公开(公告)号：CN111937163B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN201880091974.1

申请日：2018-09-14

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山田浩平 ,  村上幸司 ,  野田朗

IPC: H01L31/08 ,  G01T1/24

Abstract: 本发明提供一种放射线检测元件，在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板(200)的表面具备多个电极部(202)和电极部间的绝缘部(201)，在所述多个电极部(202)与基板(200)之间存在包含碲的氧化物的中间层(204)，将距离所述电极部间的绝缘部(201)的端部500nm内侧的碲氧化物层的厚度设为100nm以下，电极的密合性高，即使在为了得到高清晰的放射线描绘图像而制成电极间的间隔窄的放射线检测元件的情况下，也不会产生由多个电极部间的绝缘不充分引起的性能不良。

公开(公告)号：CN116324047A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070903.5

申请日：2021-10-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  川平启太 ,  野田朗

IPC: C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种抑制了凹形缺陷的产生的磷化铟基板、半导体外延晶片、磷化铟单晶锭的制造方法以及磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其直径为100mm以下，在对至少一个表面利用S偏振光照射波长405nm的激光进行检查时，在表面，利用形貌通道检测出的凹形缺陷为0个。

公开(公告)号：CN109963967A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201780071427.2

申请日：2017-11-09

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 野田朗 ,  川平启太 ,  平野立一

IPC: C30B29/40 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种在直径75mm以上的大口径InP单晶基板中，即便是Zn浓度为5×1018cm‑3以上的高掺杂区域，亦在基板的主表面整面实现高Zn的电性活化率的掺杂有Zn的InP单晶基板及它的制造方法。一面以转速10rpm以下使InP单晶锭旋转，一面至少在上述InP单晶锭的冷却时将200℃的温度差在2～7.5分钟的时间内进行冷却，继而将其切成薄板状，由此制成即便是直径75mm以上且Zn浓度5×1018cm‑3以上的掺杂有Zn的InP单晶基板，Zn的电性活化率亦在上述基板的主表面整面超过85％。

公开(公告)号：CN109963967B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201780071427.2

申请日：2017-11-09

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 野田朗 ,  川平启太 ,  平野立一

IPC: C30B29/40 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供一种在直径75mm以上的大口径InP单晶基板中，即便是Zn浓度为5×1018cm‑3以上的高掺杂区域，亦在基板的主表面整面实现高Zn的电性活化率的掺杂有Zn的InP单晶基板及它的制造方法。一面以转速10rpm以下使InP单晶锭旋转，一面至少在上述InP单晶锭的冷却时将200℃的温度差在2～7.5分钟的时间内进行冷却，继而将其切成薄板状，由此制成即便是直径75mm以上且Zn浓度5×1018cm‑3以上的掺杂有Zn的InP单晶基板，Zn的电性活化率亦在上述基板的主表面整面超过85％。

公开(公告)号：CN111937163A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201880091974.1

申请日：2018-09-14

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 山田浩平 ,  村上幸司 ,  野田朗

IPC: H01L31/08 ,  G01T1/24

Abstract: 本发明提供一种放射线检测元件，在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板(200)的表面具备多个电极部(202)和电极间的绝缘部(201)，在所述多个电极部(202)与基板(200)之间存在包含碲的氧化物的中间层(204)，将距离所述电极间的绝缘部(201)的端部500nm内侧的碲氧化物层的厚度设为100nm以下，电极的密合性高，即使在为了得到高清晰的放射线描绘图像而制成电极间的间隔窄的放射线检测元件的情况下，也不会产生由多个电极间的绝缘不充分引起的性能不良。