公开(公告)号：DE112021006470B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112021006470

申请日：2021-11-02

Applicant: IBM

Inventor： CHIDAMBARRAO DURESETI ,  WOLPERT DAVID ,  OGINO ATSUSHI ,  GUZOWSKI MATTHEW T ,  OSTRANDER STEVEN PAUL ,  SINHA TUHIN ,  GRAY MICHAEL STEWART

IPC: H01L23/52 ,  G06F30/398 ,  H01L21/768

Abstract: Struktur (102), aufweisend:eine Mehrzahl von Dielektrikumszonen (101a, ..., 101f);eine Nietenzelle (110), aufweisend eine Gruppe von gestapelten Durchkontaktierungen, wobei sich die Nietenzelle (110) durch einen Spannungs-Hotspot (105) der Struktur (102) erstreckt und eine Länge der Nietenzelle (110) durch mindestens eine Dielektrikumszone der Mehrzahl von Dielektrikumszonen (101a, ..., 101f) führt,wobei die Nietenzelle (110) durch eine Grenzfläche zwischen einer ersten Dielektrikumszone und einer zweiten Dielektrikumszone der Mehrzahl von Dielektrikumszonen (101a, ..., 101f) führt und die erste Dielektrikumszone und die zweite Dielektrikumszone unterschiedliche Dielektrizitätskonstanten aufweisen, undwobei die Nietenzelle (110) durch eine Grenzfläche zwischen einer ersten Dielektrikumszone und einer zweiten Dielektrikumszone der Mehrzahl von Dielektrikumszonen führt und die erste Dielektrikumszone und die zweite Dielektrikumszone unterschiedliche Dielektrizitätskonstanten aufweisen .