公开(公告)号：DE112013000360T5

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE112013000360

申请日：2013-01-14

Applicant: IBM

Inventor： CHENG KANGGUO ,  DORIS BRUCE B ,  LA TULIPE DOUGLAS C JR ,  KHAKIFIROOZ ALI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Einheit umfasst ein Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrat (110). Ein Gate-Stapel auf dem SOI-Substrat (110) umfasst eine Gate-Dielektrikums-Schicht (185) und eine Gate-Leiter-Schicht (190). Low-k-Abstandhalter (175) befinden sich in Nachbarschaft zu der Gate-Dielektrikums-Schicht (185). Erhöhte Source/Drain(RSD)-Zonen (160) befinden sich in Nachbarschaft zu den Low-k-Abstandhaltern (175). Die Low-k-Abstandhalter (175) sind in eine Zwischenschichtdielektrikums(ILD)-Schicht (165) auf den RSD-Zonen (160) eingebettet.