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公开(公告)号：CN214281654U
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202120396938.5
申请日：2021-02-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风及其微机电结构，该微机电结构包括第一背极板；第二背极板，位于第一背极板上；振动膜，位于第一背极板与第二背极板之间，振动膜与第一背极板构成第一可变电容，并与第二背极板构成第二可变电容；第一支撑部，位于第一背极板与振动膜之间，并分别与第一背极板和振动膜固定连接；第二支撑部，位于第二背极板与振动膜之间，并分别与第二背极板和振动膜固定连接，其中，第一支撑部沿振动膜的边缘向振动膜的中心方向凸出于第二支撑部。该微机电结构通过使得第一支撑部沿振动膜的边缘向中心方向凸出于第二支撑部，从而改善了由于振动膜的应力不一导致差分信号的一致性较差的问题。
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公开(公告)号：CN214277274U
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202120442198.4
申请日：2021-03-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种压力传感器，该压力传感器包括：衬底，衬底中设置有收容腔；压力传感器主体，设置在收容腔中；第一梁结构，设置在收容腔中，并连接压力传感器主体与衬底，使得压力传感器主体悬浮于收容腔中；阻挡层，设置在压力传感器主体远离衬底的一侧，阻挡层靠近衬底的表面上设置有第一凸起状结构。本申请实施例提供的压力传感器能够有效地提高压力传感器的可靠性和抗冲击性。
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公开(公告)号：CN213991017U
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202023117127.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风、微机电结构。该微机电结构包括：至少一个背极板，每个背极板具有至少一个通孔；振动膜，与每个背极板构成相应的可变电容，振动膜包括至少一个气孔；第二防护层，用于阻挡异物经通孔进入相应背极板与振动膜之间的间隙；以及第二连接部，固接在第二防护层与相应背极板之间，以使第二防护层与相应背极板分隔，其中，第二连接部为光刻胶连接部。
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公开(公告)号：CN213842430U
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202022199086.9
申请日：2020-09-29
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种微机电光电探测芯片，该微机电光电探测芯片包括：内芯片，内芯片用于吸收预设波长光信号，并将预设波长光信号转换为对应的电信号；光学增透膜层，位于内芯片的光信号接收表面侧，用于透射预设波长光信号，并阻挡非预设波长光信号的透射；滤光保护层，位于光学增透膜层远离内芯片一侧的表面，用于透射预设波长光信号，并保护内芯片。本实用新型提供的技术方案，提高了微机电光电探测芯片的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN213754954U
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202023117094.0
申请日：2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风、微机电结构。该微机电结构应用于前进音MEMS麦克风，包括：衬底，具有相对的顶表面和底表面以及穿过顶表面和底表面的背腔；背极板，位于衬底的顶表面上，具有至少一个通孔；振动膜，与背极板构成可变电容，振动膜包括至少一个气孔；防护层，位于衬底的底表面上，其中，防护层用于阻挡异物经背腔与通孔进入背极板与振动膜之间的间隙，振动膜覆盖背极板以阻挡异物从振动膜远离背极板的表面进入间隙，防护层为光刻胶膜或聚四氟乙烯膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN213694053U
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202023109410.X
申请日：2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例公开了一种麦克风和电子设备。麦克风包括控制器芯片和麦克风芯片；控制器芯片包括信号输入端和电荷泵端；麦克风芯片包括：衬底；振膜，振膜位于衬底上；背极板，背极板位于振膜远离衬底的一侧，背极板和振膜形成麦克风的工作电容；工作电容的第一极与控制器芯片的电荷泵端电连接，工作电容的第二极与控制器芯片的信号输入端电连接；寄生电容，寄生电容的第一极与工作电容的第一极电连接，寄生电容的第二极接地；寄生电容由麦克风芯片的膜层构成。本实用新型实施例通过设置寄生电容由麦克风芯片的膜层构成，以代替控制器芯片内的电容，从而有利于减小控制器芯片的面积，节约控制器芯片的成本。
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公开(公告)号：CN212811649U
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202022173908.6
申请日：2020-09-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H03H9/02
Abstract: 本申请提供了一种谐振器及电子设备，该谐振器包括：衬底，衬底上设有开口；谐振本体，谐振本体悬空位于开口上方；端部件，端部件设置在衬底设有开口一侧的表面，端部件中设置有至少一个孔槽，至少一个孔槽用于阻挡谐振器产生的声波向衬底传递；支撑梁，支撑梁连接谐振本体和端部件。本申请实施例提供的谐振器及电子设备能够有效地降低支撑损耗，提升Q值。
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公开(公告)号：CN212435925U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021770513.8
申请日：2020-08-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风及其微机电结构。该微机电结构包括：背板；振动膜，具有至少一个通孔，并与背板构成可变电容；至少一个连接柱，每个连接柱的一端与背板固定连接；以及至少一个可动结构，分别位于相应的通孔中以与振动膜分离，每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接，其中，可动结构与通孔之间的间隙用于气体流通。该微机电结构通过在振动膜的通孔中设置与振动膜分离的可动结构，使得可动结构与通孔之间存在间隙，从而使得微机电结构的泄气量适应于不同外界声压，进而在保障MEMS麦克风性能的同时，改善了振动膜形变量大的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210559358U
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201920279828.3
申请日：2019-03-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种压力传感器，该压力传感器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的悬空的第一真空腔，所述第一真空腔由若干间隔排列的第一槽经第一热处理合并而成；位于所述半导体衬底内的沟槽，所述沟槽穿过部分半导体衬底直至与所述第一真空腔连通，所述沟槽与第一真空腔围成感应本体。上述压力传感器的感压薄膜平整度高、厚度较薄，可以薄至1微米。
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公开(公告)号：CN221344001U
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202323151034.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种MEMS芯片封装结构，包括：器件结构，器件结构具有相对设置的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有用于键合的键合区域和用于切割的切割道区域，其中，切割道区域环绕键合区域设置，在键合区域上设置有第一金属体，在切割道区域设置有凸块；衬底基板，在衬底基板的一侧设置有第二金属体和第三金属体；在衬底基板的厚度方向上，第一金属体与第二金属体投影交叠，凸块与第三金属体投影交叠；器件结构的第一表面与衬底基板通过第一金属体和第二金属体相键合，凸块与第三金属体抵接。本实用新型提供的MEMS芯片封装结构不占用有效芯片的内部区域，还能通过对反应量的控制有效防止合金溢流，保证键合成品率。
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