公开(公告)号：CN107293499A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610851698.7

申请日：2016-09-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·马佐拉 ,  B·维塔利 ,  M·德桑塔

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/4828 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4822 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/10 ,  H01L24/80 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/80207 ,  H01L2224/80439 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80455 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/08 ,  H01L24/83 ,  H01L23/3185 ,  H01L2224/80205

Abstract: 本公开涉及用于倒装芯片封装件的热超声接合的连接，具体公开了制造封装件的方法。该方法可以包括：在衬底的第一表面上形成接合焊盘；通过在衬底的第二表面中蚀刻凹部在衬底中形成引线，第二表面与第一表面相对；以及使引线的顶面的至少一部分镀敷有表面镀敷层。该方法还可以包括：通过将表面镀敷层热超声地接合至裸片来将引线热超声地接合至裸片，以及在密封剂中密封裸片和引线。

公开(公告)号：US20150287695A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：US14438668

申请日：2013-03-20

Applicant: COMMISSARIAT A L' ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： Léa Di Cioccio ,  Sébastien Mermoz ,  Loïc Sanchez

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/14 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/311 ,  H01L21/481 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/08257 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H05K3/303 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/05442

Abstract: A method for producing at least one pad assembly (32, 50) on a support (19, 43) for use in a method for self-assembling at least one element (10) on the support (19, 43), comprises fanning, on the support (19, 43), a layer (28, 48) of at least one fluorinated material around the location (30, 44) of the pad assembly (32, 50), the layer (28, 48) having a thickness greater than 10 nm. The layer (28, 48) and the location (30, 44) are exposed to an ultraviolet treatment in the presence of ozone to form the pad assembly (32, 50) at said location (30, 44), wherein a drop of liquid (16) having a static contact angle on the pad assembly (32, 50) less than or equal to 15°, after the exposure to the ultraviolet treatment, has a static contact angle on the layer (28, 48) greater than or equal to 100°.

Abstract translation: 一种用于在用于自组装支撑件（19,43）上的至少一个元件（10）的方法中的用于在支撑件（19,43）上产生至少一个垫组件（32,50）的方法，包括扇形， 在所述支撑件（19,43）上的围绕所述垫组件（32,50）的位置（30,44）的至少一个氟化材料的层（28,48），所述层（28,48）具有厚度 大于10nm。 在臭氧存在下，将层（28,48）和位置（30,44）暴露于紫外线处理，以在所述位置（30,44）处形成衬垫组件（32,50），其中一滴液体 （16）在所述衬垫组件（32,50）上具有小于或等于15°的静态接触角，在所述紫外线处理之后，所述层（28,48）上的静态接触角大于或等于 至100°。

公开(公告)号：US20240243106A1

公开(公告)日：2024-07-18

申请号：US18456782

申请日：2023-08-28

Applicant: Wolfspeed, Inc.

Inventor： Daniel Ginn Richter ,  Yusheng Lin

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/97 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13091

Abstract: Semiconductor packages are provided. In one example, a power semiconductor package includes a first carrier submount, a second carrier submount, and a plurality of semiconductor die. Each semiconductor die of the plurality of semiconductor die has a first surface and an opposing second surface. Furthermore, for each semiconductor die of the plurality of semiconductor die, the first surface is directly coupled to the first carrier submount, and the second surface is directly coupled to the second carrier submount.

公开(公告)号：US09240389B2

公开(公告)日：2016-01-19

申请号：US14438668

申请日：2013-03-20

Applicant: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： Léa Di Cioccio ,  Sébastien Mermoz ,  Loïc Sanchez

IPC: H01L21/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/311 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/311 ,  H01L21/481 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/08257 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H05K3/303 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/05442

Abstract: A method for producing at least one pad assembly (32, 50) on a support (19, 43) for use in a method for self-assembling at least one element (10) on the support (19, 43), comprises fanning, on the support (19, 43), a layer (28, 48) of at least one fluorinated material around the location (30, 44) of the pad assembly (32, 50), the layer (28, 48) having a thickness greater than 10 nm. The layer (28, 48) and the location (30, 44) are exposed to an ultraviolet treatment in the presence of ozone to form the pad assembly (32, 50) at said location (30, 44), wherein a drop of liquid (16) having a static contact angle on the pad assembly (32, 50) less than or equal to 15°, after the exposure to the ultraviolet treatment, has a static contact angle on the layer (28, 48) greater than or equal to 100°.

