公开(公告)号：DE112018000915T5

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE112018000915

申请日：2018-06-01

Applicant: IBM

Inventor： WORLEDGE DANIEL ,  HU GUOHAN

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22

Abstract: Ein Speicherelement mit magnetischem Tunnelübergang (MTJ) enthält eine Referenzschicht, eine Tunnelbarriere und eine freie Schicht auf einer der Referenzschicht gegenüberliegenden Seite der Tunnelbarriere. Die Referenzschicht hat eine fixierte Magnetisierungsrichtung. Die freie Schicht enthält einen ersten Bereich, einen zweiten Bereich und einen dritten Bereich. Der dritte Bereich ist aus einem dritten Material gebildet, das so beschaffen ist, dass es den ersten Bereich und den zweiten Bereich magnetisch miteinander koppelt. Der erste Bereich ist aus einem ersten Material mit einem ersten vorgegebenen magnetischen Moment gebildet, und der zweite Bereich ist aus einem zweiten Material mit einem zweiten vorgegebenen magnetischen Moment gebildet. Das erste vorgegebene magnetische Moment ist schwächer als das zweite vorgegebene magnetische Moment.

公开(公告)号：DE112018002029T5

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：DE112018002029

申请日：2018-06-11

Applicant: IBM

Inventor： WORLEDGE DANIEL ,  DEBROSSE JOHN KENNETH

IPC: G11C29/04

Abstract: Eine Speichereinheit enthält einen nichtflüchtigen Direktzugriff-Speicher. Der nichtflüchtige Speicher enthält ein Register mutmaßlich fehlerhafter Bits zum Speichern der Adressen von Bits, bei denen Fehler festgestellt worden sind. Der nichtflüchtige Speicher enthält ferner ein Register fehlerhafter Bits zum Speichern der Adressen von Bits, die (i) aufgrund eines ersten Fehlers in dem Register mutmaßlich fehlerhafter Bits gespeichert sind und bei denen (ii) zudem ein zweiter Fehler festgestellt wurde. Durch die Speichereinheit werden fehlerhafte Bits ermittelt, sodass diese ausgesondert werden können und somit Fehler während des Verwendens des nichtflüchtigen Direktzugriff-Speichers vermieden werden.

公开(公告)号：DE112018001470T5

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE112018001470

申请日：2018-06-01

Applicant: IBM ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Inventor： HU GUOHAN ,  WORLEDGE DANIEL ,  PARK JEONG-HEON

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22

Abstract: Ein Speicherelement mit magnetischen Tunnelübergang (MTJ) enthält eine Referenzschicht, eine Tunnelbarriere und auf der der Referenzschicht gegenüberliegenden Seite der Tunnelbarriere eine freie Schicht. Die freie Schicht hat eine fixierte Magnetisierungsrichtung. Die freie Schicht enthält einen ersten Bereich, einen zweiten Bereich und einen dritten Bereich. Der dritte Bereich ist aus einem dritten Material gebildet, das dazu dient, den ersten Bereich und den zweiten Bereich magnetisch miteinander zu koppeln. Der erste Bereich ist aus einem ersten Material mit einem ersten vorgegebenen magnetischen Moment gebildet, und der zweite Bereich ist aus einem zweiten Material mit einem zweiten vorgegebenen magnetischen Moment gebildet. Das erste vorgegebene magnetische Moment ist schwächer als das zweite vorgegebene magnetische Moment.

公开(公告)号：DE112020005255T5

公开(公告)日：2022-07-28

申请号：DE112020005255

申请日：2020-11-24

Applicant: IBM

Inventor： JABEUR KOTB ,  WORLEDGE DANIEL ,  SUN JONATHAN ,  HASHEMI POUYA

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: Eine magnetische Tunnelübergangs-Einheit (MTJ-Einheit) (200) enthält eine zylindrisch geformte Säulenstruktur und eine erste ferromagnetische Schicht (204), die auf mindestens einem Teil der Säulenstruktur angeordnet ist. Die erste ferromagnetische Schicht (204) weist eine Magnetisierung auf, die in Gegenwart einer angelegten Vorspannung und/oder von Wärme veränderbar ist. Die MTJ-Einheit (200) enthält ferner eine dielektrische Barriere (206), die auf mindestens einem Teil der ersten ferromagnetischen Schicht (204) angeordnet ist, und eine zweite ferromagnetische Schicht(202), die auf mindestens einem Teil der dielektrischen Barriere (206) angeordnet ist. Die zweite ferromagnetische Schicht (202) weist eine feste Magnetisierung auf. Die MTJ-Einheit (200) ist so konfiguriert, dass die erste und die zweite ferromagnetische Schicht (204, 204 )und die dielektrische Barriere (206) die Säulenstruktur konzentrisch umschließen.

公开(公告)号：AU2020405412A1

公开(公告)日：2022-05-26

申请号：AU2020405412

申请日：2020-11-24

Applicant: IBM

Inventor： JABEUR KOTB ,  WORLEDGE DANIEL ,  SUN JONATHAN ,  HASHEMI POUYA

IPC: H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08

Abstract: A magnetic tunnel junction (MTJ) device (200) includes a cylindrically-shaped pillar structure and a first ferromagnetic layer (204) disposed on at least a portion of the pillar structure. The first ferromagnetic layer (204) exhibits a magnetization that is changeable in the presence of at least one of an applied bias and heat. The MTJ device (200) further includes a dielectric barrier (206) disposed on at least a portion of the first ferromagnetic layer (204) and a second ferromagnetic layer (202) disposed on at least a portion of the dielectric barrier (206). The second ferromagnetic layer (202) exhibits a magnetization that is fixed. The MTJ device (200) is configured such that the first and second ferromagnetic layers (202, 204) and the dielectric barrier (206) concentrically surround the pillar structure.