公开(公告)号：DE112013004911T5

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE112013004911

申请日：2013-08-15

Applicant: IBM

Inventor： CHENG KANGGUO ,  DORIS BRUCE B ,  KHAKI-FIROOZ ALI ,  RIM KERN ,  S BASKER VEERARAGHAVAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Es werden Verfahren und Strukturen zum Bilden eines lokalisierten Silicium-auf-Isolator(SOI)-FinFET (104) offenbart. Auf einem massiven Substrat (102) werden Finnen gebildet. Nitrid-Abstandhalter (208) schützen die Finnenseitenwände. Über den Finnen wird eine flache Grabenisolierungszone (412) abgeschieden. Ein Oxidationsverfahren bewirkt, dass Sauerstoff durch die flache Grabenisolierungszone (412) und in das darunter liegende Silicium diffundiert. Der Sauerstoff reagiert mit dem Silicium, um Oxid zu bilden, welches eine elektrische Isolation für die Finnen bereitstellt. Die flache Grabenisolierungszone steht in direktem physischen Kontakt mit den Finnen und/oder den Nitrid-Abstandhaltern, die auf den Finnen angeordnet sind.