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公开(公告)号:DE112021006108B4
公开(公告)日:2024-12-12
申请号:DE112021006108
申请日:2021-10-20
Applicant: IBM
Inventor: FAROOQ MUKTA GHATE , MCHERRON DALE CURTIS , SKORDAS SPYRIDON
IPC: H01L21/58 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/52
Abstract: Halbleiterstruktur, die aufweist:einen Träger-Wafer;einen Halbleiter-Wafer, der oben auf dem Träger-Wafer gekoppelt ist;eine erste Dielektrikumschicht oben auf dem Halbleiter-Wafer;eine zweite Dielektrikumschicht, die direkt oben auf die erste Dielektrikumschicht gebondet ist; undeine oder mehrere Back-End-of-Line(BEOL)-Verdrahtungen, die von einer oberen Fläche des Halbleiter-Wafers durch die erste und die zweite Dielektrikumschicht verlaufen,wobei die erste und die zweite Dielektrikumschicht eine Diamantdünnschicht aufweisen.
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公开(公告)号:DE102021131417A1
公开(公告)日:2022-06-30
申请号:DE102021131417
申请日:2021-11-30
Applicant: IBM
Inventor: SAKUMA KATSUYUKI , FAROOQ MUKTA GHATE , ANDRY PAUL S , KASTBERG RUSSELL
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/58 , H01L23/488
Abstract: Ein beispielhaftes Verfahren schließt Binden eines Halbleiterchips an ein organisches Laminatsubstrat unter Verwendung von Lötmittel bei einer Bindetemperatur; ohne Abkühlen von der Bindetemperatur auf Raumtemperatur Ausgeben von Unterfüllung zwischen den Halbleiterchip und das organische Laminatsubstrat bei einer Unterfüllung-Ausgabetemperatur; und Härten der Unterfüllung in einem Temperaturbereich über der Unterfüllung-Ausgabetemperatur ein. Ein weiteres beispielhaftes Verfahren schließt Aufbringen eines ersten Lötmittels auf Kontaktfelder eines organischen Laminatsubstrats; Inkontaktbringen eines zweiten Lötmittels auf Säulen eines Halbleiterchips mit dem ersten Lötmittel auf den Kontaktfeldern des organischen Laminatsubstrats; und Lötbinden des Halbleiterchips an das organische Laminatsubstrat ein.
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