公开(公告)号：CN107454892A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201680020802.6

申请日：2016-04-07

Applicant: 西尔特克特拉有限责任公司

Inventor： 弗朗茨·席林 ,  沃尔弗拉姆·德雷舍尔 ,  扬·黎克特

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/762 ,  B23K26/00 ,  B28D1/22

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/36 ,  B23K2201/36 ,  B28D1/221 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/76251 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896

Abstract: 本发明涉及一种用于制造多层装置的方法。根据本发明的方法在此至少包括步骤：提供供体衬底(2)以分离固体层(4)、尤其晶片；在供体衬底(2)中为了预设裂纹走向产生改型部(12)，尤其借助于激光射束(10)产生；提供用于容纳固体层(4)的载体衬底(6)；借助于接合层(8)将载体衬底(6)设置在供体衬底(2)上，其中载体衬底(6)设为用于提高要分离的固体层(4)的机械强度以用于继续加工；在载体衬底(6)上设置或产生应力产生层(16)；热加载应力产生层(16)，用于在供体衬底(2)中产生应力，其中通过应力产生来触发裂纹，所述裂纹沿着预设的裂纹走向伸展以将固体层(4)与供体衬底(2)分离，使得固体层(4)连同接合的载体衬底(6)分离。

公开(公告)号：EP2817819A2

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：EP13752284.3

申请日：2013-02-26

Applicant: Solexel, Inc.

Inventor： YONEHARA, Takao ,  RANA, Virendra, V. ,  SEUTTER, Sean ,  MOSLEHI, Mehrdad, M. ,  TAMILMANI, Subramanian

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/268 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/244 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  B42D25/00 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/0088 ,  B81C2201/0192 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L25/0657 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation.

公开(公告)号：WO2013126927A2

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/US2013/027826

申请日：2013-02-26

Applicant: SOLEXEL, INC.

Inventor： YONEHARA, Takao ,  RANA, Virendra, V. ,  SEUTTER, Sean ,  MOSLEHI, Mehrdad, M. ,  TAMILMANI, Subramanian

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/268 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/244 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  B42D25/00 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/0088 ,  B81C2201/0192 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L25/0657 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation.

Abstract translation: 提供了用于将包含光学，光伏，电子，微电子机械系统（MEMS）或光电子器件的期望厚度的晶体半导体材料的层分离和分离成的方法和系统， 使用激光照射的更厚的施主晶片。

公开(公告)号：JP2015516672A

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：JP2014558952

申请日：2013-02-26

Applicant: ソレクセル、インコーポレイテッド

Inventor： タカオ ヨネハラ ,  タカオ ヨネハラ ,  ヴィレンドラ ヴイ ラナ ,  ヴィレンドラ ヴイ ラナ ,  ショーン セウター ,  ショーン セウター ,  メールダッド エム モスレヒ ,  メールダッド エム モスレヒ ,  スブラマニアン タミルマニ ,  スブラマニアン タミルマニ

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/00 ,  B23K26/046 ,  B23K26/067 ,  B23K26/08 ,  B23K26/53 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/244 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  B42D25/00 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/0088 ,  B81C2201/0192 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L25/0657 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 光学、光起電力、電子、マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)又はオプトエレクトロニック装置を含む結晶半導体材料の望ましい厚みの層を、厚いドナーウェハから、レーザ照射を使用して、分割及び分離するための方法及びシステムが提供される。【選択図】図6A

Abstract translation: 光，光电，电子，包括微机电系统（MEMS）或光电子器件，厚施体晶片的结晶半导体材料的期望厚度的层，利用用于分离激光照射方法以及分离和 提供系统。 点域6A

公开(公告)号：JP2012160754A

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：JP2012094512

申请日：2012-04-18

Applicant: Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives ,  コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： ASPAR BERNARD ,  CHRYSTELLE LAGACHE

IPC: H01L21/265 ,  H01L27/12 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/301 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/2007 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1184 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1967

