公开(公告)号：WO2014074187A3

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/US2013054305

申请日：2013-08-09

Applicant: IBM

Inventor： FRANKLIN AARON D ,  SMITH JOSHUA T ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: C01B31/00 ,  D01F11/00 ,  D01F11/12

CPC classification number: H01B13/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H05K1/0296 ,  Y10S977/742

Abstract: A method of forming an electrode is disclosed. A carbon nanotube is deposited on a substrate. A section of the carbon nanotube is removed to form at least one exposed end defining a first gap. A metal is deposited at the at least one exposed end to form the electrode that defines a second gap.

Abstract translation: 公开了形成电极的方法。 碳纳米管沉积在基底上。 去除碳纳米管的一部分以形成限定第一间隙的至少一个暴露端。 金属沉积在至少一个暴露的端部以形成限定第二间隙的电极。

公开(公告)号：WO2014070267A2

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/US2013052162

申请日：2013-07-26

Applicant: IBM

Inventor： FARMER DAMON B ,  FRANKLIN AARON D ,  SMITH JOSHUA T ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L21/60 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02606 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/105 ,  Y10S977/742

Abstract: A method of creating a semiconductor device is disclosed. An end of a carbon nanotube is unzipped to provide a substantially flat surface. A contact of the semiconductor device is formed. The substantially flat surface of the carbon nanotube is coupled to the contact to create the semiconductor device. An energy gap in the unzipped end of the carbon nanotube may be less than an energy gap in a region of the carbon nanotube outside of the unzipped end region.

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法。 解压缩碳纳米管的端部以提供基本平坦的表面。 形成半导体器件的接触。 将碳纳米管的基本上平坦的表面耦合到触点以产生半导体器件。 在碳纳米管的解压缩端的能隙可以小于解压缩端区域外的碳纳米管区域的能隙。

公开(公告)号：GB2523936A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：GB201510917

申请日：2013-08-16

Applicant: IBM

Inventor： FRANKLIN AARON D ,  KOSWATTA SIYURANGA O ,  SMITH JOSHUA T

IPC: H01L51/05 ,  B82Y10/00

Abstract: A method of fabricating a semiconducting device is disclosed. A carbon nanotube is formed on a substrate. A portion of the substrate is removed to form a recess below a section of the carbon nanotube. A doped material is applied in the recess to fabricate the semiconducting device. The recess may be between one or more contacts formed on the substrate separated by a gap.

公开(公告)号：DE102016220803A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：DE102016220803

申请日：2016-10-24

Applicant: IBM

Inventor： SMITH JOSHUA T ,  WUNSCH BENJAMIN H ,  TSANG YANG CORNELIA

IPC: G01N35/00 ,  B01D65/02 ,  B01L3/00 ,  B81B1/00 ,  C12M1/34 ,  G01N15/02 ,  G01N30/00

Abstract: Eine Technik bezieht sich auf eine integrierte nanofluidische Einheit. Eine Beladungsschicht beinhaltet einen Einlasskanal-Hohlraum, einen Hohlraum für abgeleitete Fraktionen und einen Hohlraum für durchgeleitete Fraktionen. Eine Sortierschicht ist so an der Beladungsschicht angebracht, dass eine Fluidverbindung zwischen der Beladungs- und der Sortierschicht zugelassen wird, wobei die Sortierschicht einen Satz von Sortierelementen beinhaltet. Die Sortierschicht weist Einlasskanäle und Auslasskanäle auf, die mit den Sortierelementen verbunden sind, und der Einlasskanal-Hohlraum ist durch ein Einlassspeiseloch mit den Einlasskanälen verbunden. Der Hohlraum für abgeleitete Fraktionen ist durch ein Auslassspeiseloch für abgeleitete Fraktionen mit den Auslasskanälen verbunden, und der Hohlraum für durchgeleitete Fraktionen ist durch Speiselöcher für durchgeleitete Fraktionen mit den Sortierelementen verbunden. Die Speiselöcher für durchgeleitete Fraktionen sind jeweils mit den Sortierelementen verbunden.

公开(公告)号：DE112013005369T5

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE112013005369

申请日：2013-08-16

Applicant: IBM

Inventor： FRANKLIN AARON D ,  KOSWATTA SIYURANGA O ,  SMITH JOSHUA T

IPC: H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zum Fertigen einer Halbleitereinheit wird offenbart. Eine Kohlenstoff-Nanoröhre wird auf einem Substrat ausgebildet. Ein Abschnitt des Substrats wird so entfernt, dass eine Vertiefung unter einem Teilabschnitt der Kohlenstoff-Nanoröhre ausgebildet wird. Ein dotiertes Material wird so in der Vertiefung aufgebracht, dass die Halbleitereinheit gefertigt wird. Die Vertiefung kann sich zwischen einem oder mehreren Kontakten befinden, die durch einen Zwischenraum getrennt auf dem Substrat ausgebildet sind.