公开(公告)号：DE112011103278T5

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE112011103278

申请日：2011-08-18

Applicant: IBM

Inventor： WANG PING-CHUAN ,  TIAN CHUNYAN E ,  FILIPPI RONALD ,  LI WAI-KIN

IPC: H01L23/62

Abstract: Es werden Strukturen von elektronischen Sicherungen (E-Sicherung) bereitgestellt. Eine unprogrammierte E-Sicherung (100) beinhaltet eine Durchkontaktierung (120) aus einem ersten leitfähigen Material, die eine Unterseite und Seitenwände aufweist, wobei ein Abschnitt der Seitenwände durch eine leitfähige Auskleidung (121) bedeckt ist und die Unterseite der Durchkontaktierung auf einer Oberseite einer dielektrischen Schicht (410) ausgebildet ist, und einen ersten und einen zweiten Leitungsweg (111, 112) aus einem zweiten leitfähigen Material, die auf der Oberseite der dielektrischen Schicht (410) ausgebildet sind, wobei der erste und zweite Leitungsweg durch, und nur durch, die Durchkontaktierung (120) an den Seitenwänden leitend verbunden sind. Eine programmierte E-Sicherung beinhaltet eine Durchkontaktierung (120); einen ersten Leitungsweg (111) an einer ersten Seite der Durchkontaktierung, der durch einen Hohlraum (122) von Seitenwänden der Durchkontaktierung getrennt ist; und einen zweiten Leitungsweg (112) an einer zweiten, anderen Seite der Durchkontaktierung (120), der mit der Durchkontaktierung durch Seitenwände der Durchkontaktierung in leitendem Kontakt steht.

公开(公告)号：DE112011103278B4

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：DE112011103278

申请日：2011-08-18

Applicant: IBM

Inventor： WANG PING-CHUAN ,  TIAN CHUNYAN E ,  FILIPPI RONALD ,  LI WAI-KIN

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/62

Abstract: Elektronische Sicherung, die aufweist: eine Durchkontaktierung (120) aus einem ersten leitfähigen Material, die eine Unterseite und Seitenwände aufweist, wobei zumindest ein Abschnitt der Seitenwände durch eine leitfähige Auskleidung (121, 461) bedeckt ist und die Unterseite der Durchkontaktierung (120) auf einer Oberseite einer dielektrischen Schicht (410) ausgebildet ist; und einen ersten (111a) und einen zweiten (112a) Leitungsweg aus einem zweiten leitfähigen Material, die auf der Oberseite der dielektrischen Schicht (410) ausgebildet sind, wobei der erste (111a) und der zweite (112a) Leitungsweg durch, und nur durch, die Durchkontaktierung (120) an den Seitenwänden leitend verbunden sind, wobei an der Durchkontaktierung (120) angrenzende Teile des ersten (111a) und des zweiten (112a) Leitungswegs verengte Bereiche aufweisen.