AUF IONENEINFANG BASIERENDE EINHEIT MIT MEHREREN ZUSTÄNDEN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

    公开(公告)号:DE112018005625B4

    公开(公告)日:2021-02-11

    申请号:DE112018005625

    申请日:2018-11-16

    Applicant: IBM

    Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (10), welches mindestens eine Kanalzone (11) umfasst, die zwischen Source/Drain-Zonen (12L, 12R) positioniert ist;ein Gate-Dielektrikumsmaterial (14), welches auf der Kanalzone des Halbleitersubstrats angeordnet ist; undeinen Batteriestapel (16), welcher auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet ist, wobei der Batteriestapel einen Kathodenstromkollektor (18), der auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet ist, ein Kathodenmaterial (20), das auf dem Kathodenstromkollektor angeordnet ist, ein erstes lonendiffusionsbarrieren-Material (22), das auf dem Kathodenmaterial angeordnet ist, einen Elektrolyten (24), der auf dem ersten lonendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, ein zweites lonendiffusionsbarrieren-Material (26), das auf dem Elektrolyten angeordnet ist, eine Anodenzone (28), die auf dem zweiten lonendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, und einen Anodenstromkollektor (30) aufweist, der auf der Anodenzone angeordnet ist,wobei die Anodenzone (28) eine Anhäufungszone ist, die sich während eines Lade /Wiederaufladeverfahrens bildet.

    WIEDERAUFLADBARE BATTERIESTAPEL
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:DE112018003525T5

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:DE112018003525

    申请日:2018-09-11

    Applicant: IBM

    Abstract: Es werden wiederaufladbare Batterien mit einer hohen Kapazität (d.h. mit einer Kapazität von 50 mAh/gm oder einer höheren Kapazität) und einem hohen Leistungsvermögen bereitgestellt, die einen wiederaufladbaren Batteriestapel enthalten, der eine Struktur aus einem abgeblätterten Material aufweist, die eine Schicht aus einem Kathodenmaterial umfasst, die an einem Stressormaterial angebracht ist. Das Kathodenmaterial kann ein einkristallines Material aufweisen, das frei von polymeren Bindemitteln ist. Das Stressormaterial dient als ein Kathodenstromkollektor des wiederaufladbaren Batteriesta pels.

    AUF IONENEINFANG BASIERENDE EINHEIT MIT MEHREREN ZUSTÄNDEN

    公开(公告)号:DE112018005625T5

    公开(公告)日:2020-07-16

    申请号:DE112018005625

    申请日:2018-11-16

    Applicant: IBM

    Abstract: Es wird eine Halbleiterstruktur bereitgestellt, welche eine nichtflüchtige Batterie enthält, die eine Gate-Vorspannung steuert und einen erhöhten Erhalt der Ausgabespannung und eine erhöhte Spannungsauflösung aufweist. Die Halbleiterstruktur kann ein Halbleitersubstrat umfassen, welches mindestens eine Kanalzone umfasst, die zwischen Source/Drain-Zonen positioniert ist. Auf der Kanalzone des Halbleitersubstrats ist ein Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet. Auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial ist ein Batteriestapel angeordnet. Der Batteriestapel umfasst einen Kathodenstromkollektor, der auf dem Gate-Dielektrikumsmaterial angeordnet ist, ein Kathodenmaterial, das auf dem Kathodenstromkollektor angeordnet ist, ein erstes lonendiffusionsbarrieren-Material, das auf dem Kathodenmaterial angeordnet ist, einen Elektrolyten, der auf dem ersten Ionendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, ein zweites lonendiffusionsbarrieren-Material, das auf dem Elektrolyten angeordnet ist, eine Anodenzone, die auf dem zweiten lonendiffusionsbarrieren-Material angeordnet ist, und einen Anodenstromkollektor, der auf der Anodenzone angeordnet ist.

