公开(公告)号：DE112017003172T5

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE112017003172

申请日：2017-07-21

Applicant: IBM

Inventor： NGUYEN SON VAN ,  YAMASHITA TENKO ,  CHENG KANGGUO ,  HAIGH JR THOMAS JASPER ,  PARK CHANRO ,  LINIGER ERIC ,  LI JUNTAO ,  MEHTA SANJAY

IPC: H01L21/768

Abstract: Es werden Halbleiterbauelemente mit Luftspalt-Abstandhaltern bereitgestellt, die als Teil von BEOL- oder MOL-Schichten der Halbleiterbauelemente ausgebildet sind, sowie Verfahren zur Herstellung solcher Luftspalt-Abstandhalter. Ein Verfahren umfasst beispielsweise ein Bilden einer ersten Metallstruktur und einer zweiten Metallstruktur auf einem Substrat, wobei die erste und zweite Metallstruktur benachbart zueinander angeordnet sind mit Isoliermaterial, das zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur angeordnet ist. Das Isoliermaterial wird geätzt, um eine Aussparung zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur zu bilden. Eine Schicht aus dielektrischem Material wird mithilfe eines abschnürenden Abscheideprozesses über der ersten und zweiten Metallstruktur abgeschieden, um einen Luftspalt in der Aussparung zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur zu bilden, wobei sich ein Teilbereich des Luftspalts über eine Oberseite von mindestens einer der ersten Metallstruktur und der zweiten Metallstruktur hinaus erstreckt.

公开(公告)号：DE112012003749T5

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE112012003749

申请日：2012-07-05

Applicant: IBM

Inventor： NGUYEN SON VAN ,  HAIGH THOMAS J ,  MEHTA SANJAY ,  GRILL ALFRED

IPC: C23C16/30 ,  H01B17/62

Abstract: Es wird eine kohlenstoffreiche Carbobornitriddielektrikum-Dünnschicht (14) mit einer Dielektrizitätskonstante von gleich oder kleiner 3,6 bereitgestellt, die als Komponente in verschiedenen elektronischen Einheiten verwendet werden kann. Die kohlenstoffreiche Carbobornitriddielektrikum-Dünnschicht weist eine Formel CxByNz auf, wobei x 35 Atomprozent oder mehr beträgt, y von 6 Atomprozent bis 32 Atomprozent beträgt und z von 8 Atomprozent bis 33 Atomprozent beträgt.

公开(公告)号：DE112021005680B4

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：DE112021005680

申请日：2021-11-18

Applicant: IBM

Inventor： OK INJO ,  BAO RUQIANG ,  SIMON ANDREW HERBERT ,  BREW KEVIN ,  SAULNIER NICOLE ,  SARAF IQBAL RASHID ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  MEHTA SANJAY

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: Struktur (100); aufweisend:ein Heizelement (116), das von einer dielektrischen Schicht (114) umgeben ist;einen Projektions-Liner (124) auf dem Heizelement, wobei der Projektions-Liner eine obere Oberfläche des Heizelements bedeckt;eine Phasenwechselmaterialschicht (126) über dem Projektions-Liner, wobei der Projektions-Liner die Phasenwechselmaterialschicht von der zweiten dielektrischen Schicht (114) und dem Heizelement trennt;eine obere Elektrode (128) über und in elektrischem Kontakt mit der Phasenwechselmaterialschicht; undeinen oberen Elektrodenkontakt (136), der die obere Elektrode (128) und einen oberen Teil der Phasenwechselmaterialschicht umschließt, wobei der obere Elektrodenkontakt durch einen Metall-Liner (134) von der Phasenwechselmaterialschicht und der oberen Elektrode getrennt wird.

公开(公告)号：DE112018000201T5

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE112018000201

申请日：2018-01-17

Applicant: IBM

Inventor： MEHTA SANJAY ,  PRANATHARTHIHARAN BALASUBRAMANIAN ,  BI ZHENXING ,  DEVARAJAN THAMARAI ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM

IPC: H01L21/28

Abstract: Ein Vertikaltransport-Finnen-Feldeffekttransistor (VT-FinFET), umfassend eine oder mehrere vertikale Finnen auf einer Fläche eines Substrats, eine L-förmige oder U-förmige Abstandhalterwanne auf dem Substrat in Nachbarschaft zu mindestens einer der einen oder der mehreren vertikalen Finnen und eine Gate-Dielektrikumsschicht auf den Seitenwänden der mindestens einen der einen oder der mehreren vertikalen Finnen und der L-förmigen oder U-förmigen Abstandhalterwanne.