruktur, die aufweist:einen Träger-Wafer;einen Halbleiter-Wafer, der oben auf dem Träger-Wafer gekoppelt ist;eine erste Dielektrikumschicht oben auf dem Halbleiter-Wafer;eine zweite Dielektrikumschicht, die direkt oben auf die erste Dielektrikumschicht gebondet ist; undeine oder mehrere Back-End-of-Line(BEOL)-Verdrahtungen, die von einer oberen Fläche des Halbleiter-Wafers durch die erste und die zweite Dielektrikumschicht verlaufen,wobei die erste und die zweite Dielektrikumschicht eine Diamantdünnschicht aufweisen.

公开(公告)号：DE102021131417A1

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：DE102021131417

申请日：2021-11-30

Applicant: IBM

Inventor： SAKUMA KATSUYUKI ,  FAROOQ MUKTA GHATE ,  ANDRY PAUL S ,  KASTBERG RUSSELL

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/488

Abstract: Ein beispielhaftes Verfahren schließt Binden eines Halbleiterchips an ein organisches Laminatsubstrat unter Verwendung von Lötmittel bei einer Bindetemperatur; ohne Abkühlen von der Bindetemperatur auf Raumtemperatur Ausgeben von Unterfüllung zwischen den Halbleiterchip und das organische Laminatsubstrat bei einer Unterfüllung-Ausgabetemperatur; und Härten der Unterfüllung in einem Temperaturbereich über der Unterfüllung-Ausgabetemperatur ein. Ein weiteres beispielhaftes Verfahren schließt Aufbringen eines ersten Lötmittels auf Kontaktfelder eines organischen Laminatsubstrats; Inkontaktbringen eines zweiten Lötmittels auf Säulen eines Halbleiterchips mit dem ersten Lötmittel auf den Kontaktfeldern des organischen Laminatsubstrats; und Lötbinden des Halbleiterchips an das organische Laminatsubstrat ein.