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公开(公告)号:CN102596243A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080036364.5
申请日:2010-06-16
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: A61K39/155
CPC classification number: A61K39/155 , A61K39/0008 , A61K39/12 , A61K2039/5252 , A61K2039/543 , A61K2039/545 , A61K2039/55566 , A61K2039/57 , C12N2760/18534
Abstract: 本发明提供了用于免疫应答刺激的方法和组合物。具体而言,本发明提供了免疫原性纳米乳剂组合物和使用其诱导针对副粘病毒科的致病性病毒(例如副粘病毒亚科病毒(例如副粘病毒属、腮腺炎病毒属和/或麻疹病毒属)和/或肺炎病毒亚科病毒(例如呼吸道合胞病毒)))的免疫应答(例如免疫(例如保护性免疫))的方法。本发明的组合物和方法尤其在临床(例如治疗和预防医学(例如接种疫苗))和研究应用中有用。
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公开(公告)号:CN102449140A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201080020137.3
申请日:2010-03-03
Applicant: 密执安大学评议会
Inventor: D·N·扎克斯
CPC classification number: A61K38/204 , A01K67/027 , A01K2207/30 , A01K2227/105 , A01K2267/035 , A61K9/0048 , A61K38/00 , A61K38/08 , A61K38/10 , A61K38/1761 , A61K38/179 , A61K48/00 , C07K14/4703 , C07K14/5412 , C12N2799/025
Abstract: 本发明提供防止光感受器死亡的方法。具体而言,本发明提供防止FAS介导的光感受器凋亡的肽。
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公开(公告)号:CN102177584A
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN200980139738.3
申请日:2009-10-08
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失性固态电阻器件,所述非易失性固态电阻器件包括第一电极、p型硅第二电极、和电连接在所述电极之间的非结晶硅纳米结构。所述纳米结构具有响应于通过所述电极施加到所述纳米结构的电压可调的电阻。所述纳米结构可以被形成为被嵌入位于所述电极之间的绝缘层中的纳米柱。第一电极可以是银或其它导电金属电极。第三(金属)电极可以在邻近纳米结构的位置处连接到p型多晶硅第二电极以允许所述两个金属电极连接到其它电路。电阻器件可以被用作数字非易失性存储器件的单位存储单元以通过在两个或更多个值之间改变它的电阻来存储一位或更多位数字数据。
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公开(公告)号:CN102138338A
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN200980133397.9
申请日:2009-06-30
Applicant: 密执安大学评议会
CPC classification number: H01L41/083 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , H01L41/1132 , H01L41/1136 , H01L41/27 , H04R17/00 , H04R17/02 , H04R2201/003
Abstract: 包括多层传感器的压电MEMS麦克风,该传感器包括位于两个电极层之间的至少一个压电层,该传感器被尺寸定制为使得其提供了接近最大化的输出能量对传感器面积之比率,最大化的输出能量对传感器面积之比率通过计入了输入压力、带宽、及压电和电极材料特征的最优化参数来确定。该传感器可由单独的或以小间隙彼此分隔开的堆叠悬臂梁组成,或者可以是以下方式形成的应力消除隔板:通过沉积到硅衬底上,然后通过将隔板基本与衬底分离来对隔板进行应力消除,并接下来重新附着现在的经应力消除的隔板。
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公开(公告)号:CN101924545A
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN201010149514.5
申请日:2010-03-16
IPC: H03K19/007 , H03K19/0175
CPC classification number: G01R31/3177
Abstract: 本发明涉及预充电的逻辑中的错误检测。集成电路2被提供有多米诺骨牌逻辑,该多米诺骨牌逻辑包括推测节点22和检验器节点24。预充电电路36预充电所述推测节点和所述检验器节点两者。逻辑电路26根据输入信号值为所述推测节点和所述检验器节点提供放电路径。评估控制线路28、30首先将所述推测节点耦合到所述逻辑电路并且接着在此之后将所述检验器节点耦合到所述逻辑电路以便如果到所述逻辑电路26的输入信号具有适当的值则这些节点可以被放电。当所述推测节点和所述检验器节点不是两者都被放电或者两者都未被放电这两种情况之一时,错误检测电路32检测错误。
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公开(公告)号:CN101800471A
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN201010113359.1
申请日:2010-02-03
