公开(公告)号：CN116324047A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070903.5

申请日：2021-10-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  川平启太 ,  野田朗

IPC: C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种抑制了凹形缺陷的产生的磷化铟基板、半导体外延晶片、磷化铟单晶锭的制造方法以及磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其直径为100mm以下，在对至少一个表面利用S偏振光照射波长405nm的激光进行检查时，在表面，利用形貌通道检测出的凹形缺陷为0个。

公开(公告)号：CN116261772A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202180067951.9

申请日：2021-10-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山岸航大 ,  冈俊介 ,  铃木健二

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种能抑制磷化铟基板因边缘部的凹凸、加工损伤导致的破裂的磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延晶片。一种磷化铟基板，其中，关于基板的边缘部的表面粗糙度，在边缘部表面整体通过激光显微镜测定出的最大高度Sz为2.1μm以下。

公开(公告)号：CN113646896A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080025616.8

申请日：2020-12-23

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  铃木健二 ,  林英昭

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  B24B1/00 ,  C30B29/40 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明提供一种通过背磨等方法从晶片背面进行研磨时，晶片边缘的尖锐得到抑制的磷化铟基板。一种磷化铟基板，其特征在于，在晶片中取与主面平行的平面A时，包含晶片边缘与平面A的交线且与晶片边缘相切的平面B与平面A的向晶片外侧方向延长的面在主面侧所成的角θ，就距主面的距离成为100μm以上且200μm以下的所有平面A而言均为0°＜θ≤110°，在与晶片边缘正交的剖面中，至少在主面侧具有边缘圆角，主面侧的边缘圆角的曲率半径Rf为200～350μm。

公开(公告)号：CN113207310B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202080006111.7

申请日：2020-06-04

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  栗田英树 ,  铃木健二

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。

公开(公告)号：CN113646896B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202080025616.8

申请日：2020-12-23

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  铃木健二 ,  林英昭

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  B24B1/00 ,  C30B29/40 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明提供一种通过背磨等方法从晶片背面进行研磨时，晶片边缘的尖锐得到抑制的磷化铟基板。一种磷化铟基板，其特征在于，在晶片中取与主面平行的平面A时，包含晶片边缘与平面A的交线且与晶片边缘相切的平面B与平面A的向晶片外侧方向延长的面在主面侧所成的角θ，就距主面的距离成为100μm以上且200μm以下的所有平面A而言均为0°＜θ≤110°，在与晶片边缘正交的剖面中，至少在主面侧具有边缘圆角，主面侧的边缘圆角的曲率半径Rf为200～350μm。

公开(公告)号：CN118127640A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410255174.6

申请日：2020-06-04

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  栗田英树 ,  铃木健二

IPC: C30B33/08 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。

公开(公告)号：CN113207308A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202080006105.1

申请日：2020-06-04

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  栗田英树 ,  铃木健二

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板是具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面的磷化铟基板，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的WARP值为3.5μm以下。

公开(公告)号：CN116097404A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202280001864.8

申请日：2022-03-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  铃木健二

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种磷化铟基板，其在晶片表面的镜面研磨后，能良好地抑制将用于研磨的板从晶片背面侧剥离时碎屑的产生。一种磷化铟基板，在晶片中取与主面平行的平面A时，包含晶片边缘与平面A的交线且与晶片边缘相切的平面B与平面A的向晶片外侧方向延长的面在主面侧所成的角θ，针对距主面的距离成为100μm以上且200μm以下的所有平面A而言均为0°＜θ≤120°，在与晶片边缘正交的剖面中，在主面侧和主面的相反面侧具有边缘圆角，从主面侧的晶片边缘起的倒角宽度Xf为50μm以上且130μm以下，从主面的相反面侧的晶片边缘起的倒角宽度Xb为150μm以上且400μm以下，所述磷化铟基板的厚度为330μm以上且700μm以下。

公开(公告)号：CN116057212A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180054263.9

申请日：2021-10-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山岸航大 ,  冈俊介 ,  铃木健二

IPC: C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延片，所述磷化铟基板能抑制因边缘部的残留物引起的磷化铟基板表面的污染的产生。一种磷化铟基板，其中，关于基板的边缘部的表面粗糙度，在边缘部的整个表面，利用激光显微镜测定出的均方根高度Sq为0.15μm以下。

公开(公告)号：CN113207310A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202080006111.7

申请日：2020-06-04

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  栗田英树 ,  铃木健二

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。