公开(公告)号：FR2994617A1

公开(公告)日：2014-02-21

申请号：FR1357797

申请日：2013-08-06

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： KIM GYUNGOCK ,  KIM SANG HOON ,  JANG KI SEOK ,  KIM IN GYOO ,  OH JIN HYUK ,  KIM SUN AE

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: La présente invention concerne un photodétecteur à semi-conducteur contenant du germanium, ayant pour base une tranche de silicium, conçu pour présenter comme propriétés un gain élevé, une sensibilité élevée et une vitesse élevée à une tension relativement basse. Une couche de multiplication de porteurs (20) à base de germanium (par exemple, une couche de germanium individuelle ou une couche à super-réseau de germanium et de silicium) peut être formée sur une tranche de silicium, une couche de charges (22) à base de germanium peut être formée sur la couche de multiplication de porteurs, une couche d'absorption (30) à base de germanium peut être formée sur la couche de charges et une seconde couche de contact (32) à base de polysilicium peut être formée sur la couche d'absorption. La couche d'absorption (30) peut être conçue de façon à inclure des points ou fils quantiques à base de germanium.

公开(公告)号：FR2953646A1

公开(公告)日：2011-06-10

申请号：FR1001792

申请日：2010-04-27

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： KIM SANGHOON ,  KIM GYUNGOCK ,  KIM IN GYOO ,  SUH DONGWOO ,  JOO JIHO ,  JANG KI SEOK

IPC: H01L31/103 ,  G02B6/42 ,  H01L31/0368

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de photodétecteur. Le procédé comprend : la formation d'une première couche semi-conductrice monocristalline (121) et d'un guide d'onde optique (123) faisant saillie à partir de la première couche semi-conductrice monocristalline (121) ; la formation d'une couche d'isolation (130) sur la première couche semi-conductrice monocristalline (121) pour recouvrir le guide d'onde optique (123) ; la formation d'une ouverture (131) par gravure de la couche d'isolation (130) de manière à exposer la surface supérieure du guide d'onde optique (123) ; la formation d'une seconde couche semi-conductrice monocristalline (132) à partir de la surface supérieure du guide d'onde optique exposé (123), dans l'ouverture (131) ; et la formation de manière sélective d'une couche polysemi-conductrice (133) à partir de la partie supérieure de la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132), la couche polysemi-conductrice (133) étant dopée avec des dopants.

公开(公告)号：FR2949872A1

公开(公告)日：2011-03-11

申请号：FR1057116

申请日：2010-09-08

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： KIM GYUNGOCK ,  PARK JEONG WOO ,  YOU JONGBUM ,  KIM SANG GI ,  KIM SANGHOON ,  KIM IN GYOO ,  JOO JIHO ,  KIM DUK JUN ,  SUH DONGWOO ,  PARK SAHNGGI ,  JANG KI SEOK ,  PYO JUNGHYUNG ,  KIM KAP-JOONG ,  KIM DO WON ,  PARK DAE SEO

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention concerne un dispositif de modulation électro-optique. Le dispositif de modulation électro-optique comprend un guide d'onde optique (WG) ayant une structure verticale dont les parois latérales sont utilisées pour configurer une jonction.