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公开(公告)号：CN110482477B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201910851812.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种硅麦克风封装结构及其封装方法，所述硅麦克风封装结构包括：电路板，具有相对的第一表面和第二表面；第一金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，与所述电路板之间形成第一腔体，所述第一金属壳体具有第一声孔；第二金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，且套设于所述第一金属壳体外部，与所述第一金属壳体、电路板之间形成第二腔体，所述第二金属壳体具有侧壁朝向内侧凹陷的第二声孔，所述第二声孔的侧壁与所述第一金属壳体密封连接，所述第一声孔与所述第二声孔连通；麦克风芯片，设置于所述第一腔体内。上述硅麦克风封装结构的电磁屏蔽能力提高。
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公开(公告)号：CN110475192B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201910818390.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种抗静电基板及采用该抗静电基板的硅麦克风，所述抗静电基板包括绝缘基体及贯穿所述绝缘基体的声孔，所述基板还包括：导电连接层，所述导电连接层设置在所述声孔侧壁；至少两层导电层，横向设置在所述绝缘基体中，并通过所述导电连接层电连接，在所述绝缘基体上表面，最上层导电层位于所述声孔周围的区域被暴露，形成静电传导环，在所述绝缘基体下表面，最下层导电层的部分区域被暴露，形成电接触区，所述电接触区能够通过导电装置接地；声孔周围产生的静电能够经所述静电传导环、所述导电连接层及所述电接触区传导至接地处。本发明的优点是，能够快速消除基板上方的静电，避免其影响器件性能。
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公开(公告)号：CN118817125A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411295549.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种力传感器的封装结构及其制造方法，涉及力传感器技术领域，用于解决现有力传感器的力传递灵敏度低的问题。本申请提供的力传感器的封装结构包括衬底，其第一表面设有间隔排布的第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽的槽底设有凸台；器件结构支撑于第一表面并包括可动质量块和用于固定可动质量块的锚点，可动质量块的一部分悬空于第一凹槽的开口端，另一部分固定支撑于第一表面，可动质量块构成第一极板，锚点固设于凸台上；ASIC芯片与所述器件结构背对所述衬底的一侧相键合，且其朝向器件结构的一侧表面设有第二极板，第二极板与第一极板相对且间隔设置以构成可变电容；其中，第一凹槽的槽底和/或第二凹槽的槽底设有第三凹槽。
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公开(公告)号：CN110526199B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910851641.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种硅麦克风封装结构及其封装方法，所述硅麦克风封装结构包括：电路板，具有相对的第一表面和第二表面；第一金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，与所述电路板之间形成第一腔体；第二金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，且套设于所述第一金属壳体外部，与所述第一金属壳体、电路板之间形成第二腔体；麦克风芯片，设置于所述第一腔体内；通道，位于所述电路板内，所述通道一端连通至所述麦克风芯片的背腔；声孔，开设于所述电路板内，连通至所述第一腔体。上述硅麦克风封装结构的电磁屏蔽能力提高。
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公开(公告)号：CN118425559A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410888184.3
申请日：2024-07-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P1/00
Abstract: 本申请的实施例公开了一种加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：衬底层；结构层，其设置在衬底层的一侧，结构层包括支撑框架部和活动质量块，所示支撑框架部与活动质量块相分离；支撑结构，其支撑连接支撑框架部和衬底层，支撑框架部包括依次层叠的支撑牺牲部、支撑保护部和支撑绝缘部；在衬底层的厚度方向上，支撑绝缘部以及支撑保护部的正投影均与活动质量块的正投影相交叠。根据本申请，其在支撑结构中增加了支撑保护部，以扩大导电层对支撑绝缘部的保护面积，减少了绝缘层在释放工艺中被释放的面积，进而避免了用以支撑连接电极的绝缘层被过渡刻蚀而影响电极的固定效果，提高产品的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113582127B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202010364449.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本发明提供一种压力传感器封装结构，其包括：封装体，具有第一表面及第二表面；至少一压力传感器芯片，设置在所述封装体内，所述压力传感器芯片的一表面具有压力敏感区及芯片电极，所述压力敏感区及所述芯片电极暴露于所述封装体的第一表面；外接电极，设置在所述封装体的第二表面；电连接结构，包括重布线层及导电连接件，所述重布线层设置在所述封装体的第一表面，并与所述芯片电极电连接，以将所述芯片电极进行电学重新分布，所述导电连接件贯穿所述封装体，并将所述外部电极与所述重布线层电连接。本发明优点是，所述芯片电极经重布线层进行电学重新分布后通过导电连接件与外部电极连接，提高压力传感器封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN113582126B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202010363540.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本发明提供一种压力传感器封装结构及电子设备，所述压力传感器封装结构包括基板；柔性外壳，与所述基板围成密封腔体；压力传感器，设置在所述腔体内，所述压力传感器具有第一端及第二端，所述第一端朝向所述基板设置，且设置有外接电极，所述外接电极与所述基板电连接，所述第二端朝向所述柔性外壳的内侧上表面，所述第二端设置有压力敏感部及电连接部，在受到外界压力时，所述柔性外壳将力传递至所述压力敏感部，所述电连接部通过导电结构与所述外接电极电连接。本发明的优点在于，大大提高了压力传感器封装结构的可靠性，且扩大了压力传感器封装结构的使用范围。
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公开(公告)号：CN110808277B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910919293.6
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L23/544 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供了一种ASIC晶圆结构及其制备方法，通过设置对位孔，解决了与掩膜板对位的问题。晶圆结构包括：硅衬底；多个电路模块，多个电路模块间隔排布于硅衬底的正面；其中，硅衬底上未被多个电路模块覆盖的区域设置有至少一个对位孔，至少一个对位孔从正面沿硅衬底的厚度方向延伸。
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公开(公告)号：CN115615587A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211637925.8
申请日：2022-12-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压力传感器，包括：基底，所述基底包括容纳在所述基底的主体内部的第一空腔以及位于所述基底的所述第一空腔和所述第一表面之间的第一力敏感膜，旨在通过在所述第一空腔内设置有第一凸起部，并且在所述基底的厚度方向上，所述第一凸起部的高度小于所述第一空腔的深度，每个所述压敏电阻的投影位于所述第一空腔的投影范围内，且每个所述压敏电阻的投影与所述第一凸起部的投影不交叠。采用本发明提供的技术方案能够实现两种不同量程段的压力测试，以及封装产品尺寸的小型化。
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公开(公告)号：CN108645548B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810441484.1
申请日：2018-05-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器封装结构及其形成方法，一种触控装置，所述压力传感器封装结构包括：至少一个压力传感器，所述压力传感器包括：衬底、位于所述衬底表面的敏感膜，所述敏感膜与所述衬底之间具有腔体；至少一个焊球，位于所述敏感膜表面；电路板，所述电路板的第一表面通过所述焊球与所述至少一个压力传感器焊接，实现电路板与压力传感器之间的电连接。所述压力传感器封装结构形成工艺简单且敏感薄膜不易损坏。
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