公开(公告)号：DE112023001557T5

公开(公告)日：2025-01-30

申请号：DE112023001557

申请日：2023-03-10

Applicant: IBM

Inventor： WOLPERT DAVID ,  SIGAL LEON ,  HOOK TERENCE

IPC: H10D89/60 ,  H01L23/528 ,  H10D84/85 ,  H10D89/10

Abstract: Vorrichtung zum Vermindern von Latch-ups innerhalb von Halbleitereinheiten. Eine Halbleitereinheit enthält einen ersten Leiter, einen zweiten Leiter und einen ersten Gate-Leiter. Der erste Leiter erstreckt sich in eine erste Richtung, empfängt ein erstes Stromversorgungssignal und ist mit einer ersten Elektrode verbunden. Der zweite Leiter erstreckt sich in die erste Richtung, empfängt ein von dem ersten Stromversorgungssignal verschiedenes zweites Stromversorgungssignal und ist mit einer zweiten Elektrode verbunden. Der erste Leiter ist in einer Draufsicht in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung von dem zweiten Leiter so versetzt, dass eine Ausbildung von parasitären Einheiten innerhalb der Halbleitereinheit, die den ersten Leiter elektrisch mit dem zweiten Leiter verbinden, vermindert wird. Der erste Gate-Leiter ist angrenzend an den ersten Leiter und den zweiten Leiter angeordnet, ist auf der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet und empfängt ein Eingangssignal.

公开(公告)号：DE112021006470B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112021006470

申请日：2021-11-02

Applicant: IBM

Inventor： CHIDAMBARRAO DURESETI ,  WOLPERT DAVID ,  OGINO ATSUSHI ,  GUZOWSKI MATTHEW T ,  OSTRANDER STEVEN PAUL ,  SINHA TUHIN ,  GRAY MICHAEL STEWART

IPC: H01L23/52 ,  G06F30/398 ,  H01L21/768

Abstract: Struktur (102), aufweisend:eine Mehrzahl von Dielektrikumszonen (101a, ..., 101f);eine Nietenzelle (110), aufweisend eine Gruppe von gestapelten Durchkontaktierungen, wobei sich die Nietenzelle (110) durch einen Spannungs-Hotspot (105) der Struktur (102) erstreckt und eine Länge der Nietenzelle (110) durch mindestens eine Dielektrikumszone der Mehrzahl von Dielektrikumszonen (101a, ..., 101f) führt,wobei die Nietenzelle (110) durch eine Grenzfläche zwischen einer ersten Dielektrikumszone und einer zweiten Dielektrikumszone der Mehrzahl von Dielektrikumszonen (101a, ..., 101f) führt und die erste Dielektrikumszone und die zweite Dielektrikumszone unterschiedliche Dielektrizitätskonstanten aufweisen, undwobei die Nietenzelle (110) durch eine Grenzfläche zwischen einer ersten Dielektrikumszone und einer zweiten Dielektrikumszone der Mehrzahl von Dielektrikumszonen führt und die erste Dielektrikumszone und die zweite Dielektrikumszone unterschiedliche Dielektrizitätskonstanten aufweisen .