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cutting-out method for forming and transferring thin films.SOLUTION: A process for cutting out a block of material (10) comprises the following stages: (a) forming in the block (10) a buried zone (12) embrittled by ion introduction, the buried zone defining a superficial part (14), (b) forming, at the level of the embrittled zone, separation initiating zones (30, 36) using a local thermal treatment as first separation means, and (c) separating at the level of the embrittled zone the superficial part (14) of the block from a remaining part (16) called the mass part, with the separation initiating zones (30, 36) as the initiating points, using second separation means selected from a thermal treatment and/or application of mechanical force acting between the superficial part and the embrittled zone.

Abstract translation: 要解决的问题：提供用于形成和转移薄膜的切割方法。 解决方案：用于切割材料块（10）的方法包括以下阶段：（a）在块（10）中形成通过离子引入脆化的掩埋区（12），所述掩埋区限定表面部分 （14），（b）使用局部热处理作为第一分离装置，在脆化区的层面上形成分离引发区（30,36），和（c）在脆化区的水平上分离表面部分 （16）中的称为质量部分的块（14），其中分离引发区（30,36）作为起始点，使用选自热处理和/或应用机械力作用的第二分离装置 在表面部分和脆弱的区域之间。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2016531006A

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：JP2016522377

申请日：2014-06-11

Applicant: ソイテックSoitec

Inventor： マリアム サダカ， ,  マリアム サダカ， ,  ルドヴィック エスカルノー， ,  ルドヴィック エスカルノー，

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B1/002 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0105 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0192

Abstract: 微小電気機械システム(MEMS)トランスデューサの形成において使用することができる、1つ又は複数のキャビティ(106)を備える半導体構造を形成する方法は、第1の基板(100)に1つ又は複数のキャビティを形成するステップと、1つ又は複数のキャビティ内部に犠牲材料(110)を設けるステップと、第1の基板の表面上に第2の基板(120)を接合するステップと、第1の基板の一部を貫いて犠牲材料まで1つ又は複数の開口(140)を形成するステップと、1つ又は複数のキャビティ内部から犠牲材料を除去するステップと、を含む。構造及びデバイスがそのような方法を使用して作製される。【選択図】図11

Abstract translation: 可以在微机电系统的形成中使用（MEMS）换能器，从而形成半导体结构，包括一个腔体（106）的一个或多个方法，在第一基板的一个或多个腔体（100） 形成以下步骤：一个或多个腔中提供一个牺牲材料（110），并且所述第一基板的表面上接合的第二基板（120），第一基板 并通过部形成一个或多个开口（140）到所述牺牲材料，并从内部空腔除去所述一种或多种牺牲材料的。 的结构和设备使用这样的方法制造。 .The 11

公开(公告)号：WO2016162428A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/EP2016/057632

