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公开(公告)号：WO2014074187A3
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：PCT/US2013054305
申请日：2013-08-09
Applicant: IBM
Inventor： FRANKLIN AARON D , SMITH JOSHUA T , TULEVSKI GEORGE S
CPC classification number: H01B13/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H05K1/0296 , Y10S977/742
Abstract: A method of forming an electrode is disclosed. A carbon nanotube is deposited on a substrate. A section of the carbon nanotube is removed to form at least one exposed end defining a first gap. A metal is deposited at the at least one exposed end to form the electrode that defines a second gap.
Abstract translation: 公开了形成电极的方法。 碳纳米管沉积在基底上。 去除碳纳米管的一部分以形成限定第一间隙的至少一个暴露端。 金属沉积在至少一个暴露的端部以形成限定第二间隙的电极。
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2.发明申请
公开(公告)号：WO2013081853A3
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/US2012065497
申请日：2012-11-16
Applicant: IBM
Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI , BHUPESH CHANDRA , TULEVSKI GEORGE S
IPC: H01L29/06
CPC classification number: H01L29/778 , B82Y10/00 , H01L29/1606 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0558
Abstract: A method and an apparatus for doping a graphene or nanotube thin-film fieldeffect transistor device to improve electronic mobility. The method includes selectively applying a dopant to a channel region of a graphene or nanotube thin-film field-effect transistor device to improve electronic mobility of the field-effect transistor device. An apparatus that includes a graphene or nanotube thin-film field-effect transistor device fabricated on a substrate with an exposed channel region, wherein the channel region is doped with a dopant to improve electronic mobility, and contact metal disposed over the doped channel region of the graphene or nanotube thin-film field-effect transistor device.
Abstract translation: 一种用于掺杂石墨烯或纳米管薄膜场效应晶体管器件以改善电子迁移率的方法和装置。 该方法包括选择性地将掺杂剂施加到石墨烯或纳米管薄膜场效应晶体管器件的沟道区域，以改善场效应晶体管器件的电子迁移率。 一种装置，其包括在具有暴露沟道区的衬底上制造的石墨烯或纳米管薄膜场效应晶体管器件，其中所述沟道区域掺杂有掺杂剂以改善电子迁移率，以及设置在掺杂沟道区域上的接触金属 石墨烯或纳米管薄膜场效应晶体管器件。
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3.发明申请
公开(公告)号：WO2013078336A3
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/US2012066289
申请日：2012-11-21
Applicant: IBM
Inventor： EL-ASHRY MOSTAFA M , TOBAIL OSAMA , TULEVSKI GEORGE S
IPC: H01M6/18
CPC classification number: H01M4/1395 , B82Y30/00 , H01M4/134 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/0525 , Y02E60/122
Abstract: An electrode includes a conductive substrate (102) and a plurality of conductive structures (104) providing a compressible matrix of material. An active material (106) is formed in contact with the plurality of conductive structures. The active material includes a volumetrically expanding material which expands during ion diffusion such that the plurality of conductive structures provides support for the active material and compensates for volumetric expansion of the active material to prevent damage to the active material.
Abstract translation: 电极包括导电衬底（102）和提供可压缩材料矩阵的多个导电结构（104）。 形成与多个导电结构接触的活性材料（106）。 活性材料包括体积扩大的材料，其在离子扩散期间膨胀，使得多个导电结构为活性材料提供支撑并且补偿活性材料的体积膨胀以防止损坏活性材料。
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公开(公告)号：WO2014070267A2
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：PCT/US2013052162
申请日：2013-07-26
Applicant: IBM
Inventor： FARMER DAMON B , FRANKLIN AARON D , SMITH JOSHUA T , TULEVSKI GEORGE S
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y99/00 , H01L21/02606 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/78 , H01L51/0048 , H01L51/105 , Y10S977/742
Abstract: A method of creating a semiconductor device is disclosed. An end of a carbon nanotube is unzipped to provide a substantially flat surface. A contact of the semiconductor device is formed. The substantially flat surface of the carbon nanotube is coupled to the contact to create the semiconductor device. An energy gap in the unzipped end of the carbon nanotube may be less than an energy gap in a region of the carbon nanotube outside of the unzipped end region.
Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法。 解压缩碳纳米管的端部以提供基本平坦的表面。 形成半导体器件的接触。 将碳纳米管的基本上平坦的表面耦合到触点以产生半导体器件。 在碳纳米管的解压缩端的能隙可以小于解压缩端区域外的碳纳米管区域的能隙。
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公开(公告)号：DE112012004849B4
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：DE112012004849
申请日：2012-11-21
Applicant: EGYPT NANOTECHNOLOGY CENTER EGNC , IBM
Inventor： EL-ASHRY MOSTAFA M , TOBAIL OSAMA , TULEVSKI GEORGE S
Abstract: Batterieelektrode, aufweisend:ein leitfähiges Substrat (102);ein über und parallel zu einer Hauptebene des leitfähigen Substrats (102) gebildetes alternierendes Horizontalschichtmuster (220, 222), aufweisend:eine erste leitfähige komprimierbare Schicht (202), die direkt auf dem leitfähigen Substrat (102) angeordnet ist, wobei die erste leitfähige komprimierbare Schicht (202) parallel zu der Hauptebene des leitfähigen Substrats (102) ist und mehrere leitfähige Fäden aufweist;eine Aktivmaterialschicht (204, 205), die über der ersten leitfähigen komprimierbaren Schicht (202) angeordnet ist, wobei die Aktivmaterialschicht (204, 205) parallel zu der Hauptebene des leitfähigen Substrats (102) ist; undeine zweite leitfähige komprimierbare Schicht (202), die eine Vielzahl von leitfähigen Fäden aufweist, die auf der Aktivmaterialschicht (204, 205) angeordnet sind,wobei sich die Aktivmaterialschicht (204, 205) zwischen der ersten und der zweiten komprimierbaren Schicht (202) befindet,wobei die Aktivmaterialschicht (204, 205) ein volumetrisch expandierendes Material enthält unddie erste und zweite komprimierbare Schicht (202) eine Unterstützung für das Aktivmaterial bereitstellen und die Volumenausdehnung des Aktivmaterials so kompensieren, dass eine Beschädigung des Aktivmaterials verhindert wird, wobei die leitfähigen Fäden ein Metall oder poröses Silizium aufweisen.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102012222023A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：DE102012222023
申请日：2012-12-03
Applicant: IBM
Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI , CHANDRA BHUPESH , TULEVSKI GEORGE S
Abstract: Ein Prozess umfasst das Kombinieren eines in einem wässrigen Lösungsmittel gelösten Cer(IV)-Salzes mit einem Kohlenstoffmaterial, das CNTs oder Graphen aufweist, wobei das Cer(IV)-Salz aus einem Cer(IV)-Ammoniumsalz einer Stickoxidsäure, einem Cer(IV)-Ammoniumsalz einer Schwefeloxidsäure, einem Cer(IV)-Salz einer Niederalkyl-Organo-Schwefelsäure oder einem Cer(IV)-Salz einer Niederalkan-Organo-Schwefelsäure gewählt wird. In einer Ausführungsform wird das Cer(IV)-Salz aus Cer(IV)-Ammoniumnitrat, Cer(IV)-Ammoniumsulfat, Cer(IV)-Niederalkylsulfonat oder Cer(IV)-Trifluor-Niederalkansulfonat gewählt. Ein Produkt wird durch diesen Prozess hergestellt. Ein Herstellungsartikel weist dieses Produkt auf einem Substrat auf.
