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    PHOTODETECTEUR A BASE DE GERMANIUM A BASSE TENSION, A GAIN ELEVE ET A VITESSE ELEVEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
    1.
    发明专利
    PHOTODETECTEUR A BASE DE GERMANIUM A BASSE TENSION, A GAIN ELEVE ET A VITESSE ELEVEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION 未知

    公开(公告)号：FR2994617A1

    公开(公告)日：2014-02-21

    申请号：FR1357797

    申请日：2013-08-06

    Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

    Inventor： KIM GYUNGOCK ,  KIM SANG HOON ,  JANG KI SEOK ,  KIM IN GYOO ,  OH JIN HYUK ,  KIM SUN AE

    IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

    Abstract: La présente invention concerne un photodétecteur à semi-conducteur contenant du germanium, ayant pour base une tranche de silicium, conçu pour présenter comme propriétés un gain élevé, une sensibilité élevée et une vitesse élevée à une tension relativement basse. Une couche de multiplication de porteurs (20) à base de germanium (par exemple, une couche de germanium individuelle ou une couche à super-réseau de germanium et de silicium) peut être formée sur une tranche de silicium, une couche de charges (22) à base de germanium peut être formée sur la couche de multiplication de porteurs, une couche d'absorption (30) à base de germanium peut être formée sur la couche de charges et une seconde couche de contact (32) à base de polysilicium peut être formée sur la couche d'absorption. La couche d'absorption (30) peut être conçue de façon à inclure des points ou fils quantiques à base de germanium.

    PHOTODETECTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
    5.
    发明专利
    PHOTODETECTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION 未知

    公开(公告)号：FR2953646A1

    公开(公告)日：2011-06-10

    申请号：FR1001792

    申请日：2010-04-27

    Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

    Inventor： KIM SANGHOON ,  KIM GYUNGOCK ,  KIM IN GYOO ,  SUH DONGWOO ,  JOO JIHO ,  JANG KI SEOK

    IPC: H01L31/103 ,  G02B6/42 ,  H01L31/0368

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de photodétecteur. Le procédé comprend : la formation d'une première couche semi-conductrice monocristalline (121) et d'un guide d'onde optique (123) faisant saillie à partir de la première couche semi-conductrice monocristalline (121) ; la formation d'une couche d'isolation (130) sur la première couche semi-conductrice monocristalline (121) pour recouvrir le guide d'onde optique (123) ; la formation d'une ouverture (131) par gravure de la couche d'isolation (130) de manière à exposer la surface supérieure du guide d'onde optique (123) ; la formation d'une seconde couche semi-conductrice monocristalline (132) à partir de la surface supérieure du guide d'onde optique exposé (123), dans l'ouverture (131) ; et la formation de manière sélective d'une couche polysemi-conductrice (133) à partir de la partie supérieure de la seconde couche semi-conductrice monocristalline (132), la couche polysemi-conductrice (133) étant dopée avec des dopants.

    7.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT504106T

    公开(公告)日：2011-04-15

    申请号：AT07122624

    申请日：2007-12-07

    Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

    Inventor： KIM GYUNGOCK ,  KIM IN GYOO ,  PYO JUNGHYUNG ,  CHANG KI SEOK

    IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343

    Abstract: An interband resonant tunneling intersubband transition laser is disclosed, and includes a semiconductor substrate (120), and a first cladding layer (150b), an active region structure layer (110) and a second cladding layer (150a) formed on the semiconductor substrate. The active region structure layer includes quantum well layers (110a) and quantum barrier layers (110b) that are alternately stacked and have a broken energy bandgap. Thus, the interband resonant tunneling intersubband transition laser operates in a cascade mode in which an intersubband radiative transition and interband tunneling of carriers consecutively and repetitively occur in the active region structure layer, and thus can achieve a high output from a simple, compact structure.

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT502404T

    公开(公告)日：2011-04-15

    申请号：AT04257769

    申请日：2004-12-14

    Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

    Inventor： KIM HYUN TAK ,  YOUN DOO HYEB ,  CHAE BYUNG GYU ,  KANG KWANG YONG ,  LIM YONG SIK ,  KIM GYUNGOCK ,  MAENG SUNGLYUL ,  KIM SEONG HYUN

    IPC: H01L49/00

    Abstract: Provided is a 2-terminal semiconductor device that uses an abrupt MIT semiconductor material layer. The 2-tenninal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer. An abrupt MIT is generated in the abrupt MIT semiconductor material layer by a field applied between the first electrode layer and the second electrode layer,

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