公开(公告)号：EP2433303A4

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：EP09845033

申请日：2009-05-22

Applicant: IBM

Inventor： FILIPPI RONALD ,  STANDAERT THEODORUS E ,  GRUNOW STEPHAN ,  SANKARAN SUJATHA ,  CHANDA KAUSHIK ,  GAMBINO JEFFREY P ,  SIMON ANDREW H ,  HU CHAO-KUN ,  BONILLA GRISELDA

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2283515A4

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：EP09759016

申请日：2009-05-22

Applicant: IBM

Inventor： FILIPPI RONALD ,  CHANDRA KAUSHIK ,  SANKARAN SUJATHA ,  HU CHAO-KUN ,  STANDAERT THEODORUS ,  GRUNOW STEPHAN ,  SIMON ANDREW H

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An interconnect structure for an integrated circuit (IC) device includes an elongated, electrically conductive line comprising one or more segments formed at a first width, w1, and one or more segments formed at one or more additional widths, w2 . . . wN, with the first width being narrower than each of the one or more additional widths; wherein the relationship of the total length, L1, of the one or more conductive segments formed at the first width to the total lengths, L2 . . . LN, of the one or more conductive segments formed at the one or more additional widths is selected such that, for a given magnitude of current carried by the conductive line, a critical length with respect to an electromigration short-length effect benefit is maintained such that a total length of the conductive line, L=L1+L2+ . . . +LN, meets a minimum desired design length regardless of the critical length.

公开(公告)号：WO2012058011A3

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/US2011056119

申请日：2011-10-13

Applicant: IBM ,  FILIPPI RONALD ,  WANG PING-CHUAN ,  BONILLA GRISELDA ,  CHANDA KAUSHIK ,  EDWARDS ROBERT D ,  SIMON ANDREW H

Inventor： FILIPPI RONALD ,  WANG PING-CHUAN ,  BONILLA GRISELDA ,  CHANDA KAUSHIK ,  EDWARDS ROBERT D ,  SIMON ANDREW H

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An improved interconnect structure including a dielectric layer (202) having a conductive feature (204) embedded therein, the conductive feature (204) having a first top surface (208) that is substantially coplanar with a second top surface (206) of the dielectric layer (202); a metal cap layer (212) located directly on the first top surface (208), wherein the metal cap layer (212) does not substantially extend onto the second top surface (206); a first dielectric cap layer (21 0A) located directly on the second top surface (206), wherein the first dielectric cap layer (21 0A) does not substantially extend onto the first top surface (208) and the first dielectric cap layer (210A) is thicker than the metal cap layer (212); and a second dielectric cap layer (220) on the metal cap layer (212) and the first dielectric cap layer (210A). A method of forming the interconnect structure is also provided.

Abstract translation: 一种改进的互连结构，包括具有嵌入其中的导电部件（204）的电介质层（202），所述导电部件（204）具有与电介质的第二顶表面（206）基本共面的第一顶表面 层（202）; 直接位于所述第一顶面（208）上的金属盖层（212），其中所述金属盖层（212）基本上不延伸到所述第二顶面（206）上; 直接位于第二顶表面（206）上的第一电介质盖层（210A），其中第一电介质盖层（210A）基本上不延伸到第一顶表面（208）上并且第一电介质盖层（210A） ）比金属盖层（212）厚; 和在金属盖层（212）和第一电介质盖层（210A）上的第二电介质盖层（220）。 还提供了形成互连结构的方法。

公开(公告)号：DE112011103278T5

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE112011103278

申请日：2011-08-18

Applicant: IBM

Inventor： WANG PING-CHUAN ,  TIAN CHUNYAN E ,  FILIPPI RONALD ,  LI WAI-KIN

IPC: H01L23/62

Abstract: Es werden Strukturen von elektronischen Sicherungen (E-Sicherung) bereitgestellt. Eine unprogrammierte E-Sicherung (100) beinhaltet eine Durchkontaktierung (120) aus einem ersten leitfähigen Material, die eine Unterseite und Seitenwände aufweist, wobei ein Abschnitt der Seitenwände durch eine leitfähige Auskleidung (121) bedeckt ist und die Unterseite der Durchkontaktierung auf einer Oberseite einer dielektrischen Schicht (410) ausgebildet ist, und einen ersten und einen zweiten Leitungsweg (111, 112) aus einem zweiten leitfähigen Material, die auf der Oberseite der dielektrischen Schicht (410) ausgebildet sind, wobei der erste und zweite Leitungsweg durch, und nur durch, die Durchkontaktierung (120) an den Seitenwänden leitend verbunden sind. Eine programmierte E-Sicherung beinhaltet eine Durchkontaktierung (120); einen ersten Leitungsweg (111) an einer ersten Seite der Durchkontaktierung, der durch einen Hohlraum (122) von Seitenwänden der Durchkontaktierung getrennt ist; und einen zweiten Leitungsweg (112) an einer zweiten, anderen Seite der Durchkontaktierung (120), der mit der Durchkontaktierung durch Seitenwände der Durchkontaktierung in leitendem Kontakt steht.

公开(公告)号：DE112011103278B4

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：DE112011103278

申请日：2011-08-18

Applicant: IBM

Inventor： WANG PING-CHUAN ,  TIAN CHUNYAN E ,  FILIPPI RONALD ,  LI WAI-KIN

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/62

Abstract: Elektronische Sicherung, die aufweist: eine Durchkontaktierung (120) aus einem ersten leitfähigen Material, die eine Unterseite und Seitenwände aufweist, wobei zumindest ein Abschnitt der Seitenwände durch eine leitfähige Auskleidung (121, 461) bedeckt ist und die Unterseite der Durchkontaktierung (120) auf einer Oberseite einer dielektrischen Schicht (410) ausgebildet ist; und einen ersten (111a) und einen zweiten (112a) Leitungsweg aus einem zweiten leitfähigen Material, die auf der Oberseite der dielektrischen Schicht (410) ausgebildet sind, wobei der erste (111a) und der zweite (112a) Leitungsweg durch, und nur durch, die Durchkontaktierung (120) an den Seitenwänden leitend verbunden sind, wobei an der Durchkontaktierung (120) angrenzende Teile des ersten (111a) und des zweiten (112a) Leitungswegs verengte Bereiche aufweisen.