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: H02M3/07
CPC classification number: G06F21/556 , Y10T307/76
Abstract: 本发明提供一种用于隐藏相关联处理电路的功率消耗特性的隔离电路及方法。该隔离电路包含多个子电路及控制电路。每一子电路包含:电容器,被配置为在所述电容器与所述电源之间提供第一连接的第一开关,被配置为在所述电容器与所述处理电路的输出之间提供第二连接的第二开关,被配置为跨越所述电容器提供第三连接以对所述电容器进行部分地放电的第三开关;控制电路被配置为控制多个子电路,以使在每一子电路中,第一开关、第二开关及第三开关被按照重复序列置于活动状态;所述多个子电路中的每一个进一步包含:比较器,其被配置为当在第三开关的活动状态期间达到跨越所述电容器的预定非零电压差时,将第三开关置于打开状态。
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公开(公告)号:CN101552275A
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200910129917.0
申请日:2009-04-01
Applicant: 密执安大学评议会
Inventor: Y·李 , M·J·维科夫斯基 , D·T·布劳夫 , D·M·C·赛尔韦斯特
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/92 , H01L29/94 , G11C16/10 , G11C16/26
CPC classification number: G11C16/0416 , G11C16/0441 , G11C2216/10 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L28/40
Abstract: 本发明涉及一种存储器单元结构,使用该存储器单元结构的存储器件以及具有该存储器件的集成电路。该存储器单元结构包含具有浮置栅极节点的读取晶体管;连接至该浮置栅极节点且具有第一编程端子的隧穿电容器;连接至该浮置栅极节点及具有第二编程端子的耦合电容器叠柱,该耦合电容器叠柱包含串联布置在该浮置栅极节点及该第二编程端子之间的至少两个耦合电容器,该耦合电容器叠柱具有比该隧穿电容器更大的电容;在编程操作期间,在该第一编程端子及该第二编程端子间建立电压差,以造成发生电荷隧穿通过该隧穿电容器,以致在该编程操作后,电荷储存在该浮置栅极节点中;在读取操作期间,该读取晶体管被激活以产生指示储存在该浮置栅极节点中的电荷的输出信号。
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公开(公告)号:CN101454265A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200780019020.1
申请日:2007-03-23
Applicant: 密执安大学评议会
Abstract: 减少五氯苯酚合成期间污染物的方法包括提供基于苯酚的原料和催化剂,两者形成反应混合物。引进氯流,使之与反应混合物接触,并使原料和氯按程序控温反应进行反应。在程序控温反应结束之前的预定温度下或在五氯苯酚的产率小于约95%时终止氯流。
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公开(公告)号:CN101208415A
公开(公告)日:2008-06-25
申请号:CN200680022912.2
申请日:2006-04-28
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: C10M169/04
CPC classification number: C10M169/04 , B23Q11/1053 , B23Q11/1061 , C10M111/00 , C10M111/02 , C10M111/04 , C10M171/005 , C10M2201/003 , C10M2201/062 , C10M2201/16 , C10M2203/1006 , C10M2207/0225 , C10M2207/04 , C10M2207/1253 , C10M2207/2805 , C10M2207/283 , C10M2207/401 , C10M2209/108 , C10M2211/022 , C10M2211/044 , C10M2219/022 , C10M2219/024 , C10M2219/044 , C10M2219/08 , C10M2223/04 , C10M2223/043 , C10N2220/12 , C10N2230/06 , C10N2240/401 , C10N2250/02 , C10N2250/04 , C10N2250/06 , C10N2270/00
Abstract: 一种用于在金属加工过程期间润滑金属工件的方法,包括在金属加工过程期间送递超临界二氧化碳至工件。超临界二氧化碳起到润滑剂、冷却剂、碎屑排空剂和/或另一种润滑剂或缓蚀剂的载体的作用。
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公开(公告)号:CN1265665A
公开(公告)日:2000-09-06
申请号:CN98807910.0
申请日:1998-06-08
IPC: C07H19/052 , A61K31/70 , C07D235/06 , C07D235/08 , C07D235/10 , C07D235/12 , C07D235/14 , C07D235/16 , C07D235/18 , C07D235/26 , C07D235/28 , C07D235/30
CPC classification number: C07D235/24 , C07D235/30 , C07D405/04 , C07H19/052
Abstract: 本发明涉及一些苯并咪唑衍生物及其在医学治疗、特别是治疗或预防病毒感染(诸如疱疹病毒感染)方面的应用。本发明也涉及所述苯并咪唑衍生物以及含所述苯并咪唑衍生物的药用制剂的制备。
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