公开(公告)号：WO2014070267A2

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/US2013052162

申请日：2013-07-26

Applicant: IBM

Inventor： FARMER DAMON B ,  FRANKLIN AARON D ,  SMITH JOSHUA T ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L21/60 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02606 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/105 ,  Y10S977/742

Abstract: A method of creating a semiconductor device is disclosed. An end of a carbon nanotube is unzipped to provide a substantially flat surface. A contact of the semiconductor device is formed. The substantially flat surface of the carbon nanotube is coupled to the contact to create the semiconductor device. An energy gap in the unzipped end of the carbon nanotube may be less than an energy gap in a region of the carbon nanotube outside of the unzipped end region.

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法。 解压缩碳纳米管的端部以提供基本平坦的表面。 形成半导体器件的接触。 将碳纳米管的基本上平坦的表面耦合到触点以产生半导体器件。 在碳纳米管的解压缩端的能隙可以小于解压缩端区域外的碳纳米管区域的能隙。

公开(公告)号：DE102012222116A1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：DE102012222116

申请日：2012-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  FARMER DAMON B ,  GRILL ALFRED ,  LIN YU-MING ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L29/16

Abstract: Auf einer Oberseite einer Graphenschicht wird eine Siliciumnitridschicht bereitgestellt, und dann wird auf einer Oberseite der Siliciumnitridschicht eine Hafniumdioxidschicht bereitgestellt. Die Siliciumnitridschicht wirkt als ein Benetzungsmittel für die Hafniumdioxidschicht und verhindert dadurch die Bildung von diskontinuierlichen Hafniumdioxidsäulen über der Graphenschicht. Die Siliciumnitridschicht und die Hafniumdioxidschicht, die zusammen ein Doppelschicht-Gate-Dielektrikum mit geringer äquivalenter Oxiddicke (EOT) bilden, weisen über der Graphenschicht eine kontinuierliche Morphologie auf.

公开(公告)号：DE102012222116B4

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：DE102012222116

申请日：2012-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  FARMER DAMON B ,  GRILL ALFRED ,  LIN YU-MING ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/16

Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend: eine Graphenschicht (14), die auf einer Oberseite (12) eines Grundsubstrats (10) angeordnet ist; und ein Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, das auf einer Oberseite (12) der Graphenschicht (14) angeordnet ist, wobei das Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, von unten nach oben, eine Siliciumnitridschicht (16) auf der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) bereitstellt und eine auf einer Oberseite (12) der Siliciumsnitridschicht (16) bereitgestellte HfO2-Schicht (18) einschließt, wobei die Siliciumnitridschicht (16) und die HfO2-Schicht (18) über der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) kontinuierlich vorhanden sind.