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公开(公告)号：DE112012004849T5
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：DE112012004849
申请日：2012-11-21
Applicant: IBM
Inventor： EL-ASHRY MOSTAFA M , TOBAIL OSAMA , TULEVSKI GEORGE S
Abstract: Eine Elektrode umfasst ein leitfähiges Substrat (102) und eine Vielzahl von leitfähigen Strukturen (104), welche eine komprimierbare Materialmatrix bereitstellen. Ein aktives Material (106) wird in Kontakt mit der Vielzahl von leitfähigen Strukturen gebildet. Das aktive Material umfasst ein sich volumetrisch ausdehnendes Material, welches sich während der Ionendiffusion ausdehnt, so dass die Vielzahl von leitfähigen Strukturen ein Gerüst für das aktive Material bereitstellt und die volumetrische Ausdehnung des aktiven Materials ausgleicht, um eine Beschädigung des aktiven Materials zu verhindern.
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公开(公告)号：DE102012220314B4
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：DE102012220314
申请日：2012-11-08
Applicant: IBM
Inventor： BOL AGEETH A , CHANDRA BHUPESH , KASRY AMAL , MAAROUF AHMED , MARTYNA GLENN J , TULEVSKI GEORGE S
IPC: H01L21/18 , B82B3/00 , B82Y30/00 , C01B31/04 , C23C16/26 , C30B25/18 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/775 , H01L29/78
Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer gereinigten Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, das aufweist: Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einem Substrat, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen; Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, die das Substrat nicht berührt, um eine gereinigte Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen; Abscheiden einer Schicht Graphen über der gereinigten Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen; und Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, um eine gereinigte Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, wobei die Hybriddünnschicht eine verbesserte elektrische Leistungsfähigkeit dadurch aufweist, dass der Widerstand der Nanoröhren verringert wird, indem die Kontaktfläche durch die Verwendung von Graphen als Brücke vergrößert wird.
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公开(公告)号：DE112012002564T5
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：DE112012002564
申请日：2012-06-05
Applicant: IBM
Inventor： HONG AUGUSTIN J , TULEVSKI GEORGE S , CHANDRA BHUPESH , SADANA DEVENDRA K , KIM JEEHWAN
IPC: H01L31/00
Abstract: Eine photovoltaische Einheit und ein Verfahren beinhalten einen photovoltaischen Stapel mit einer n-dotierten Schicht (112), einer p-dotierten Schicht (108) und einer intrinsischen Schicht (110). Eine transparente Elektrode (104) ist auf dem photovoltaischen Stapel ausgebildet und beinhaltet eine Schicht (105) auf der Grundlage von Kohlenstoff und eine Schicht (107) aus einem Metall mit einer hohen Austrittsarbeit. Die Schicht aus dem Metall mit einer hohen Austrittsarbeit ist an einer Grenzfläche zwischen der Schicht auf der Grundlage von Kohlenstoff und der p-dotierten Schicht derart angeordnet, dass die Schicht aus dem Metall mit einer hohen Austrittsarbeit einen Kontakt mit verringerter Barriere bildet und lichtdurchlässig ist.
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公开(公告)号：DE102012222023B4
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：DE102012222023
申请日：2012-12-03
Applicant: IBM
Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI , CHANDRA BHUPESH , TULEVSKI GEORGE S
Abstract: Verfahren zum Dotieren eines Kohlenstoffmaterials, das eine Dünnschicht aus Kohlenstoffnanoröhrchen (CNT) oder Graphen auf einem Substrat aufweist, umfassend:- Eintauchen des Kohlenstoffmaterials in eine wässrige Lösung aus Cer(IV)-Salz, wobei das Cer(IV)-Salz aus einem Cer(IV)-Salz einer Niederalkyl-Organo-Schwefelsäure oder einem Cer(IV)-Salz einer substituierten Niederalkan-Organo-Schwefelsäure gewählt wird,- nach einer vorgegebenen Zeitperiode Entnehmen des Substrats aus der Lösung, Spülen mit Wasser zum Entfernen von überschüssigem Cer(IV)-Salz und- Trocknen zum Erzeugen des dotierten Kohlenstoffmaterials auf dem Substrat.
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