申请日：2016-04-07

Applicant: SILTECTRA GMBH

Inventor： SCHILLING, Franz ,  DRESCHER, Wolfram ,  RICHTER, Jan

IPC: B28D1/22 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B23K26/0057 ,  B28D1/221 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/76251 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrschichtanordnung. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst dabei mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Spendersubstrats (2) zum Abtrennen einer Festkörperschicht (4), insbesondere eines Wafers; Erzeugen von Modifikationen (12), insbesondere mittels LASER-Strahlen (10), in dem Spendersubstrat (2) zum Vorgeben eines Rissverlaufs; Bereitstellen eines Trägersubstrats (6) zum Aufnehmen der Festkörperschicht (4); Anbonden des Trägersubstrats (6) mittels einer Bondingschicht (8) an dem Spendersubstrat (2), wobei das Trägersubstrat (6) zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit der abzutrennenden Festkörperschicht (4) für die Weiterverarbeitung vorgesehen ist, Anordnen oder Erzeugen einer Spannungserzeugungsschicht (16) an dem Trägersubstrat (6); Thermisches Beaufschlagen der Spannungserzeugungsschicht (16) zum Erzeugen von Spannungen in dem Spendersubstrat (2), wobei durch die Spannungserzeugung ein Riss ausgelöst wird, der sich entlang des vorgegebenen Rissverlaufs zum Abtrennen der Festkörperschicht (4) vom Spendersubstrat (2) ausbreitet, so dass sich die Festkörperschicht (4) mit dem angebondeten Trägersubstrat (6) abtrennt.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生产多层结构。 在这种情况下本发明的方法至少包括以下步骤：提供用于分离的固体层（4），特别是晶片的施主衬底（2）; 产生修改（12），特别是通过在所述施主衬底（2），用于设置所述疾病的俯视激光射线（10）的装置; 提供了一个支撑基板（6），用于接收所述固体层（4）; 通过在施主衬底上的结合层（8）的装置接合在支撑基板（6）（2），其中，所述支撑基板（6），以增加用于进一步处理分离的固体层（4）的机械强度被提供，放置或产生电压产生层（16） 到支撑衬底（6）; 沿着预定断裂用于分离固体层（4），从而使热施加在所述施主衬底（2），其特征在于，裂缝是由电压产生发起产生电压的电压产生层（16），从所述施主衬底（2）传播 所述固体层（4）与所述angebondeten支撑基板（6）被分离出来。

公开(公告)号：WO2013126927A3

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：PCT/US2013027826

申请日：2013-02-26

Applicant: SOLEXEL INC

Inventor： YONEHARA TAKAO ,  RANA VIRENDRA V ,  SEUTTER SEAN ,  MOSLEHI MEHRDAD M ,  TAMILMANI SUBRAMANIAN

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/244 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  B42D25/00 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/0088 ,  B81C2201/0192 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L25/0657 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation.

Abstract translation: 提供的方法和系统用于使用激光照射从较厚的施主晶片分离和分离含有光学，光电，电子，微电子机械系统（MEMS）或光电子器件的期望厚度的结晶半导体材料的层。

公开(公告)号：EP3280577A1

公开(公告)日：2018-02-14

申请号：EP16719224.4

申请日：2016-04-07

Applicant: Siltectra GmbH

Inventor： SCHILLING, Franz ,  DRESCHER, Wolfram ,  RICHTER, Jan

IPC: B28D1/22 ,  B81C1/00

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/36 ,  B28D1/221 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/76251 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896

Abstract: The invention relates to a method for producing a multi-layer assembly. The method according to the invention comprises at least the following steps: providing a donor substrate (2) for removing a solid layer (4), in particular a wafer; producing modifications (12), in particular by means of laser beams (10), in the donor substrate (2) in order to specify a crack course; providing a carrier substrate (6) for holding the solid layer (4); bonding the carrier substrate (6) to the donor substrate (2) by means of a bonding layer (8), wherein the carrier substrate (6) is provided for increasing the mechanical strength of the solid layer (4) for the further processing, which solid layer is to be removed; arranging or producing a stress-producing layer (16) on the carrier substrate (6); thermally loading the stress-producing layer (16) in order to produce stresses in the donor substrate (2), wherein a crack is triggered by the stress production, which crack propagates along the specified crack course in order to remove the solid layer (4) from the donor substrate (2) such that the solid layer (4) is removed together with the bonded carrier substrate (6).

公开(公告)号：EP2817819A4

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：EP13752284

申请日：2013-02-26

Applicant: SOLEXEL INC

Inventor： YONEHARA TAKAO ,  RANA VIRENDRA V ,  SEUTTER SEAN ,  MOSLEHI MEHRDAD M ,  TAMILMANI SUBRAMANIAN

IPC: H01L31/18 ,  B23K26/00 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/244 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  B42D25/00 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/0088 ,  B81C2201/0192 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L25/0657 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation.

Abstract translation: 提供了方法和系统，用于使用激光照射从较厚的施主晶片分离和分离包含光学，光电，电子，微电子机械系统（MEMS）或光电子器件的期望厚度的结晶半导体材料的层。