公开(公告)号：WO2011084667A2

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：PCT/US2010060933

申请日：2010-12-17

Applicant: IBM ,  NGUYEN SON VAN ,  GRILL ALFRED ,  HAIGH THOMAS J ,  SHOBHA HOSADURGA ,  VO TUAN A

Inventor： NGUYEN SON VAN ,  GRILL ALFRED ,  HAIGH THOMAS J ,  SHOBHA HOSADURGA ,  VO TUAN A

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867

Abstract: An interconnect structure is provided that includes a dielectric material (52) having a dielectric constant of 4.0 or less and including a plurality of conductive features (56) embedded therein. The dielectric material (52) has an upper surface that is located beneath an upper surface of each of the plurality of conductive features (56). A first dielectric cap (58) is located on the upper surface of the dielectric material (52) and extends onto at least a portion of the upper surface of each of the plurality of conductive features (56). As shown, the first dielectric cap (58) forms an interface (59) with each of the plurality of conductive features (56) that is opposite to an electrical field that is generated by neighboring conductive features. The inventive structure also includes a second dielectric cap (60) located on an exposed portion of the upper surface of each of the plurality of conductive features (56) not covered with the first dielectric cap (58). The second dielectric cap (60) further covers on an exposed surface of the first dielectric cap (58).

Abstract translation: 提供了一种互连结构，其包括介电常数为4.0或更小并且包括嵌入其中的多个导电部件（56）的介电材料（52）。 介电材料（52）具有位于多个导电部件（56）中的每一个的上表面下方的上表面。 第一电介质帽（58）位于电介质材料（52）的上表面上并且延伸到多个导电部件（56）中的每一个的上表面的至少一部分上。 如所示，第一电介质帽（58）与多个导电特征（56）中的每一个形成与由相邻导电特征产生的电场相反的界面（59）。 本发明的结构还包括位于未被第一电介质帽（58）覆盖的多个导电部件（56）中的每一个的上表面的暴露部分上的第二电介质帽（60）。 第二电介质帽（60）还覆盖在第一电介质帽（58）的暴露表面上。

公开(公告)号：DE112012003749T5

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE112012003749

申请日：2012-07-05

Applicant: IBM

Inventor： NGUYEN SON VAN ,  HAIGH THOMAS J ,  MEHTA SANJAY ,  GRILL ALFRED

IPC: C23C16/30 ,  H01B17/62

Abstract: Es wird eine kohlenstoffreiche Carbobornitriddielektrikum-Dünnschicht (14) mit einer Dielektrizitätskonstante von gleich oder kleiner 3,6 bereitgestellt, die als Komponente in verschiedenen elektronischen Einheiten verwendet werden kann. Die kohlenstoffreiche Carbobornitriddielektrikum-Dünnschicht weist eine Formel CxByNz auf, wobei x 35 Atomprozent oder mehr beträgt, y von 6 Atomprozent bis 32 Atomprozent beträgt und z von 8 Atomprozent bis 33 Atomprozent beträgt.