    Heteroübergangsdiode mit einem Halbleiter mit schmaler Bandlücke

    公开(公告)号:DE112018004549T5

    公开(公告)日:2020-05-28

    申请号:DE112018004549

    申请日:2018-09-21

    Applicant: IBM

    Abstract: Eine Halbleitereinheit wird gebildet unter Verwendung einer n-Schicht von Zinkoxid, einer p-Schicht, die aus einem Material mit schmaler Bandlücke gebildet wird. Für das Material mit schmaler Bandlücke werden ein Element der Gruppe 3A und ein Element der Gruppe 5A verwendet. Zwischen der n-Schicht und der p-Schicht wird ein Übergang gebildet, wobei der Übergang als eine Heteroübergangsdiode zu betreiben ist, die eine Gleichrichtereigenschaft in einem Temperaturbereich aufweist, wobei der Temperaturbereich eine Obergrenze bei Raumtemperatur aufweist.

    Verfahren zur Bildung von wiederaufladbaren Batteriestapeln, die einabgeblättertes Kathodenmaterial enthalten

    公开(公告)号:DE112018003652T5

    公开(公告)日:2020-04-23

    申请号:DE112018003652

    申请日:2018-09-11

    Applicant: IBM

    Abstract: Es werden Verfahren zur Bildung von wiederaufladbaren Batterien mit einer hohen Kapazität und einem hohen Leistungsvermögen bereitgestellt, indem ein wiederaufladbarer Batteriestapel gebildet wird, der eine Struktur aus einem abgeblätterten Material aufweist, die ein abgeblättertes Kathodenmaterial umfasst, das an einem Stressormaterial angebracht ist. Das abgeblätterte Kathodenmaterial kann ein einkristallines oder ein polykristallines Kathodenmaterial umfassen, das frei von polymeren Bindemitteln ist. Das Stressormaterial dient als ein Kathodenstromkollektor des wiederaufladbaren Batteriestapels.

    LITHIUMIONEN-DÜNNSCHICHTBATTERIE MIT HOHER LADEGESCHWINDIGKEIT

    公开(公告)号:DE112018004123T5

    公开(公告)日:2020-05-07

    申请号:DE112018004123

    申请日:2018-07-26

    Applicant: IBM

    Abstract: Es wird eine Festkörperbatterie auf Lithiumbasis mit hoher Lade- und Wiederaufladegeschwindigkeit (über 3 C) bereitgestellt, indem zwischen der Schicht des lithiierten Kathodenmaterials und der Festkörper-Elektrolytschicht auf Lithiumbasis eine Oberflächenschicht eines mit Stickstoff angereicherten lithiierten Kathodenmaterials eingefügt wird. Die Oberflächenschicht des mit Stickstoff angereicherten lithiierten Kathodenmaterials kann durch Einbringen von Stickstoff in ein lithiiertes Kathodenmaterial gebildet werden. Der Stickstoff kann während der abschließenden Stufe eines Abscheidungsverfahrens eingebracht werden, oder über ein anderes Verfahren als ein Abscheidungsverfahren, wie zum Beispiel über eine thermische Nitrierung.

    Photovoltaische Einheit mit einkristallinem CZTSSe

    公开(公告)号:DE102016104502A1

    公开(公告)日:2016-09-15

    申请号:DE102016104502

    申请日:2016-03-11

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Einheit beinhaltet ein Bilden eines zweidimensionalen Materials auf einem ersten monokristallinen Substrat. Über dem ersten monokristallinen Substrat wird eine einkristalline Absorber-Schicht aufgewachsen, die Cu-Zn-Sn-S(Se) (CZTSSe) beinhaltet. Die einkristalline Absorber-Schicht wird von dem zweidimensionalen Material exfoliert. Die einkristalline Absorber-Schicht wird auf ein zweites Substrat transferiert, und die einkristalline Absorber-Schicht wird auf einer leitfähigen Schicht platziert, die auf dem zweiten Substrat ausgebildet ist. Auf der einkristallinen Absorber-Schicht werden weitere Schichten gebildet, um die photovoltaische Einheit fertigzustellen.

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