Abstract translation: 一种用于在用于自组装支撑件（19,43）上的至少一个元件（10）的方法中的用于在支撑件（19,43）上产生至少一个垫组件（32,50）的方法，包括扇形， 在所述支撑件（19,43）上的围绕所述垫组件（32,50）的位置（30,44）的至少一个氟化材料的层（28,48），所述层（28,48）具有厚度 大于10nm。 在臭氧存在下，将层（28,48）和位置（30,44）暴露于紫外线处理，以在所述位置（30,44）处形成衬垫组件（32,50），其中一滴液体 （16）在所述衬垫组件（32,50）上具有小于或等于15°的静态接触角，在所述紫外线处理之后，所述层（28,48）上的静态接触角大于或等于 至100°。

公开(公告)号：EP2828888A1

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：EP13715356.5

申请日：2013-03-20

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

Inventor： DI CIOCCIO, Léa ,  MERMOZ, Sébastien ,  SANCHEZ, Loïc

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/311 ,  H01L21/481 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/08257 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H05K3/303 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/05442

Abstract: The invention concerns a method for producing at least one pad assembly (32, 50) on a support (19, 43) intended for the implementation of a method for self-assembling at least one element (10) on the support (19, 43), and a corresponding device. The production method comprises the following successive steps: (a) forming, on the support (19, 43), a layer (28, 48) of at least one fluorinated material around the location (30, 44) of the pad assembly (32, 50), the layer (28, 48) having a thickness greater than 10 nm; and (b) exposing the layer (28, 48) and the location (30, 44) to an ultraviolet treatment in the presence of ozone to form the pad assembly (32, 50) at said location (30, 44), a drop of liquid (16) having a static contact angle on the pad assembly (32, 50) less than or equal to 15°, the drop of liquid (16) having, after step (b), a static contact angle on the layer (28, 48) greater than or equal to 100°.

公开(公告)号：WO2015029111A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：PCT/JP2013/072734

申请日：2013-08-26

Applicant: 東京エレクトロンデバイス株式会社

Inventor： 篠田　一樹

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L23/3731 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80594 ,  H01L2224/80639 ,  H01L2224/8084 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体装置（１００）は、第１の電極（１２）を有する半導体部品（１０）と、第１の絶縁層（３０）と、第１の絶縁層（３０）の上に形成され、第１の電極（１２）と直接接続された接続部（４２）と、接続部（４２）と一体的に形成された配線部（４４）とを有する第１の配線パターン（４０）と、を備える。第１の配線パターン（４０）は、金属ナノ粒子が焼結された導電層から構成される。

Abstract translation: 半导体器件（100）设置有：包括第一电极（12）的半导体部件（10） 第一绝缘层（30）; 以及形成在所述第一绝缘层（30）上并且包括直接连接到所述第一电极（12）的连接部分（42）的第一布线图案（40）和一体地形成的布线部分（44） 形成有连接部分（42）。 第一布线图案（40）由金属纳米粒子烧结的导电层构成。

公开(公告)号：WO2013140094A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/FR2013/050598

申请日：2013-03-20

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： DI CIOCCIO, Léa ,  MERMOZ, Sébastien ,  SANCHEZ, Loïc

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/311 ,  H01L21/481 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/95 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/08257 ,  H01L2224/08258 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95146 ,  H05K3/303 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/05442

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins un plot d'assemblage (32, 50) sur un support (19, 43) destiné à la mise en oeuvre d'un procédé d'auto-assemblage d'au moins un élément (10) sur le support (19, 43) ainsi qu'un dispositif correpondant. Le procédé de fabrication comprend les étapes successives suivantes : (a) former, sur le support (19, 43), une couche (28, 48) d'au moins un matériau fluoré autour de l'emplacement (30, 44) du plot d'assemblage (32, 50), la couche (28, 48) ayant une épaisseur supérieure à 10 nm; et (b) exposer la couche (28, 48) et l'emplacement (30, 44) à un traitement ultraviolet en présence d'ozone pour former le plot d'assemblage (32, 50) audit emplacement (30, 44), une goutte de liquide (16) ayant un angle de contact statique sur le plot d'assemblage (32, 50) inférieur ou égal à 15°, la goutte de liquide (16) ayant, après l'étape (b), un angle de contact statique sur la couche (28, 48) supérieur ou égal à 100°.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在支撑件（19,43）上制造至少一个衬垫组件（32,50）的方法，所述衬垫组件旨在实现用于自组装支撑件（19,43）上的至少一个元件（10）的方法 ）和相应的设备。 制造方法包括以下连续步骤：（a）在支撑件（19,43）上形成围绕垫组件（32,44）的位置（30,44）的至少一种氟化材料的层（28,48） ，50），所述层（28,48）具有大于10nm的厚度; 和（b）在存在臭氧的情况下将层（28,48）和位置（30,44）暴露于紫外线处理，以在所述位置（30,44）处形成焊盘组件（32,50） 在所述焊盘组件（32,50）上具有小于或等于15°的静态接触角的液体（16）在步骤（b）之后具有在所述层上的静态接触角的液体（16） 28，48）大于或等于100°。