PHOTODETECTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION

    公开(公告)号:FR2953646A1

    公开(公告)日:2011-06-10

    申请号:FR1001792

    申请日:2010-04-27

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de photodétecteur. Le procédé comprend : la formation d'une première couche semi-conductrice monocristalline (121) et d'un guide d'onde optique (123) faisant saillie à partir de la première couche semi-conductrice monocristalline (121) ; la formation d'une couche d'isolation (130) sur la première couche semi-conductrice monocristalline (121) pour recouvrir le guide d'onde optique (123) ; la formation d'une ouverture (131) par gravure de la couche d'isolation (130) de manière à exposer la surface supérieure du guide d'onde optique (123) ; la formation d'une seconde couche semi-conductrice monocristalline (132) à partir de la surface supérieure du guide d'onde optique exposé (123), dans l'ouverture (131) ; et la formation de manière sélective d'une couche polysemi-conductrice (133) à partir de la partie supérieure de la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132), la couche polysemi-conductrice (133) étant dopée avec des dopants.

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